PAM-СЯМЫНЬпредлагает SiC (карбид кремния) Boule Crystal доступного размера: 2”, 3”, 4”, 6 дюймов с двумя доступными длинами: 5 ~ 10 мм или 10 ~ 15 мм. Фиксированный размер возможен, например, 10 мм, см. ниже спецификации размеров 4 и 6 дюймов:

1. Характеристики кристалла SiC Boule

№ 1: 4 ″ SiC Boule Crystal, промышленный сорт
Политип: Производство- 4H
Диаметр: Производство-100,0 мм+/-0,2 мм
Тип носителя: Производство-Н-тип
Удельное сопротивление: Производство-0,015~0,028 Ом-см
Ориентация: Производство – 4,0˚±0,5˚
Первичная плоская ориентация: Производство {10-10}±5,0˚
Длина первичной плоскости: Производство 32,5 мм±2,5 мм.
Вторичная плоская ориентация (5%): производственная сторона Si, 90° против часовой стрелки от плоскости ориентации/ грань C, 90° против часовой стрелки от плоскости ориентации.
Длина вторичной плоскости: Изготовление-18,0мм±2,0мм.
Трещины от света высокой интенсивности: Образование - ≤1 мм каждая с радиальной глубиной.
Шестиугольные пластины при свете высокой интенсивности: Производство <5% (Совокупная площадь <5%)
Плотность микротруб: Производительность-<5/см2.
Вариант 1: Толщина: 10 ~ 15 мм
Вариант 2: Толщина: 5 ~ 10 мм

№ 2: 4 ″ кристалл SiC Boule, фиктивный сорт
Политип: Манекен- 4H
Диаметр: -100,0 мм+/-0,2 мм
Тип носителя: N-тип
Удельное сопротивление: -0,015~0,028 Ом-см
Ориентация: -4,0˚±0,5˚
Первичная плоская ориентация:{10-10}±5,0˚
Первичная плоская длина: 32,5 мм±2,5 мм
Вторичная плоская ориентация (5%): лицевая сторона Si 90˚ против часовой стрелки от плоской ориентации/ грань C 90˚ против часовой стрелки от плоской ориентации
Длина вторичной плоскости: -18,0 мм±2,0 мм.
Трещины от света высокой интенсивности: - 3 мм ≤ 4 мм в радиальную глубину.
Шестигранные пластины при свете высокой интенсивности: <10% (Совокупная площадь <10%)
Плотность микротрубок:<5 0/см2
Вариант 1: Толщина: 10 ~ 15 мм
Вариант 2: Толщина: 5 ~ 10 мм

№ 3: 6 ″ кристалл SiC Boule, промышленный сорт
Политип: Производство- 4H
Диаметр: Производство-150,0 мм+/-0,2 мм
Тип носителя: Производство-Н-тип
Удельное сопротивление: Производство-0,015~0,028 Ом-см
Ориентация: Производство – 4,0˚±0,5˚
Первичная плоская ориентация: Производство {10-10}±5,0˚
Длина первичной плоскости: Производство 47,5 мм±2,5 мм.
Вторичная плоская ориентация: Н/Д
Вторичная плоская длина: Н/Д
Трещины от света высокой интенсивности: Образование - ≤1 мм каждая с радиальной глубиной.
Шестиугольные пластины при свете высокой интенсивности: Производство <5% (Совокупная площадь <5%)
Плотность микротруб: Производительность-<5/см2.
Вариант 1: Толщина: 10 ~ 15 мм
Вариант 2: Толщина: 5 ~ 10 мм

№ 4: 6 ″ кристалл SiC Boule, фиктивный класс
Политип: Манекен – 4H
Диаметр: 150,0 мм+/-0,2 мм
Тип носителя: N-тип
Удельное сопротивление: 0,015~0,028 Ом-см
Ориентация: 4,0˚±0,5˚
Первичная плоская ориентация: {10-10}±5,0˚
Первичная плоская длина: 47,5 мм±2,5 мм
Вторичная плоская ориентация: Н/Д
Вторичная плоская длина: Н/Д
Трещины от света высокой интенсивности: 3 мм.
≤4 мм по радиальной глубине
Шестигранные пластины при свете высокой интенсивности: <10% (Совокупная площадь <10%)
Плотность микротрубок: -<50 /см2
Вариант 1: Толщина: 10 ~ 15 мм
Вариант 2: Толщина: 5 ~ 10 мм

SiC (карбид кремния) Boule Crystal

2. Почему слиток SiC нуждается в высокотемпературном отжиге?

Кристаллы SiC, полученные методом PVT-сублимации, обычно имеют такие дефекты, как дислокации, микроканалы, дефекты упаковки, разнотипные включения и включения. И эти дефекты, такие как искажение между вышеуказанной дефектной структурой и окружающей нормальной точкой решетки, будут создавать вокруг нее поле напряжений. Неравномерный рост кристаллов SiC также вызывает напряжение. Существование напряжений может легко вызвать появление трещин при последующей обработке (например, скруглении, шлифовке поверхности, многопроволочной резке и т. д.), что значительно снижает выход пластин SiC.

Чтобы улучшить качество кристалла SiC и уменьшить структурные дефекты и термические напряжения, кристалл SiC необходимо отжигать при высокой температуре. Этот процесс можно условно разделить на три процесса: нагрев – сохранение тепла – охлаждение, которые можно повторять много раз. Из-за высокой термостойкости кристалла SiC, чтобы минимизировать термическое напряжение, температура отжига пластины SiC является относительно высокой, обычно около 1800 ℃.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com