Сапфировая подложка с рисунком PSS вафли

Сапфировая подложка с рисунком PSS вафли

PAM-СЯМЫНЬ offers PSS patterned sapphire substrate for high brightness GaN based LED EPI growing application. The patterned sapphire substrate wafer заключается в выращивании маски для сухого травления на сапфировой подложке. Маска гравируется стандартным методом фотолитографии. Затем сапфир травится методом травления ICP, а маска тем временем снимается. После этого материал GaN выращивают на сапфире, так что вертикальная эпитаксия материала GaN становится горизонтальной эпитаксией. Детали узорчатой ​​сапфировой подложки приведены ниже:

Узорчатая сапфировая подложка

Сапфировая подложка PSS

1.Specificationх годов Узорчатая сапфировая подложка

Параметры Спецификация Ед. изм
Материал Монокристаллин Al2O3 высокой чистоты
Диаметр 50,8 ± 0,1
Толщина 430 ± 10
Изменение общей толщины ≤10
Первичная плоская длина 16,0 ± 1,0
Первичная плоская ориентация Самолет ± 0,2
Качество лицевой поверхности Эпитаксиальный готов
Шероховатость задней поверхности 1,0 ± 0,1
Ориентация поверхности A 0˚выкл ± 0,1
Ориентация поверхности M 0,2˚выкл ± 0,10
Ориентация поверхности R R9
ЛУК -10 ~ 0
WARP ≤15
Ширина узора 2,7 ± 0,15
Высота рисунка 1,7 ± 0,15
Шаг шаблона 3,0 ± 0,05

2.Почему выбирают узорчатую сапфировую подложку для светодиодов?

On the one hand, the cone-shaped patterned sapphire substrate wafer can effectively reduce the dislocation density of the GaN epitaxial material(the patterned sapphire substrate dislocation is low), thereby reducing the non-radiative recombination of the active area, reducing the reverse leakage current, and improving the life of the LED. On the other hand, the light emitted from the active region is scattered multiple times by the interface of GaN and sapphire substrate, and the exit angle of total reflection light is changed, increasing the probability that the light of the flip-chip LED emerges from the sapphire substrate, thereby improving the extraction efficiency of the light.

Таким образом, яркость излучаемого света светодиода, выращенного на сапфировой подложке с наноразмерным рисунком, значительно выше, чем у традиционного светодиода. Ток обратной утечки уменьшается, что продлевает срок службы светодиода.

A patterned sapphire substrate belongs to the semiconductor industry. As a high-brightness epitaxial material, it is the source material of the LED lighting industry. Meanwhile, using PSS Al2O3 wafer to grow epitaxial wafers is the most effective way to improve the brightness of the chip. It is also the best choice for the high-power and high-brightness epitaxial wafers.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.comand powerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью