CZT Detector
PAM-XIAMEN supplies a series of CZT products, which are including detectors, modules, probes, systems, amplifiers, analyzers, supply and furnace.
- Description
Описание продукта
An extensive product line of CZT can be provided by PAM-XIAMEN, involving CZT detectors, CZT modules, CZT probes, CZT systems, CZT amplifiers, CZT analyzers, CZT supply and crystal growth furnace. Find more product details, please view below:
1. CZT Detector
1.1 CZT Pixilated Detector (old)
1.3 Детектор дифференциации α / β / γ-лучей
1.6 ОФЭКТ, детектор γ-изображений
1.7 CZT High Resolution Pixel Detector (old)
1.8 Детектор линейных матриц с счетом фотонов CZT
1.9 CZT Compton изображений Detector
1.10 Пиксельный детектор высокой плотности CZT
2. CZT Module
2.2 SPCW модуль радиационных дозировок широкого диапазона
2.3 Модуль мультипиксельного спектрального изображения
2.4 CZT Multi-Pixel Модуль для подсчета фотонов
3. CZT Probe
3.2 CZT Probe
3.4 CZT Зонд-2
4. CZT System
4.1 X-ray Photon Counting Imaging System (old)
4.2 Система регистрации рентгеновских фотонов MXA-128
4.3 Система многопиксельной визуализации с гамма-лучами CZT
4.4 α-Ray Vacuum Testing System (new)
5. CZT Amplifier
5.2 Чип-чувствительный чип предварительного усилителя
5.3 Зарядочувствительные предварительный усилитель (old)
6. CZT Analyzer
6.1 Analog Multi-channel Analyzer (old)
6.2 Портативный диагностический анализатор спектра
6.3 CZT Portable Spectrum Analyzer (old)
6.4 Digital Multi-Channel Analyzer (new)
7. Other CZT Products
7.1 Высокое напряжение питания
7.2 Crystal growth furnace (old)
7.3 CZT Portable Radionuclide Identifier (new)
Therein, CZT based detectors from PAM-XIAMEN by solid-state detector technology for X-ray or gamma-ray has better energy resolution compared with scitillation crystal based detector. We list the specifications of CZT Planar Detector, CZT Pixilated Detector, CZT Co-Planar Gri Detector as follows for example:
| 1.1 CZT Pixilated Detector | ||
| Технические условия | ||
| Применение | ОФЭКТ, γ-камера | Рентгеновское изображение |
| Диапазон рабочих температур | -20 ℃ ~ 40 ℃ | |
| Типичное энергетическое разрешение | <6.5%@59.5 К | - |
| скорость счета | - | > 2М сП / пиксель |
| Типичная матрица | Площадь Матричный детектор: 8 × 8 | Площадь Матричный детектор: 8 × 8 |
| Линейный матричный детектор: 1 × 16 | Линейный матричный детектор: 1 × 16 | |
| Максимальные размеры хрусталя | 40 × 40 × 5 мм 3 | |
| Заметка | Другой образец электрода также может быть доступен | |
Стандартная сборка детектора CZT 8 × 8 пикселей
Стандартная сборка детектора CZT 8 × 8 пикселей
| 1.2 CZT Planar Detector | |||
| Технические условия | |||
| HV | +200 В ~ +500 В | ||
| диапазон энергий | 20 К ~ 200 к | ||
| Диапазон рабочих температур | -20 ℃ ~ 40 ℃ | ||
| Размер (мм 3) | 5 × 5 × 2 | 10 × 10 × 2 | |
| Энергетическое разрешение @ 59,5 к | Счетчик класса | > 15% | > 15% |
| класс Дискриминатор | 7% ~ 15% | 8% ~ 15% | |
| класса спектрометр | <7% | <8% | |
| Заметка | Другие размеры также могут быть доступны | ||
Стандартная сборка 5 × 5 × 2 мм 3 CZT
Стандартная сборка 10 × 10 × 2 мм 3 CZT
| 1.5 CZT Hemispherical Detector | ||
|
ВН: +200 В ~ +1000 В |
Диапазон рабочих температур: -20 ℃ ~ 40 ℃ |
|
| Энергетический диапазон: 50 к ~ 3 МОВ | Типичное энергетическое разрешение: ＜ 3% при 662 КэВ | |
| Стандартный размер (мм 3): 4 × 4 × 2, 5 × 5 × 2,5, 10 × 10 × 5 | ||
| CZT Co-Planar Grid Detectors |
| Технические условия |
| ВН: +1000 В ~ + 3000V |
| Энергетический диапазон: 50 к ~ 3 МОВ |
| Диапазон рабочих температур: -20 ℃ ~ 40 ℃ |
| Типичное энергетическое разрешение: ＜ 4% при 662 КэВ |
| Пик-Compton соотношение: 3 ~ 5 |
| Стандартный размер (мм 3): 10 × 10 × 5, 10 × 10 × 10 |
В настоящее время двумя важными направлениями развития детекторов CZT являются множественные параллельные детекторы большого объема и детекторы с матрицами поверхностных элементов. Первый состоит из множества кристаллических решеток CdZnTe с объемом более 1 см. Этот тип детектора устраняет недостатки одиночного детектора, который имеет небольшой размер и низкую общую эффективность обнаружения, а также значительно сокращает время измерения. Он особенно подходит для портативных спектрометрических систем и может использоваться для радиоактивного мониторинга в окружающей среде, портах, железнодорожных грузах и т. Д. Последний состоит из массива лицевых элементов на кристалле CdZnTe, и эта технология детектора CZT в основном используется для построения изображений энергетического спектра. в ядерной медицине, астрофизике и других областях.
Разработка и использование детектора CZT позволило получать высокоэффективные фотоны с высокими характеристиками. При постоянном улучшении качества Полупроводниковый кристалл CdZnTe Технология подготовки, дальнейшее понимание процесса сбора носителей и развитие быстрой малошумящей микроэлектроники, детектор CdZnTe, несомненно, будет применяться в более широких областях.
Вам также может понравиться ...
-
SiC эпитаксии
Мы обеспечиваем индивидуальную тонкопленочную (карбид кремния) эпитаксию SiC на подложках 6H или 4H для разработки устройств из карбида кремния. Пластина SiC epi в основном используется для диодов Шоттки, металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов, эффекта поля перехода -
CdZnTe (CZT) Вафли
Теллурид кадмия-цинка (CdZnTe или CZT) - это новый полупроводник, который позволяет эффективно преобразовывать излучение в электроны, он в основном используется в тонкопленочных инфракрасных подложках для эпитаксии, детекторах рентгеновского излучения и детекторах гамма-излучения CdZnTe. -
Тест Вафли Вафли монитор пустышки вафельные
Как производитель фиктивных пластин, PAM-XIAMEN предлагает силиконовые фиктивные пластины / тестовые пластины / пластины для монитора, которые используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и используются для проверки доставки и оценки технологической формы. Поскольку фиктивные кремниевые пластины часто используются для экспериментов и испытаний, их размер и толщина в большинстве случаев являются важными факторами. Доступна фиктивная вафля 100 мм, 150 мм, 200 мм или 300 мм.
-
Нанофабрикация Фоторезист
PAM-XIAMEN предлагает пластину фоторезиста с фоторезистом
-
GaAs (арсенид галли) Вафли
As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor C doped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, C doped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.
-
Ge (германий) монокристаллы и Вафли
PAM-XIAMEN предлагает германиевые пластины размером 2, 3, 4 и 6 дюймов, что является сокращением от пластины Ge, выращенной с помощью VGF / LEC. Слаболегированные пластины германия P- и N-типа также могут быть использованы для экспериментов с эффектом Холла. При комнатной температуре кристаллический германий хрупок и мало пластичен. Германий обладает полупроводниковыми свойствами. Германий высокой чистоты легируют трехвалентными элементами (такими как индий, галлий, бор) для получения германиевых полупроводников P-типа; и пятивалентные элементы (такие как сурьма, мышьяк и фосфор) легируют для получения германиевых полупроводников N-типа. Германий обладает хорошими полупроводниковыми свойствами, такими как высокая подвижность электронов и высокая подвижность дырок. -
InAs вафельные
PAM-XIAMEN предлагает пластину Compound Semiconductor InAs - пластину арсенида индия, выращенную LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) в виде готовой к эпиляции или механической степени с n-типом, p-типом или полуизолирующими в различной ориентации (111) или (100). Кроме того, монокристалл InAs обладает высокой подвижностью электронов и является идеальным материалом для изготовления устройств Холла.
-
Корпусная GaN-подложка
PAM-XIAMEN разработала технологию производства отдельно стоящей (нитрид галлия) подложки GaN, которая предназначена для светодиодов UHB и LD. Наша подложка из GaN, выращенная по технологии гидридной парофазной эпитаксии (HVPE), имеет низкую плотность дефектов.
