You can buy silicon epi wafer from PAM-XIAMEN, an epitaxial wafer supplier you want to find, which can offer silicon epi wafer or custom silicon epi wafer. The size we can offer is 2”, 4”, 5”, 6” or 8”. More details please see the wafer list of Si epi wafers as following:

1. Wafer List of Silicon Epitaxial Wafer

2. Что такое кремниевая эпитаксиальная пластина?

Кремниевые эпипластины были впервые разработаны примерно в 1966 году и получили коммерческое признание к началу 1980-х годов. Способы выращиванияэпитаксиальный слой на монокристаллическом кремнииили другие пластины включают: различные типы химического осаждения из паровой фазы (CVD), классифицируемые как CVD при атмосферном давлении (APCVD) или химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD), а также молекулярно-лучевую эпитаксию (MBE). Два «беспрорезных» метода (без абразивного выпиливания) отделения эпитаксиального слоя от подложки называются «имплантат-скола» и «стресс-снятие». Метод, применимый, когда эпислой и подложка представляют собой один и тот же материал, использует ионную имплантацию для осаждения тонкого слоя кристаллических примесных атомов и возникающего в результате механического напряжения на точную глубину предполагаемой толщины эпитаксиального слоя. Индуцированное локализованное напряжение обеспечивает контролируемый путь распространения трещины на следующем этапе расщепления.[7] В процессе снятия напряжения в сухом состоянии, применимом, когда слой эпитаксиального слоя и подложка представляют собой соответственно разные материалы, контролируемая трещина вызывается изменением температуры на границе раздела эпитаксиальный слой/пластина исключительно термическими напряжениями из-за несоответствия теплового расширения между слоями эпитаксиального слоя. эпитаксиальный слой и подложка без необходимости применения какой-либо внешней механической силы или инструмента для содействия распространению трещины. Сообщалось, что этот процесс дает расщепление в одной атомной плоскости, что снижает потребность в полировке после отрыва и позволяет многократное повторное использование подложки до 10 раз.

3. Стандартный метод тестирования толщины и общей толщины кремниевой эпитаксиальной пластины.

В промышленности существует два основных метода проверки толщины и общей толщины кремниевой эпитаксии, включая измерение в дискретных точках и сканирующее измерение.

3.1 Проверка толщины кремниевой эпитаксиальной пластины с помощью измерения в дискретной точке

Толщина кремниевой эпитаксиальной пластины измерялась в центральной точке кремниевой пластины и в 4 симметричных точках по окружности на расстоянии 6 мм от края кремниевой пластины. Две точки расположены на диаметре 30° в направлении против часовой стрелки биссектрисы, перпендикулярной основной плоскости отсчета кремниевой эпипластины, а две другие точки расположены на другом диаметре, перпендикулярном диаметру (см. рис. 1). Центральная точка эпикремниевой пластины. Толщина считается номинальной толщиной эпитаксиальной кремниевой пластины. Разница между максимальной толщиной и минимальной толщиной среди пяти измерений толщины называется изменением общей толщины кремниевой пластины.

Рис. 1 Расположение точки измерения

3.2 Сканирование для измерения TTV кремниевой эпитаксиальной пластины

Кремниевая пластина поддерживается тремя полусферическими вершинами на эталонном кольце, а толщина измеряется в центральной точке кремниевой эпитаксиальной пластины. Измеренное значение представляет собой номинальную толщину кремниевой пластины. Затем сканируйте поверхность эпитаксии Si в соответствии с заданным шаблоном для измерения толщины, и автоматический индикатор показывает общее изменение толщины. Схема пути сканирования показана на рисунке 2.

Рис. 2 Путь сканирования

3.3 Интерференция при измерении TTV Si Epi пластины

Для дискретных точечных измерений общее изменение толщины дискретных точечных измерений основано только на данных измерения 5 точек, нерегулярные геометрические изменения других частей на эпитаксиальном слое кремниевой пластины не могут быть обнаружены. Локальное изменение определенной точки на кремниевой пластине может привести к ошибочным показаниям. Это локальное изменение может происходить из-за поверхностных дефектов, таких как сколы, загрязнения, бугры, ямки, следы от ножей, рябь и т. д.

Что касается сканирующего измерения, во время сканирования любое изменение базовой плоскости вызовет ошибку в значении индикации измерения, которая эквивалентна отклонению осевого вектора значения разности между максимальным и минимальным значениями на оси датчика. . Если это изменение произойдет, это может привести к вычислению экстремальных значений в неправильных местах. Непараллельность базовой плоскости и гранитной исходной плоскости также приведет к ошибке значения теста. Кроме того, посторонние частицы и загрязнения между эталонным кольцом и гранитной платформой могут вызвать ошибки.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.