Продукты

GaN HEMT эпитаксиальные вафельные

GaN вафли

РАМ-СЯМЫНЬ предлагает Галлий Нитрид пластины субстрат для UHB-LED, галлий Nitride пластины, LD и других полупроводниковых приборов.

SiC Wafer Substrate (карбид кремния)

SiC вафельные

Кремний Carbideï¼SiC) Вафли PAM-XIAMENÂ предлагает карбид кремния Crytal вафель и эпитаксии, который используется для оптико-электронных приборов, устройств высокой мощности, высокие температуры устройств, высокочастотных силовых устройств

GaAs вафельные

GaAs вафельные

PAM-СЯМЫНЬ предлагает -галли пластины подложки и эпитаксии для LED, LD и приложений Микроэлектроника

GaSb вафельные

Соединение Semiconductor

PAM-СЯМЫНЬ предлагает индий Semiconductor Вафли: InSb, InP, InAs, GaSb, GaP

Ge (германий) монокристаллов и Вафли

Германий вафельные

PWAMÂ предлагает полупроводниковые материалы, (Ge) монокристаллов германия и Вафли, выращенные VGF / LEC

продукты

CdZnTe вафельные

Кадмий теллурида цинка (CdZnTe или CZT) представляет собой новый полупроводниковый

вафельный продукт

Кремний вафельные

PAM-XIAMEN, a silicon wafer manufacturing company, offers silicon wafer: FZ Silicon wafer, Test Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer, Test Wafer,CZ wafer, epitaxial wafer, polished wafer, etching wafer.

The silicon wafer manufacturing process is crystal pulling, silicon wafer dicing, silicon wafer grinding, chamfering, etching, polishing, cleaning and inspection, among which crystal pulling, silicon wafer polishing and inspection are the core links of silicon wafer manufacturing. As the basic semiconductor substrate, silicon wafers must have high standards of purity, surface flatness, cleanliness, and impurity contamination to maintain the original designed functions of the chip. The high-specification requirements of semiconductor silicon wafers make its manufacturing process complicated. The four core steps include polysilicon purification and polysilicon ingot casting, single crystal silicon wafer growth, and silicon wafer cutting and shaping. As a raw material for wafer fab, the quality of silicon wafers directly determines the stability of the silicon wafer application process. Large-size silicon wafers have become the future development trend of silicon wafers. In order to improve production efficiency and reduce costs, more and more large-size silicon wafers are used.

вафельный продукт

WAFER ИЗГОТОВЛЕНИЕ

PAM-СЯМЫНЬ Предложения фоторезиста пластины с фоторезиста и фотошаблонов, а также обеспечить литография (фотолитографии): Подготовка поверхности, фоторезиста применяются, мягкие выпекать, выравнивание, экспозиции, разработки, Hard выпекать, Разработка инспектировать, Etch, удаление фоторезиста (полоса), заключительный осмотр.

  • 12 "Prime Grade Silicon вафельные

    PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.

  • 12 "кремниевые пластины 300 мм TOX (Si, термическое окисление вафельный)

    PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • 12 "Test Grade Silicon вафельные

    PAM-XIAMEN offers 300mm bare silicon wafers (12 inch) dummy, test grade, n type or p type. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer offers professional service with competitive prices.

  • Epi вафельные для лазерного диода

    GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • Float-Zone монокристаллического кремния

    PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с плавающей зоной, которую получают методом плавающей зоны. Стержни из монокристаллического кремния получают путем выращивания в плавающей зоне, а затем обрабатывают стержни из монокристаллического кремния в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами в плавающей зоне. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не находится в контакте с кварцевым тиглем во время процесса кремния с плавающей зоной, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе плавки кремния с плавающей зоной. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.

  • Услуги по производству вафель

    PAM-XIAMEN provides wafer foundry services with advanced semiconductor process technology and benefit from our upstream experiences of substrate and wafer expaxy, 

    PAM-XIAMEN is to be the most advanced wafer technology and foundry services for fabless companies,IDMs and researchers.

     

  • Тест Вафли Вафли монитор пустышки вафельные

    Как производитель фиктивных пластин, PAM-XIAMEN предлагает силиконовые фиктивные пластины / тестовые пластины / пластины для монитора, которые используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и используются для проверки доставки и оценки технологической формы. Поскольку фиктивные кремниевые пластины часто используются для экспериментов и испытаний, их размер и толщина в большинстве случаев являются важными факторами. Доступна фиктивная вафля 100 мм, 150 мм, 200 мм или 300 мм.

  • Cz монокристаллического кремния

    PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.

  • Эпитаксиальный кремний вафельный

    Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

  • Полированный вафельные

    PAM-XIAMEN can offer polished wafer, n type or p type with orientation at <100>, <110> or <111>. FZ polished wafers, mainly for the production of silicon rectifier (SR), silicon controlled rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR), thyristor (GRO)

  • Травление вафельные

    The etching silicon wafers offered by PAM-XIAMEN are N type or P type etching wafers, which have low roughness, low reflectivity and high reflectivity. The etching wafer has the characteristics of low roughness, good glossiness and relatively low cost, and directly substitutes the polished wafer or epitaxial wafer which has relatively high cost to produce the electronic elements in some fields, reducing the costs.

  • Нанофабрикация Фоторезист

    PAM-СЯМЫНЬ Предложения фоторезиста пластины с фоторезистом