Слиток кремния

Слиток кремния

Вы можете купить кремниевый слиток P-типа или N-типа у компании PAM-XIAMEN, которая занимается производством кремниевых слитков. Чтобы получить слиток монокристаллического кремния, кремниевый материал плавится в монокристаллической печи, а затем подвергается серии процессов для выращивания в стержни из монокристаллического кремния и последующей механической обработки стержней из монокристаллического кремния и, наконец, получения кристалла кремниевой були.

слиток кремния

1. Список слитков кремния

Номер слитка Диаметр слитка Тип, Ориентация Длина слитка (мм) Удельное сопротивление Продолжительность жизни Кол-во
ПАМ-СИАМЭНЬ-ИНГОТ-24 103.4 N111 167 15000 — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-ИНГОТ-25 103.5 N111 196 17000 — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-СЛИГОТ-62 105 N100 165 810 — 1
PAM-XIAMEN-INGOT-67 MC200 P110 243 0.313 3,51% 1
PAM-XIAMEN-INGOT-89 200 P110 186 1.61 10,56% 1
PAM-XIAMEN-INGOT-93 86 N100 76 4700 — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-ИНГОТ-94 82 N100 75 6800 — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-ИНГОТ-95 79 N100 102 13000 — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-СЛИГОТ-100 8 " — 300мм — — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-СЛИГОТ-108 4 " — 95мм — — 1
PAM-XIAMEN-INGOT-109 6 " — 252mm — — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-СЛИГОТ-113 2 " — 195мм — — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-СЛИГОТ-114 3 " — 95мм — — 1
ПАМ-СИАМЭНЬ-СЛИГОТ-127 Сторона А 140 мм и сторона В 170 мм — 100мм — — 1

2. Классификация кристаллов кремния по методу выращивания.

Монокристаллический кремний является очень важным материалом из кристаллического кремния. В соответствии с различными методами выращивания слитков кремния на заводе по производству слитков кремния его можно разделить на монокристаллический кремний зонной плавки и монокристаллический кремний Чохральского.

* Монокристалл кремния зонной плавки получают методом зонной плавки, поэтому его также называют монокристаллом кремния FZ. Слиток кремния FZ в основном используется в мощных устройствах и составляет лишь небольшую часть рынка монокристаллического кремния.

* Монокристаллический кремний Чохральского получают методом Чохральского, который называется монокристаллическим кремнием CZ. Слиток кремния CZ в основном используется в микроэлектронных интегральных схемах и солнечных элементах.

3. Отраслевые нормы для слитков кристаллического кремния CZ или FZ

Кремниевые слитки для солнечных, энергетических устройств или других областей отличаются высоким качеством и конкурентоспособной ценой. Более того, параметрыкристалл монокристаллического кремниясоответствовать установленным нормам. Кроме того, вы можете настроить чистоту слитка кремния.

3.1 Удельное сопротивление монокристалла кремния и срок службы носителя

Диапазон сопротивлений и время жизни неосновных носителей слитков высокоомного кремния FZ должны соответствовать требованиям следующей таблицы:

Тип проводимости добавка Диаметр/мм Диапазон удельного сопротивления/(Ом-см) Срок службы миноритарных перевозчиков/нас
p B 30~200 3 000~20 000 >500
n p 30~200 800~10 000 >1 000
Значение удельного сопротивления представляет собой удельное сопротивление монокристалла кремния, измеренное двумя датчиками.

 

Диапазон удельного сопротивления и изменение радиального удельного сопротивления слитка кристалла кремния от нас соответствуют требованиям, указанным в следующей таблице.

Срок службы слитка CZ Si должен определяться путем переговоров между поставщиком и покупателем.

Тип проводимости Легирующий элемент Диапазон сопротивления/(Ом-см) Изменение радиального удельного сопротивления б/%
<50,8 мм (100)/(111) 50,8 мм (100)/(111) 76,2 мм (100)/(111) 100 мм (100)/(111) 125 мм (100)/(111) 150 мм (100)/(111) 200 мм (100)
p B 0,001~0,1 ≤8 ≤8 ≤8 ≤6/≤6 ≤6/≤9 ≤5/≤8 ≤12
>0,1~60 ≤8 ≤8 ≤8 ≤8/≤9 ≤6/≤9 ≤5/≤8 ≤5
n P 0,001~0,1 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15/≤25 ≤15
>0,1~60 ≤12/≤20 ≤12/≤20 ≤12/≤20 ≤12/≤25 ≤12/≤25 ≤12/≤25 ≤15
n Sb ≤0.02 ≤12/20 ≤12/20 ≤12/20 ≤12/≤25 ≤10/≤25 ≤10/≤35 ≤12
В виде ≤0.006 ≤12/20 ≤12/20 ≤12/20 ≤12/≤25 ≤12/≤30 ≤12/≤30 ≤12

 

* Значение удельного сопротивления измеряется на поперечном сечении монокристалла кремния с использованием прямого четырехштырькового штыря;

* Величина радиального изменения удельного сопротивления измеряется на заданном торце слитка кремния прямым рядом из четырех игл.

