PAM-XIAMEN предлагает для продажи кремниевую булю, которая является сырьем для производства полупроводниковых кремниевых устройств, изготовления мощных выпрямителей, мощных транзисторов, диодов, переключающих устройств и т. Д. Монокристаллический кристалл кремния с практически полной структурой решетки имеет ширина запрещенной зоны 1,11 эВ. Монокристаллический кремний разнонаправленного действия имеет разные свойства, и это хороший полупроводниковый материал. Чистота должна достигать 99,9999%, даже более 99,9999999%. Способы выращивания кристаллов кремния делятся на метод Чохральского (CZ), метод зонной плавки (FZ) и метод эпитаксии. Метод Чохральского и метод зонной плавки выращивают стержни из монокристаллического кремния, а эпитаксиальный метод растет. тонкие пленки монокристаллического кремния. Чаще всего используется метод CZ. Ниже приводится список продаж слитков монокристаллического кремния для справки:
1. Список кристаллов Si
| Номер слитка | Диаметр слитка | Тип, ориентация | Длина слитка (мм) | удельное сопротивление | Продолжительность жизни | Кол-во |
| PAM-XIAMEN-INGOT-01 | 104 | N (100) | 73 | 167000 | 1700 | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-02 | 103 | N (100) | 123 | >20000 | 1690 | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-09 | 103.8 | N111 | 170 | 14000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-60 | 103.3 | N111 | 90 | 15000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-61 | 103 | N111 | 80 | 18700 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-62 | 105 | N100 | 165 | 810 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-63 | MC200 | P110 | 253 | 0.355 | 2,82% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-64 | MC200 | P110 | 255 | 0.363 | 3,03% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-65 | MC200 | P110 | 215 | 0.355 | 3,66% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-66 | MC200 | P110 | 271 | 0.289 | 2,48% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-67 | MC200 | P110 | 243 | 0.313 | 3,51% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-95 | 79 | N100 | 102 | 13000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-100 | 8 " | — | 300мм | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-101 | 8 " | — | 530 мм | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-104 | Сторона A 6 ″ и сторона B 8 ″ | Эллипс | 90мм | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-105 | 240мм | пробить дыру посередине | 10мм | — | — | 4 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-120 | 6 " | NP100 | 295 | ＞5000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-121 | 6 " | NP / N100 | 294 | ＞5000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-122 | 6 " | — | 47mm | — | — | 1 |
2. Стандарты индустрии одиночных кристаллов кремния
The silicon crystal manufacturing process by PAM-XIAMEN meets the standards.
2.1 Классификация монокристаллов кремния
В соответствии с производственным процессом монокристаллы кремния делятся на два типа монокристаллов кремния Чохральского и монокристаллов кремния зонной плавки, а именно CZ и FZ (включая нейтронное трансмутационное легирование и легирование в газовой фазе).
Кристаллы кремния делятся на P-тип и N-тип по типу проводимости.
Чистый кристалл кремния можно разделить на кристаллы (100), (111), (110) в соответствии с ориентацией кристалла, и обычно используется ориентация кристалла кремния (100) или (111).
Монокристаллы кремния делятся на семь номинальных диаметров: менее 50,8 мм, 50,8 мм, 76,2 мм, 100 мм, 125 мм, 150 мм и 200 мм, а также другие характеристики неноминального диаметра.
2.2 Сопротивление и время жизни кремниевого кристалла Чохральского.
Диапазон удельного сопротивления и изменение радиального сопротивления монокристалла кремния Чохральского должны удовлетворять относительным требованиям.
Требования к сроку службы носителя Czochralski silicon boule crystal shall be determined through negotiation between the supplier and the buyer.
2.3 Ориентация и отклонение кристаллов кремния
Ориентация монокристалла кремния <100> или <111>.
Отклонение ориентации кристалла кристалла кремния Чохральского не должно превышать 2 °.
Отклонение кристаллической ориентации монокристалла расплавленного кремния в зоне не должно превышать 5 °.
2.4 Контрольная поверхность или срез слитка кристалла кремния
Ориентация плоскости отсчета, длина или размер надреза кремниевого слитка должны соответствовать требованиям GB / T 12964.
2.5 Oxygen Content in Si Ingot Crystal
Содержание межузельного кислорода в кристалле кремния Чохральского не должно превышать 1,18 × 10.18атомов / см3, а конкретные требования определяются поставщиком и покупателем путем переговоров. Требования к содержанию кислорода в сильно легированных кристаллах кремния Чохральского должны согласовываться и определяться обеими сторонами.
Содержание межузельного кислорода в кристаллах кремния зонного расплавленного типа P или N не должно превышать 1,96 × 10.16атомов / см3.
2.6 Carbon Content of Silicon Crystal Boule
Содержание замещающего углерода в кристалле кремния по Чохральскому должно быть не более 5 × 10.16атомов / см3. Требования к содержанию углерода в слитке сильно легированного монокристаллического кремния согласовываются и определяются поставщиком и покупателем.
Содержание замещающего углерода в монокристалле зонного расплавленного кремния не должно превышать 3 × 10.16атомов / см3.
2.7 Silicon Crystal Integrity
Плотность дислокаций монокристаллов кремния не должна превышать 100 / см.2, то есть никаких дислокаций.
Кристалл кремния не должен иметь звездообразных структур, гексагональных сеток, вихрей, дырок, трещин и т. Д.
Сильнолегированные кристаллы Si с удельным сопротивлением менее 0,02 Ом-см позволяют наблюдать примесные полосы.
Плотность микродефектов и другие требования к дефектам монокристаллического кремния могут быть согласованы между поставщиком и покупателем.
2.8 Inspection Method for Silicon
Измерение диаметра кристалла Si и допустимого отклонения должно выполняться в соответствии с положениями GB / T 14140.
Проверка типа проводимости кристалла кремния должна выполняться в соответствии с положениями GB / T 1550.
Измерение удельного сопротивления монокристалла кремния должно выполняться в соответствии с правилами GB / T 1551 или в соответствии с правилами GB / T 6616. Метод арбитража должен проводиться в соответствии с положениями GB / T 1551. .
Измерение изменения радиального сопротивления монокристаллического кремния должно выполняться в соответствии с положениями GB / T 11073-2007.
Измерение срока службы носителей монокристаллического кристалла кремния выполняется в соответствии с положениями GB / T1553 или GB / T 26068, а метод арбитража выполняется в соответствии с положениями GB / T1553.
Метод проверки полос удельного сопротивления микрозон монокристалла кремния согласовывается и определяется поставщиком и покупателем.
Измерение ориентации кристаллов кремния и отклонения ориентации кристаллов должно выполняться в соответствии с положениями GB / T1555 или согласовываться между поставщиком и покупателем.
Измерение ориентации плоскости отсчета кристаллов кремния должно выполняться в соответствии с положениями GB / T 13388.
Измерение длины эталонной поверхности кремниевого одиночного продукта должно выполняться в соответствии с положениями GB / T 13387.
Измерение размера надреза кристалла кремния должно выполняться в соответствии с правилами GB / T 26067.
Измерение содержания кислорода в кристалле кремния выполняется в соответствии с правилами GB / T 1557. Метод измерения содержания кислорода в сильно легированном кристалле кремния Чохральского определяется путем переговоров между поставщиком и покупателем.
Измерение содержания углерода в монокристалле кремния выполняется в соответствии с положениями GB / T1558. Метод измерения содержания углерода в були из сильно легированного кремния Чохральского определяется путем переговоров между поставщиком и покупателем.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.