Cz монокристаллического кремния

PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.

  • Описание

Описание продукта

PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.

1. Specifications for CZ Monocrystalline Silicon Wafers

Тип Проводимость Тип Ориентация Диаметр (мм) Проводимость (Ω • см)
CZ Н & Р <100> <110> и <111> 76.2-200 1-300
MCZ Н & Р <100> <110> и <111> 76.2-200 1-300
Тяжелые легирование Н & Р <100> <110> и <111> 76.2-200 0.001-1
  Диаметр (мм) Толщина (мкм)
вафля 76.2-200 ≥160

 

2. Classification of CZ Monocrystalline Silicon Wafer

2.1 CZ-Кремний

Сильно / слабо-легированныйCZ моно-кристаллического кремния is suitable for fabrication of various integrated circuits (IC), diodes, triodes, green-energy solar panel. During the monocrystalline silicon production, the special elements (such as Ga, Ge) can be added to produce the high-efficiency, radiation-resistant and anti-degenerating solar cell materials for special components.

CZ сильно легированного кристалла

Adopting the special doping device and CZ monocrystalline silicon wafer technology, the heavily-doped (P, Sb, As) CZ monocrystalline silicon thin film with very low resistivity can be produced, is mainly used as the lining material for epitaxial wafers, and is used to produce the special electronic devices for LSI switch power supplies, Schottky diodes and field-control high-frequency power electronic devices.

<110> Special orientation CZ-silicon

The <110> монокристаллического кремния has the original orientation <110>, the further processing for orientation adjustment is unnecessary; the <110>monocrystalline silicon crystal structure has the perfect characteristics, and low oxygen & carbon contents, is a new solar cell material and can be used the new generation cell material.

2.2 MCZ-Monocrystalline Silicon

The magnetic-field is used in the czochralski process to produce the CZ mono-crystalline silicon wafers with the characteristics of low oxygen content and high resistivity uniformity; the MCZкремнийподходят для производства кремниевых материалов для различных интегральных схем, дискретных устройств и с низким содержанием кислорода солнечных батарей.

Наши преимущества на первый взгляд

1.Advanced оборудование роста эпитаксии и испытательное оборудование.

2.Offer самого высокого качества с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности.

3.Strong поддержки научно-исследовательской группы и технической поддержки для наших клиентов

 

4 "CZ Prime кремниевой пластины Толщина = 200 ± 25 мкм-1

4 "CZ Prime кремниевой пластины Толщина = 200 ± 25 мкм-2

4 "CZ Prime кремниевой пластины Толщина = 200 ± 25 мкм-3

4 "CZ премьер кремниевой пластины толщиной 525 ± 25 мкм

4 "CZ Prime кремний вафельной Толщина 525 ± 25 мкм

4 "CZ премьер кремниевой пластины толщиной 525 ± 25 мкм-2

4 "CZ премьер кремниевой пластины толщиной 525 ± 25 мкм-3

4 "CZ премьер кремниевой пластины толщиной 525 ± 25 мкм-4

4 "CZ Prime кремний вафельной Толщина 1500 ± 25 мкм

4 "CZ Prime кремний вафельной Толщина 200um.

8″CZ Prime Silicon Wafer

8″CZ Prime Silicon Wafer-1

8″CZ Prime Silicon Wafer-2

6″CZ Prime Silicon Wafer

6″CZ Prime Silicon Wafer-1

6″CZ Prime Silicon Wafer-2

6″CZ Prime Silicon Wafer-3

6″ CZ Si Wafer

6″ CZ Silicon Wafer

4 "CZ Prime кремния вафельные

4 "CZ Prime Silicon Вафли-2

4 "CZ Prime Silicon Вафли-3

4 "CZ Prime кремния вафельные

4 "CZ Prime Silicon Вафли-2

4″CZ Prime Silicon Wafer-6

4″CZ Prime Silicon Wafer-7

4″CZ Prime Silicon Wafer-8

4″CZ Prime Silicon Wafer-9

4″CZ Prime Silicon Wafer-10

4″CZ Prime Silicon Wafer-11

4″CZ Prime Silicon Wafer-12

4″CZ Prime Silicon Wafer-13

4″CZ Prime Silicon wafer-14

4″CZ Prime Silicon wafer-15

4″CZ Prime Silicon wafer-16

2″CZ Prime Silicon Wafer

2″CZ Prime Silicon Wafer-1

2″CZ Prime Silicon Wafer-2

2″CZ Prime Silicon Wafer-3

2″CZ Prime Silicon Wafer-4

3″CZ Prime Silicon Wafer

3″CZ Prime Silicon Wafer-1

6 "CZ Prime вафельные 1

12-дюймовые кремниевые пластины 300 мм TOX (кремниевая пластина термического окисления)

12 "Prime Grade Silicon вафельные

4 "CZ эпитаксиальные Prime Silicon Вафли-3

2″ Silicon Oxide Wafer

3″ Silicon Oxide Wafer

4″ Silicon Oxide Wafer

3″ CZ Si Lapped Wafer

8″ CZ Silicon Wafer SSP

Вам также может понравиться ...