3.2 Стандартный метод проверки ориентации слитка кремния

Отклонение ориентации кристалла CZ должно быть </= 2°, а отклонение ориентации кристалла слитка кремния FZ должно быть </=5°. Существует 2 основных метода проверки ориентации слитка кремния:

а) Метод ориентации по рентгеновской дифракции

Атомы слитка кремния, расположенные в трехмерной периодической кристаллической структуре, можно рассматривать как атомы, расположенные в ряду параллельных плоскостей с вертикальным расстоянием d в пространстве. Когда параллельный монохроматический рентгеновский луч падает на плоскость, а оптическая разность хода между соседними плоскостями рентгеновского излучения составляет целое число, кратное его длине волны, происходит дифракция (отражение).

б) Ориентация светового пятна

После того, как поверхность слитка кремния будет отшлифована и предпочтительно протравлена, появится множество крошечных ямок. Эти ямки ограничены плоскостью, относящейся к основному направлению булли материала, и эти граничные плоскости определяют форму ямок протравленной поверхности. Световая картина небольшой плоскости, состоящей из ямок, связана с кристаллографическим направлением измеряемой плоскости, поэтому световую картину можно использовать для определения кристаллографического направления поверхности и угла ее отклонения.

4. Другие сообщения о кремниевых слитках, пожалуйста, прочитайте:

1 ″ Слиток кремния FZ диаметром 25 мм

2-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 50 мм

Слитки кремния-1

Слитки кремния-2

Слитки кремния-3

Кристалл кремния типа P или N с ориентацией (100), (110) или (111)

 

Powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

2019-11-27

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Нитридная полупроводниковая пластина

Free-standing Gallium Nitride    Item No. Type Orientation Thickness   Grade Micro Defect Density Surface Usable area   　          N-Type     PAM-FS-GaN50-N 2″ N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN45-N dia.45mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN40-N dia.40mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN38-N dia.38mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN25-N dia.25.4mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN15-N 14mm*15mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN10-N 10mm*10.5mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN5-N 5mm*5.5mm, N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%     SEMI-INSULATING     PAM-FS-GaN50-SI 2″ N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN45-SI dia.45mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN40-SI dia.40mm,N type 0°±0.5° 300±25um A/B 0/<2/cm2 P/P or P/L >90%    PAM-FS-GaN38-SI dia.38mm,N [...]

2018-05-23мета-автор
Полупроводниковая пластина CZT

CZT Semiconductor Wafer CdZnTe Wafer Substrate-Cadmium Zinc Telluride Quantity Material Orientation. Size Thickness Polish Resistivity Type                Dopant FWHM PCS (mm) (μm) Ω·cm 　 　 1-100 CdZnTe N/A 10×10 1000 DSP >1E10 N @59.5keV<7% 1-100 CdZnTe N/A 10×10 2000 DSP >1E10 N @59.5keV<7% 1-100 CdZnTe (111) 10×10 500 SSP N/A P N/A 1-100 CdZnTe (211)B 10X10 800 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 10X10 500 lapping N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 10X10 500 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 20X20 800 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 20×20 5000 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 20×20 2000 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 20×20 3000 DSP N/A N/A N/A 1-100 CdZnTe N/A 3X3 2000 DSP N/A N/A N/A As a CZT semiconductor wafer supplier,we offer CZT semiconductor wafer list for your reference, if you need price detail, please contact our sales team Note: *** As manufacturer, we also accept small quantity for researcher or foundry. ***Delivery time: it depends on stock we have, if we have stock, we can ship to you soon.

2017-06-02мета-автор
Graphene Chemical Vapor Deposition System

We provide series of grapheme 2D systems for grapheme,CNT and other 2D material growth. and offer the most efficient Chemical Vapor Deposition (CVD) system for graphene growth (is compatible for both LPCVD and APCVD growth).  We also can adjust each of these standard systems [...]

2012-03-06мета-автор
Кремниевая пластина

Silicon Wafer Si wafer Substrate -Silicon Quantity Material Orientation. Diameter Thickness Polish Resistivity Type Dopant Nc Mobility EPD PCS (mm) (μm) Ω·cm 　 a/cm3 cm2/Vs /cm2 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b N/A N/A N/A 1-100 Si N/A 25.4 280 SSP 1-100 P/b (1-200)E16 N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525 N/A <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si with Oxide layer (100) 25.4 525±25 SSP <0.005 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 350-500 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 25.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.4 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 50.4 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si with electrodes (100) 50.8 400 N/A <0.05 N/p 1E14-1E15 N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275 SSP 1~10 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 275±25 SSP 1~10 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 350±15 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 430±15 SSP 5000-8000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 410±15 SSP 1~20 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (111) 50.8 400-500 SSP >5000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 525±25 SSP 1~50 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 SSP 1~10 N  P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 50.8 500±25 P/P >700 P/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 76.2 400±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 P/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 90 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 p-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 n-Si with 285 nm SiO2 (100) 76.2 500±25 P/E <0.05 N/ N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625 SSP >10000 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 SSP N/A N/P N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 320 SSP >2500ohm·cm P/b N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 N/A SSP 10~30 N/p N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 505±25 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 381 SSP 0.005-0.20 N/P-doped N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 525 DSP 1-100 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si (100) 100 625±25 SSP 0.001-0.004 N/A N/A N/A N/A 1-100 Si [...]

