Silicon-based devices are approaching physical limits, and compound semiconductors have broad prospects. Meanwhile, in some high-power, high-voltage, high-frequency, and high-temperature applications (such as new energy and 5G communications), the performance of silicon-based devices has gradually failed to meet the requirements. Due to the excellent performance of compound semiconductors represented by SiC wafer, the compound semiconductors are gradually being used for large-scale commercial use in the fields of communication radio frequency, optical communication, and power electronics. PAM-XIAMEN can offer SiC substrate. For SiC wafer market forecast, please refer to the diagram of SiC wafer demand in global market:
Рис. 1 Спрос на пластины SiC в 2017-2025 гг. (десять тысяч штук)
Из рисунка 2 видно, что материалы SiC станут важной основой для устройств SiC и GaN в области новых источников энергии и связи 5G в будущем.
Рис. 2 Линия по производству пластин SiC
1. Рынок SiC-пластин для связи 5G
Для связи 5G GaN-on-SiC в основном используется в области радиочастот, в основном из-за высокой теплопроводности и низких радиочастотных потерь подложки SiC, которая подходит для макробазовых станций с высокой мощностью. По данным Yole, ожидается, что рынок радиочастотных устройств GaN в инфраструктуре связи достигнет 731 млн долларов США в 2025 году, а совокупный темп роста с 2019 по 2025 год достигнет 14,88%. Общий размер рынка достигнет 2 миллиардов долларов США в 2025 году, а совокупный темп роста с 2019 по 2025 год достигнет 12%. Таким образом, рыночный спрос на пластины SiC продолжает расти. Подробнее о мировом рынке пластин SiC, особенно с точки зрения новой энергии:
2. Новая энергия стимулирует развитие рынка пластин из карбида кремния
2.1 Силовые устройства SiC для транспортных средств, использующих новые источники энергии
Будет расти доля рынка пластин SiC в новой области энергетики. Из рисунка 3 видно, что новые энергетические транспортные средства быстро растут, что приводит к быстрому расширению спроса на рынке силовых полупроводников, и силовые устройства, изготовленные из подложки из карбида кремния 4H, могут иметь большие возможности.
Рис. 3-1 Будущие темпы роста транспортных средств на новых источниках энергии
Рис. 3-2 Компоненты для электромобилей
В условиях одинакового уровня мощности использование устройств на монокристаллической подложке SiC позволяет уменьшить объем электроприводов и электронного управления для удовлетворения потребностей в более высокой удельной мощности и более компактной конструкции, что позволяет электромобилям иметь больший запас хода. .
2.2 Фотоэлектрическая генерация на основе SiC Power Device
В будущем фотоэлектрическая энергетика станет основным направлением глобального развития новой энергетики, и новые установленные мощности будут продолжать расти. Инверторы являются неотъемлемой частью фотоэлектрической энергетики и являются одним из ключей к эффективному и быстрому внедрению фотоэлектрической энергетики. Фотоэлектрические инверторы, использующие SiC-MOSFET или силовые модули в сочетании с SiC-MOSFET и SiC-SBD, могут повысить эффективность преобразования с 96% до более чем 99%, что приводит к снижению потерь энергии более чем на 50%.
Рис. 4 Прогноз продвижения SiC-устройств в фотоэлектрические устройства
В целом, при миниатюризации устройств и требованиях повышения КПД, силовые электронные устройства из составных полупроводников могут охватывать мощные, высокочастотные и полноуправляемые поля. В результате появление подложки из карбида кремния соответствует тенденции будущего повышения энергоэффективности. В будущем объем рынка пластин из карбида кремния будет продолжать расти в таких областях, как электроснабжение PFC, фотогальваника, чисто электрические и гибридные транспортные средства, источники бесперебойного питания (ИБП), моторные приводы, ветроэнергетика и железнодорожный транспорт. Таким образом, поставщики на рынке пластин SiC, в том числеPAM-СЯМЫНЬ, следует увеличить инвестиции в производственные мощности для удовлетворения будущего спроса.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.