Чип SiC
ПАМ-СЯМЫНЬ предложениеПодложка SiC с металлическими слоями Ag, Ti или Ni или Auс мелкими чипсами:
1. Характеристики подложки чипа SiC
Нет 1.PAM200508-SIC-AU
Подложка SiC 10×10 мм/Ti(0,1 мкм)-Ni(0,1 мкм)-Au(2 мкм), тип n.
Оценка: манекен
Толщина: ок. 350ум
Задняя поверхность: с металлическими пленками Ti-Ni-Au.
Толщина металла: Ti (0,1 мкм)-Ni (0,1 мкм)-Au (2 мкм),
Нет 2.Пластина SiC с термическим оксидом и нитридом LPCVD или пластина карбида кремния с напыляемым слоем Cr/Au, например пластина SiC с 1 мкм SiO2 от PECVD
Нет 3.Вафля металлизации SiC:
Карбидно-кремниевая пластина с титановым покрытием на обратной стороне, толщина: 100 нм.
2. Чип на подложке SiC с омическим контактным слоем Ag, Ti, Ni или Au.
Подготовка устройств SiC включает в себя множество процессов, таких как рост подложки SiC, ионное легирование, плазменное травление и формирование омического контакта. Среди них формирование омического контакта является одним из важнейших процессов изготовления устройств на кристаллах SiC. Под образованием омического контакта фактически понимается образование особого контактного состояния между металлом и полупроводником. В этом состоянии контакта сопротивление контактной поверхности значительно меньше сопротивления самого полупроводника. Поскольку прямой контакт между металлом и поверхностью пластины SiC-чипа не может образовать омический контакт, необходимо выполнить обработку отжигом после контакта металла с поверхностью пластины SiC, чтобы сформировать слой силицида металла между контактным металлом и пластиной SiC. Подложка SiC. Слой силицида металла может эффективно снизить потенциальный барьер между контактным металлом и пластиной SiC, тем самым достигая омического контакта между контактным металлом и поверхностью пластины SiC.
Что касается металлов для омического контакта SiC, существует широкий спектр доступных вариантов, включая Cr, Ni, TiN, TiW, NiCr, W, TiW, Ti, TiAl, Mo, WMo, AuTa, TiAu, Ta, WTiNi, TiC. и другие металлы или сплавы. В следующей таблице показаны типичные методы подготовки омических контактов, основные параметры и результаты удельного сопротивления контактов за последние годы:
| Металл | Концентрация носителей N-типа (см-3) | Температура отжига (℃) | Контактное сопротивление (Ом-см2) |
| Ni | 1-10 х 1018 | >950 | 2,8 х 10-3-2,8 х 10-6 |
| Ti | 1 х 1020 | Неотожженный | 2 х 10-5 |
| W | 3 х 1018 – 1 х 1019 | 1200-1600 | 5 х 10-3-1 х 10-4 |
| Мо | >1 х 1019 | - | 1 х 10-4 |
| Ta | >1 х 1019 | - | 1 х 10-4 |
| Ти-Ал | 4,5х1020 | 1000 | 1 х 10-3 |
| ТиН | 1 х 1018 | 600 | 4 х 10-2 |
| ТиВ | 1,1 х 1019 | 950 | 2-6 х 105 |
| ТиК | 1,3 х 1019 | 950 | 4 х 10-5 |
| ТаС | 2,3 х 1019 | 1000 | 2,1 х 10-5 |
| CoSi2 | 1,1 х 1019 | 500/800 | 1,8 х 10-6 |
| НиСи2 | 1 х 1019 | 950 | 1,2-2,7 х 10-5 |
| ТиК | 4 х 1019 | 300 | 1,3 х 10-5 |
| ТиК | 1,3 х 1019 | Комнатная температура совместного пропаривания | 7,4 х 10-7 |
| Концентрация носителя P-типа (см-3) | |||
| Ni | 1 х 1015, Ал+/ C+инъекция | 1050 | 1,5 х 10-4 |
| Ти/Ал | 3-5 х 1019 | 900 | 1,42 х 10-5 |
| Аль-Ти | 1 х 1019 | 900 | 6,4 х 10-4 |
| Си/Пт | 1 х 1019 | 1100 | 2 х 10-4 |
| ТиК | 2 х 1019 | 500, Ал+инъекция | 1,9 х 10-5 |
| Ал/Си/Ти | 3-5 х 1019 | 950 | 9,6 х 10-5 |
| ТиН | 1 х 1019 | 650, отложения ФИБ | 4,4 х 10-5 |
| Pd | 5 х 1019 | 700 | 5,5 х 10-5 |
| Ау/Ти/Ал | 3-5 х 1019 | 950 | 1,6 х 10-5 |
| КрБ2 | 1,3 х 1019 | 1100 | 8,2 х 10-5 |
Из таблицы хорошо видно, что в настоящее время существуют различные проблемы с омическим контактом материалов чипов из карбида кремния:
- Состав и толщина металлического слоя, образующего омический контакт, неизвестны;
- Время, температура, атмосфера и другие параметры процесса легирующего отжига для формирования омических контактов сильно различаются;
- Полученные результаты удельного контактного сопротивления омического контакта неравномерны, а повторяемость плохая;
Основная причина этих проблем состоит в том, что механизм и физическая модель формирования омического контакта недостаточно ясны.
В настоящее время удельное контактное сопротивление омических контактов SiC MOSFET n- и p-типа обычно находится в пределах 10 Ом.-5-10-6 Ом*см2и 10-4-10-5 Ом*см2соответственно, а результат удельного контактного сопротивления сильно зависит от концентрации носителей на поверхности пластины, выбора металла, предварительной обработки поверхности пластины и условий металлизационного термического отжига. Чтобы получить хороший омический контакт, широко используются использование ионной имплантации для увеличения концентрации носителей на поверхности пластины SiC, высокотемпературный легирующий отжиг, а также сплавы или другие соединения. Поверхность материала SiC разделена на плоскость Si и плоскость C. Разница кристаллических плоскостей оказывает большое влияние на результат электрических характеристик омических контактов SiC-чипа. Как правило, омические контакты в основном выполняются на поверхности Si. В настоящее время омический контакт пластины чипа SiC n-типа от производителей чипов SiC в основном достигается путем металлизационного отжига металла на основе Ni при температуре 950-1050 ℃, а его удельное контактное сопротивление PаСистема SiC на кристалле может в основном соответствовать требованиям приложений устройства. Но для материалов SiC p-типа более высокая высота барьера контакта затрудняет формирование низкого удельного контактного сопротивления. Обычно металл A-Ti и силицид металлизируют и отжигают при температуре 900–1180 ℃.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу[email protected]и[email protected]