2012-03-06мета-автор
Superconductor Substrates

Superconductor Substrates Crystal Structure M.P. Density Thermal Expansion Dielectric constant Growth Tech. & max. size standard 1or 2 sides epi polished wafer oC g/ cm3   LSAT Cubic 1840 6.74 10 22 CZ 20x20x0.5mm (LaAlO3)0.3 -(Sr2AlTaO8)0.7 a=3.868 Å Ø35mm 10x10x0.5mm LaAlO3 Rhombo. 2100 6.51 9.2 24.5 CZ Ø3″x0.5mm a=3.790 Å Ø3″ Ø2″x0.5mm c=13.11 Å   Ø1″x0.5mm     10x10x0.5mm MgO Cubic 2852 3.58 12.8 9.8 Flux Ø2″x0.5mm a=4.21 Å Ø2″ 10x10x0.5mm NdGaO3 Orthor. 1600 7.57 7.8 25 CZ Ø2″x0.5mm a=5.43 Å Ø2″ 10x10x0.5mm b=5.50 Å     c=7.71 Å     SrTiO3 Cubic 2080 5.12 10.4 300 vernuil 10x10x0.5mm a=3.90 Å Ø30mm SrLaAlO4 Tetrag. 1650 16.8 CZ 10x10x0.5mm a=3.756 Å Ø20mm c=12.63 Å   YAlO3 Orthor. 1870 4.88 2 ~ 10 16`20 CZ 10x10x0.5mm a=5.176 Å b=5.307 Å Ø30mm c=7.355 Å   YSZ Cubic ~2500 5.8 10.3 27 Flux Ø2″x0.5mm a=5.125 Å Ø2″ 10x10x0.5m

