Метка продукта - Отдельно стоящий GaN

  • Отдельно стоящая подложка GaN

    PAM-XIAMEN разработала технологию производства отдельно стоящей подложки GaN (нитрид галлия), которая предназначена для UHB-LED и LD. Наша подложка GaN, выращенная по технологии гидридной парофазной эпитаксии (HVPE), имеет низкую плотность дефектов.