2018-07-10мета-автор
Polished Silicon Wafer

PAM-XIAMEN can offer single side/double side polished silicon wafer or custom polished silicon wafer. More details, please refer to the table as follows: 1. Polished Silicon Wafer List In Stock, But Not Limited To The Following. Wafer No. Wafer Size Polished Type/Orientation Wafer Thickness(um) Resistivity(Ohm.Cm) Quantity(Pcs) PAM-XIAMEN-WAFER-#P1 2″ lapping — 430±20 <0.05 29 PAM-XIAMEN-WAFER-#P2 4″ Lapping FZ N111 220±10 50-60 500 PAM-XIAMEN-WAFER-#P3 4″ Lapping N100 230 26.4-33.75 119 PAM-XIAMEN-WAFER-#P4 4″ Lapping N 460 0.01-0.02 69 PAM-XIAMEN-WAFER-#P5 4″ Lapping N111 257 30-45 120 PAM-XIAMEN-WAFER-#P6 6″ Lapping N111 850±10 <1 74 PAM-XIAMEN-WAFER-#P7 6″ Lapping N111 835±5 <1 9 PAM-XIAMEN-WAFER-#P8 Φ25mmNo diffraction peak DSP 111 2150±25 >1 45 PAM-XIAMEN-WAFER-#P9 Φ15.9mmNo diffraction peak DSP 111 2150±25 >1 4 PAM-XIAMEN-WAFER-#P10 2″ SSP P100 400±15 1-5 175 PAM-XIAMEN-WAFER-#P11 2″ SSP P100 100±15 1-100 70 PAM-XIAMEN-WAFER-#P12 2″ SSP N100 425±25 <0.03 700 PAM-XIAMEN-WAFER-#P13 2″ SSP P111 500±15 10-20 5 PAM-XIAMEN-WAFER-#P14 2″ SSP P110 425±15 15-18 187 PAM-XIAMEN-WAFER-#P15 2″ DSP P100 50±15 1-100 28 PAM-XIAMEN-WAFER-#P16 2″ SSP P100 400±15 <0.0015 103 PAM-XIAMEN-WAFER-#P17 2″ SSP P100 430±20 <0.0015 7 PAM-XIAMEN-WAFER-#P18 2″ SSP P100 500±50 1-10 12 PAM-XIAMEN-WAFER-#P19 2″ SSP N111 280±15 1-100 22 PAM-XIAMEN-WAFER-#P20 2″ SSP N111 400±10 <0.01 7 PAM-XIAMEN-WAFER-#P21 2″ SSP N111 570 >220 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P22 2″ SSP N111 1300±15 1-50 100 PAM-XIAMEN-WAFER-#P23 2″ SSP N111 1500±15 1-50 40 PAM-XIAMEN-WAFER-#P24 2″ SSP N111 1400±15 1-50 6+1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P25 2″ SSP N110 400±15 9-15 125 PAM-XIAMEN-WAFER-#P26 2″ SSP N100 280±15 1-5（1-10） 17 PAM-XIAMEN-WAFER-#P27 2″ SSP N100 500±25 >10 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P28 2″ SSP N100 400±10 1-5 5 PAM-XIAMEN-WAFER-#P29 2″ SSP N100off<110>7° 430±10 >40 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P30 2″ DSP P100 280±15 <0.005 3 PAM-XIAMEN-WAFER-#P31 2″ DSP P100 370±20 >20 13 PAM-XIAMEN-WAFER-#P32 2″ DSP N100 1000±50 >10 6 PAM-XIAMEN-WAFER-#P33 3″ DSP P100 381±20 1-5 21 PAM-XIAMEN-WAFER-#P34 3″ SSP P111 375±25 <0.005 43 PAM-XIAMEN-WAFER-#P35 3″ SSP P110 380±10 0.08-0.1 181 PAM-XIAMEN-WAFER-#P36 3″ SSP P100 200±10 0.01-0.2 91 PAM-XIAMEN-WAFER-#P37 3″ SSP P100 380±20 1-15 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P38 3″ SSP P100 381±25 1-20 43 PAM-XIAMEN-WAFER-#P39 3″ SSP P100 381±25 0.001-0.005 14 PAM-XIAMEN-WAFER-#P40 3″ SSP P100 400±10 <0.05 250 PAM-XIAMEN-WAFER-#P41 3″ SSP P100 250±15 1-20 169 PAM-XIAMEN-WAFER-#P42 3″ SSP N100 300±15 5-8 8 PAM-XIAMEN-WAFER-#P43 3″ SSP N100 381±25 1-20 79 PAM-XIAMEN-WAFER-#P44 3″ SSP N100 381±20 <0.005 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P45 3″ SSP N111 230±20 2-5 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P46 3″ DSP P111 200±10 4-9 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P47 3″ DSP P100 381±10 >10 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P48 3″ DSP N100 350±20 1-5 20 PAM-XIAMEN-WAFER-#P49 3″ DSP N100 350±20 5-10 100 PAM-XIAMEN-WAFER-#P50 3″ DSP N100 381±20 4-9 18 PAM-XIAMEN-WAFER-#P51 3″ DSP N111 500±20 30-40 17 PAM-XIAMEN-WAFER-#P52 3″ DSP N111 230±10 1.5-3 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P53 3″ DSP N111 480±10 30-40 5 PAM-XIAMEN-WAFER-#P54 3″ DSP N100 200±10 1-10 80 PAM-XIAMEN-WAFER-#P55 3″ SSP N100 240±10 1-10 222 PAM-XIAMEN-WAFER-#P56 3″ SSP N100 250±15 1-10 169 PAM-XIAMEN-WAFER-#P57 3″ SSP N100 300±10 1-10 86 PAM-XIAMEN-WAFER-#P58 3″ SSP P100 320±10 1-10 24 PAM-XIAMEN-WAFER-#P59 3″ SSP P100 320±10 <0.0015 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P60 3″ SSP N100 200±10 1-10 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P61 3″ DSP N100 280±10 1-20 74 PAM-XIAMEN-WAFER-#P62 3″ DSP N111 500±20 8-40 275 PAM-XIAMEN-WAFER-#P63 4″ SSP N100 300±20 35-45 19 PAM-XIAMEN-WAFER-#P64 4″ SSP N100 350±15 10-12 23 PAM-XIAMEN-WAFER-#P65 4″ DSP P111 625±25 >15 17 PAM-XIAMEN-WAFER-#P66 4″ Lapping N100 280±5 0.01-0.001 14 PAM-XIAMEN-WAFER-#P67 4″ SSP — 510±10 — 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P68 4″ DSP P100 525±20 0.01-20 46 PAM-XIAMEN-WAFER-#P69 4″Etched DSP N111 275±5 50-65 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P70 4″ SSP P111 500±10 1-3 5 PAM-XIAMEN-WAFER-#P71 4″ SSP P111 380-420 8-13 91 PAM-XIAMEN-WAFER-#P72 4″ SSP P111 435-465 0.0075-0.009 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P73 4″ SSP P111 435-465 0.004-0.005-0.006 150 PAM-XIAMEN-WAFER-#P74 4″ SSP P111 435-465 0.006-0.0075 158 PAM-XIAMEN-WAFER-#P75 4″ SSP P111 435-465 10-20 17 PAM-XIAMEN-WAFER-#P76 4″ SSP P111 425-475 0.015-0.02 150 PAM-XIAMEN-WAFER-#P77 4″ SSP P111 425-475 0.01-0.015 125 PAM-XIAMEN-WAFER-#P78 4″ SSP P111 505-545 25-50 595 PAM-XIAMEN-WAFER-#P79 4″ SSP P111off3° 510-540 0.006-0.0075 68 PAM-XIAMEN-WAFER-#P80 4″ SSP P111off4° 510-540 0.0075-0.009 58 PAM-XIAMEN-WAFER-#P81 4″ SSP P111off3.5° 510-540 0.004-0.006 111 PAM-XIAMEN-WAFER-#P82 4″ SSP P111 510-540 0.01-0.015 101 PAM-XIAMEN-WAFER-#P83 4″ SSP P111 510-540 10-20 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#P84 4″ SSP P111 510-540 0.009-0.01 4 PAM-XIAMEN-WAFER-#P85 4″ SSP P111off110 2.5° 450±15 12-13 138 PAM-XIAMEN-WAFER-#P86 4″ SSP P111 450±10 <0.01 150 PAM-XIAMEN-WAFER-#P87 4″ SSP P111 500-525 <0.01 750 PAM-XIAMEN-WAFER-#P88 4″ SSP P111 500-525 5-10 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P89 4″ SSP P111 525±20 5-10 8 PAM-XIAMEN-WAFER-#P90 4″ SSP P100 300±25 0.001-0.005 22 PAM-XIAMEN-WAFER-#P91 4″ SSP P100 325-375 1-20 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#P92 4″ DSP P100 >380 25.5-42.5 22 PAM-XIAMEN-WAFER-#P93 4″ SSP P100 405-435 25.5-42.5 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P94 4″ SSP N100 365-405 2.7-4 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P95 4″ SSP P100 430-470 9.6-14.4 6 PAM-XIAMEN-WAFER-#P96 4″ SSP P100 500±10 0.04-0.5 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P97 4″ SSP P100 500±20 1-10 60 PAM-XIAMEN-WAFER-#P98 4″ SSP，MCZ P100 280±10 1-10 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P99 4″ SSP P100 525±15 2-15 22 PAM-XIAMEN-WAFER-#P100 4″ SSP P100 500±75 10-20 158 PAM-XIAMEN-WAFER-#P101 4″ SSP P100 505-545 8-12 22 PAM-XIAMEN-WAFER-#P102 4″ SSP P100 525±15 1-10 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P103 4″ SSP P100 500-550 1-30 19 PAM-XIAMEN-WAFER-#P104 4″ SSP P100 525±25 <0.005 2 PAM-XIAMEN-WAFER-#P105 4″ SSP P100 525±20 1-3 25+16 PAM-XIAMEN-WAFER-#P106 4″ SSP P100 525±25 2-6 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#P107 4″ SSP P100 525±25 0.001-0.002 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P108 4″ SSP P100 525±15 0.015-0.02 14 PAM-XIAMEN-WAFER-#P109 4″ Lapping P100 550-575 5-10 118 PAM-XIAMEN-WAFER-#P110 4″ SSP P100 585-635 — 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#P111 4″ SSP P100 525±25 0.1-10 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P112 4″ SSP P100 500±15 1-30 625 PAM-XIAMEN-WAFER-#P113 4″ SSP P100 525±25 4-6 23 PAM-XIAMEN-WAFER-#P114 4″ SSP P100 525±15 <1 8 PAM-XIAMEN-WAFER-#P115 4″ SSP P100 525±25 1-100 57 PAM-XIAMEN-WAFER-#P116 4″ SSP P100 400 0.01-0.02 11 PAM-XIAMEN-WAFER-#P117 4″ SSP P100 600±25 1-60 100 PAM-XIAMEN-WAFER-#P118 4″ SSP P100 950-1050 10-20 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#P119 4″ SSP P100 700±20 1-80 10 PAM-XIAMEN-WAFER-#P120 4″ DSP N111 275±20 1-5 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P121 4″ DSP N111/As 280±10 0.002-0.003 7 PAM-XIAMEN-WAFER-#P122 4″ SSP N111 400-440 0.005-0.02 195 PAM-XIAMEN-WAFER-#P123 4″ SSP N111 425-475 0.007-0.02 161 PAM-XIAMEN-WAFER-#P124 4″ SSP N111 435-465 0.01-0.02 250 PAM-XIAMEN-WAFER-#P125 4″ SSP N111 435-465 0.003-0.004 81 PAM-XIAMEN-WAFER-#P126 4″ SSP N111 435-465 0.0018-0.004 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P127 4″ SSP N111/Sb 435-465 0.01-0.015 152 PAM-XIAMEN-WAFER-#P128 4″ SSP N111 450±25 50-90 5 PAM-XIAMEN-WAFER-#P129 4″ SSP N111 450-460 2-3 2 PAM-XIAMEN-WAFER-#P130 4″ SSP N111 480 <0.02 38 PAM-XIAMEN-WAFER-#P131 4″ SSP N111 300±15 40-45 100 PAM-XIAMEN-WAFER-#P132 4″ SSP N111 350±10 45-50 953 PAM-XIAMEN-WAFER-#P133 4″ SSP N111 350±10 50-55 141 PAM-XIAMEN-WAFER-#P134 4″ SSP N111 510-540 <60 412 PAM-XIAMEN-WAFER-#P135 4″ SSP N111 525±15 1-10 7 PAM-XIAMEN-WAFER-#P136 4″ SSP N111 950±25 10-200 68 PAM-XIAMEN-WAFER-#P137 4″ SSP N111 280±15 0.001-0.004 118 PAM-XIAMEN-WAFER-#P138 4″ SSP N111/As 350±25 0.001-0.005 24 PAM-XIAMEN-WAFER-#P139 4″ SSP N100 260±15 1-5 9 PAM-XIAMEN-WAFER-#P140 4″ SSP N100 300±20 2.5-5 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P141 4″ SSP N100 300±25 0.001-0.005 17 PAM-XIAMEN-WAFER-#P142 4″ SSP N100 335-365 4-5-6 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P143 4″ SSP N100 330-370 2.5-5 11 PAM-XIAMEN-WAFER-#P144 4″ SSP N100 365-405 2-2.7 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P145 4″ SSP N100 400 — 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P146 4″ SSP N100 420-480 2-4 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P147 4″ SSP N100 415-455 4-7 14 PAM-XIAMEN-WAFER-#P148 4″ SSP N100 430-470 2-7 14 PAM-XIAMEN-WAFER-#P149 4″ SSP N100 420-580 2-50 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P150 4″ SSP N100 450±15 0.01-0.015 20 PAM-XIAMEN-WAFER-#P151 4″ SSP N100 475±25 500-700 16 PAM-XIAMEN-WAFER-#P152 4″ DSP N100 1100±25 1-10 16 PAM-XIAMEN-WAFER-#P153 4″ SSP N100 500-525 5-10 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P154 4″ SSP N100 525±15 1-10 9 PAM-XIAMEN-WAFER-#P155 4″ SSP N100 470±10 1-30/15 49 PAM-XIAMEN-WAFER-#P156 4″ SSP N100 490um 0.01-0.02 18 PAM-XIAMEN-WAFER-#P157 4″ SSP N100 505-545 0.8-1.2 32 PAM-XIAMEN-WAFER-#P158 4″ SSP N100 500±10 <0.05 19 PAM-XIAMEN-WAFER-#P159 4″ SSP N100 500±10 0.5-0.9 27 PAM-XIAMEN-WAFER-#P160 4″ SSP N100 500-550 20-30 100 PAM-XIAMEN-WAFER-#P161 4″ SSP N100 525±25 4-6 92 PAM-XIAMEN-WAFER-#P162 4″ SSP N100 525±25 5-10 6 PAM-XIAMEN-WAFER-#P163 4″ SSP N100 500±25 1-10 19 PAM-XIAMEN-WAFER-#P164 4″ DSP P100 500±25 0.01-0.02 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P165 4″ SSP N100 525±15 0.5-1 12 PAM-XIAMEN-WAFER-#P166 4″ SSP N100 525±25 2-5 7 PAM-XIAMEN-WAFER-#P167 4″ DSP N100 525±25 <0.01 87 PAM-XIAMEN-WAFER-#P168 4″ SSP N100 625±25 10-20 87 PAM-XIAMEN-WAFER-#P169 4″ SSP N100 525±25 1-10 49 PAM-XIAMEN-WAFER-#P170 4″ SSP N100 475-575 1-20 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P171 4″ SSP N100 525±25 0.1-1 2 PAM-XIAMEN-WAFER-#P172 4″ SSP N100 400±25 1-2 56 PAM-XIAMEN-WAFER-#P173 4″ SSP N100 505-545 0.8-1.2 13 PAM-XIAMEN-WAFER-#P174 4″ DSP P100 200±25 <0.0015 20 PAM-XIAMEN-WAFER-#P175 4″ DSP P111 200±15 0.012-0.006 45 PAM-XIAMEN-WAFER-#P176 4″ DSP P111 230±20 3-8 71 PAM-XIAMEN-WAFER-#P177 4″ SSP P111 525±25 8-20 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P178 4″ DSP P100 300±10 5-10 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P179 4″ DSP P100 300±20 0.01-0.02 2 PAM-XIAMEN-WAFER-#P180 4″ DSP P100 380±15 0.1-0.5 13 PAM-XIAMEN-WAFER-#P181 4″ DSP P100 290-310 0.1-0.3 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P182 4″ DSP P100 380±15 1-10 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P183 4″ Lapping P100 525±15 1-10 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P184 4″ DSP P100 500±10 <0.05 5 PAM-XIAMEN-WAFER-#P185 4″ DSP P100 700±15 1-100 2 PAM-XIAMEN-WAFER-#P186 4″ DSP P100 925±20 1-10 22 PAM-XIAMEN-WAFER-#P187 4″ DSP N100 250±10 <0.007 24 PAM-XIAMEN-WAFER-#P188 4″ DSP N100 250±25 0.001-0.005 57 PAM-XIAMEN-WAFER-#P189 4″ DSP N100 360-390 3-7 70 PAM-XIAMEN-WAFER-#P190 4″ DSP N100 375±10 3.5-7 39 PAM-XIAMEN-WAFER-#P191 4″ DSP N100 400±25 0.001-0.005 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P192 4″ DSP N100 750±20 2-10 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P193 4″ DSP N100 875-925 1-15 445 PAM-XIAMEN-WAFER-#P194 4″ DSP N111 190-195 3-3.5 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P195 4″ DSP N111 185-190 3-3.5 2 PAM-XIAMEN-WAFER-#P196 4″ DSP N111 190-195 2.4-3 62 PAM-XIAMEN-WAFER-#P197 4″ DSP N111 190-195 1.7-2.4 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P198 4″ DSP N111 260±10 35-40 62 PAM-XIAMEN-WAFER-#P199 4″ DSP N111 260±10 40-45 37 PAM-XIAMEN-WAFER-#P200 4″ DSP N111 505-545 90-120 9 PAM-XIAMEN-WAFER-#P201 4″ DSP N111 530±20 1-50 15 PAM-XIAMEN-WAFER-#P202 5″ DSP P100 600±15 >5 20 PAM-XIAMEN-WAFER-#P203 5″ SSP P100 600±5 >5 66 PAM-XIAMEN-WAFER-#P204 5″ SSP P100 510-540 0.01-0.02 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P205 5″ SSP N100 625±25 1-100 600 PAM-XIAMEN-WAFER-#P206 6″ SSP — 450±20 — 125 PAM-XIAMEN-WAFER-#P207 6″ SSP P100 360-400 0.0025-0.005 150 PAM-XIAMEN-WAFER-#P208 6″ SSP P100 650±50 0.1-100 600 PAM-XIAMEN-WAFER-#P209 6″ SSP P100 400±10 8-12 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P210 6″ SSP P100 575±25 10-20 125 PAM-XIAMEN-WAFER-#P211 6″ SSP P100 575±25 20-30 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P212 6″ SSP P100 585-640 10-20 18 PAM-XIAMEN-WAFER-#P213 6″ SSP P100 625±15 1-50 178 PAM-XIAMEN-WAFER-#P214 6″ SSP P100 675±25 0.01-0.02 4 PAM-XIAMEN-WAFER-#P215 6″ SSP 100 625±25 >0.1 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P216 6″ SSP P100 625±25 1-5 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P217 6″ SSP P100 625±25 1-100 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P218 6″ SSP P100 625±25 15-25 24 PAM-XIAMEN-WAFER-#P219 6″ SSP P100 625±20 2-6 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P220 6″ SSP P100 625±15 10-20 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P221 6″ SSP P100 675±25 10-20 52 PAM-XIAMEN-WAFER-#P222 6″ Lapping P100 700±25 1-50 88 PAM-XIAMEN-WAFER-#P223 6″ SSP P100 525 0.5-100 18 PAM-XIAMEN-WAFER-#P224 6″ SSP P100 610-640 25-50 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P225 6″ SSP P100 575-675 8-12/1-20 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P226 6″ SSP P100 610-640(655-695) 18-25 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P227 6″ SSP P100 660-690 11.5-15.5 375 PAM-XIAMEN-WAFER-#P228 6″ SSP P100 660-690 16-22 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P229 6″ SSP P100 625±15 0.04-0.5 82 PAM-XIAMEN-WAFER-#P230 6″ SSP P100 900±25 <0.0015 20 PAM-XIAMEN-WAFER-#P231 6″ SSP P111 625±15 8-13 295 PAM-XIAMEN-WAFER-#P232 6″ SSP P100 675±25 0.1-100 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P233 6″ SSP N111 625±25 0.0007-0.0018 400 PAM-XIAMEN-WAFER-#P234 6″ SSP N111 950±25 10-200 5 PAM-XIAMEN-WAFER-#P235 6″ SSP N111 400±15 15-40 47 PAM-XIAMEN-WAFER-#P236 6″ SSP N100 450±15 >40 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P237 6″ SSP N100 450±20 <0.01 45 PAM-XIAMEN-WAFER-#P238 6″ SSP N100 460±20 1-100 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P239 6″ SSP N100 510±10 6-8 180 PAM-XIAMEN-WAFER-#P240 6″ SSP N100 600-640 0.002-0.02 19 PAM-XIAMEN-WAFER-#P241 6″ SSP N100 600-650 0.01-0.02 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P242 6″ SSP N100 625±25 1-10 24 PAM-XIAMEN-WAFER-#P243 6″ SSP N100 625±25 1-100 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P244 6″ SSP N100 625±20 2-2.7 2 PAM-XIAMEN-WAFER-#P245 6″ SSP N100 625±25 1-100 86 PAM-XIAMEN-WAFER-#P246 6″ SSP N100 625±15 0.015-0.02 20 PAM-XIAMEN-WAFER-#P247 6″ SSP N100/Sb 625±15 0.008-0.02 124 PAM-XIAMEN-WAFER-#P248 6″ SSP N100/Sb 625±15 0.008-0.02 225 PAM-XIAMEN-WAFER-#P249 6″ SSP P 600，350 — 30 PAM-XIAMEN-WAFER-#P250 6″ SSP N100 625±20 1.5-4.5 22 PAM-XIAMEN-WAFER-#P251 6″ DSP P100 1000±25 1-10 49 PAM-XIAMEN-WAFER-#P252 6″ SSP N100 625±25 0.01-0.02 100 PAM-XIAMEN-WAFER-#P253 6″ SSP N100 675±50 1-5 125 PAM-XIAMEN-WAFER-#P254 6″ SSP N100 625±25 0.008-0.02 375 PAM-XIAMEN-WAFER-#P255 6″ SSP N100 500±50 1-100 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P256 6″ SSP P111 700 1-40 89 PAM-XIAMEN-WAFER-#P257 6″ DSP P111 675±50 10-20 27 PAM-XIAMEN-WAFER-#P258 6″ DSP P100 1000±25 <0.0015 24 PAM-XIAMEN-WAFER-#P259 6″ DSP P100 620±20 1-25 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P260 6″ DSP P100 380±10 15-25 4 PAM-XIAMEN-WAFER-#P261 6″ DSP N111 455-495 10-100 69 PAM-XIAMEN-WAFER-#P262 6″ DSP N111 500±25 40-100 105 PAM-XIAMEN-WAFER-#P263 6″ SSP N100/Sb 625±15 0.01-0.02 192 PAM-XIAMEN-WAFER-#P264 6″ DSP P100 1500 1-20 192 PAM-XIAMEN-WAFER-#P265 8″ SSP，dummy N100 725±25 <0.05 171 PAM-XIAMEN-WAFER-#P266 8″ SSP P100 725±25 1-100 75 PAM-XIAMEN-WAFER-#P267 8″ SSP N100 >710 — 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P268 8″ SSP N100 725±25 1-100 10 PAM-XIAMEN-WAFER-#P269 8″ SSP N100 725±25 1-100 13 PAM-XIAMEN-WAFER-#P270 2″ SSP P100 675±15 1-100 27 PAM-XIAMEN-WAFER-#P271 8″ SSP N100 725±50 4-7 23 PAM-XIAMEN-WAFER-#P272 8″Lapping SSP N100 730±10 1.5-4.5 71 PAM-XIAMEN-WAFER-#P273 8″Lapping SSP N100 740±10 1.5-4.5 72 PAM-XIAMEN-WAFER-#P274 8″Lapping SSP N100 740±10 10-20 9 PAM-XIAMEN-WAFER-#P275 8″ SSP N100 1000±15 0.1-100 2 PAM-XIAMEN-WAFER-#P276 8″ — — — — 24 PAM-XIAMEN-WAFER-#P277 8″ SSP P100 725±25 <0.012 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P278 8″ SSP，Prime P111 1150±25 0.01-0.02 13 PAM-XIAMEN-WAFER-#P279 8″ SSP P111 1150±20 0.005-0.01 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P280 8″ SSP P111 1350±25 0.01-0.02 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P281 8″ SSP P100 1000±25 1-30 3 PAM-XIAMEN-WAFER-#P282 8″ SSP N100 725±15 <0.001 100 PAM-XIAMEN-WAFER-#P283 8″ SSP N100 725±25 3-5 7 PAM-XIAMEN-WAFER-#P284 8″ SSP N100 625±15 0.003-0.004 14 PAM-XIAMEN-WAFER-#P285 8″ SSP N100 625±15 7-21 16 PAM-XIAMEN-WAFER-#P286 8″ SSP，MCZ N100 725±25 1-10 13 PAM-XIAMEN-WAFER-#P287 8″ SSP N100 625±15 3-25 1 PAM-XIAMEN-WAFER-#P288 2″ SSP P100 250±10 <0.01 8 PAM-XIAMEN-WAFER-#P289 6″ SSP — 500±25 — 24 PAM-XIAMEN-WAFER-#P290 6″ DSP P100 675±15 0.01-0.02 14 PAM-XIAMEN-WAFER-#P291 6″ SSP N100 625±20 1-10 150 PAM-XIAMEN-WAFER-#P292 6″ DSP N110 625±25 1-10 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P293 6″ SSP P100 585-725 0-25 25 PAM-XIAMEN-WAFER-#P294 6″ SSP P100 625±15 1-50 100 PAM-XIAMEN-WAFER-#P295 6″ DSP N100 600±25 1-50 23 PAM-XIAMEN-WAFER-#P296 2″ SSP P111 350±25 1-100 23 PAM-XIAMEN-WAFER-#P297 4″ DSP N100 2000±25 20-30 133 PAM-XIAMEN-WAFER-#P298 2″ DSP P111 279±15 0.08-0.12 50 PAM-XIAMEN-WAFER-#P299 Φ25mmNo diffraction peak Lapping — 2mm — 102 PAM-XIAMEN-WAFER-#P300 2″ SSP P100 280±15 1-10 350 PAM-XIAMEN-WAFER-#P301 Φ20mmNo [...]

2019-11-27мета-автор