Cz монокристаллического кремния

PAM-XIAMEN, производитель объемного монокристаллического кремния, может предложить пластины монокристаллического кремния <100>, <110> и <111> с добавкой N&P размером 76,2 ~ 200 мм, выращенные методом CZ. Метод Чохральского - это метод выращивания кристаллов, называемый методом CZ. Он интегрирован в систему нагрева с прямыми трубками, нагревается за счет сопротивления графита, плавит поликремний, содержащийся в кварцевом тигле высокой чистоты, а затем вставляет затравочный кристалл в поверхность расплава для сварки. После этого вращающийся затравочный кристалл опускается и плавится. В тело проникают и прикасаются, постепенно поднимают и завершают или вытягивают через этапы шейки, шейки, плеча, контроля равного диаметра и завершения.

  • Описание

Описание продукта

PAM-XIAMEN, производитель объемного монокристаллического кремния, может предложить пластины монокристаллического кремния <100>, <110> и <111> с добавкой N&P размером 76,2 ~ 200 мм, выращенные методом CZ. Метод Чохральского - это метод выращивания кристаллов, называемый методом CZ. Он интегрирован в систему нагрева с прямыми трубками, нагревается за счет сопротивления графита, плавит поликремний, содержащийся в кварцевом тигле высокой чистоты, а затем вставляет затравочный кристалл в поверхность расплава для сварки. После этого вращающийся затравочный кристалл опускается и плавится. В тело проникают и прикасаются, постепенно поднимают и завершают или вытягивают через этапы шейки, шейки, плеча, контроля равного диаметра и завершения.

1. Specifications for CZ Monocrystalline Silicon Wafers

Тип Проводимость Тип Ориентация Диаметр (мм) Проводимость (Ω • см)
CZ Н & Р <100> <110> и <111> 76.2-200 1-300
MCZ Н & Р <100> <110> и <111> 76.2-200 1-300
Тяжелые легирование Н & Р <100> <110> и <111> 76.2-200 0.001-1
  Диаметр (мм) Толщина (мкм)
вафля 76.2-200 ≥160

 

2. Classification of CZ Monocrystalline Silicon Wafer

2.1 CZ-Кремний

Сильно / слабо-легированныйCZ моно-кристаллического кремния is suitable for fabrication of various integrated circuits (IC), diodes, triodes, green-energy solar panel. During the monocrystalline silicon production, the special elements (such as Ga, Ge) can be added to produce the high-efficiency, radiation-resistant and anti-degenerating solar cell materials for special components.

CZ сильно легированного кристалла

Adopting the special doping device and CZ monocrystalline silicon wafer technology, the heavily-doped (P, Sb, As) CZ monocrystalline silicon thin film with very low resistivity can be produced, is mainly used as the lining material for epitaxial wafers, and is used to produce the special electronic devices for LSI switch power supplies, Schottky diodes and field-control high-frequency power electronic devices.

<110> Special orientation CZ-silicon

The <110> монокристаллического кремния has the original orientation <110>, the further processing for orientation adjustment is unnecessary; the <110>monocrystalline silicon crystal structure has the perfect characteristics, and low oxygen & carbon contents, is a new solar cell material and can be used the new generation cell material.

2.2 MCZ-Monocrystalline Silicon

The magnetic-field is used in the czochralski process to produce the CZ mono-crystalline silicon wafers with the characteristics of low oxygen content and high resistivity uniformity; the MCZкремнийподходят для производства кремниевых материалов для различных интегральных схем, дискретных устройств и с низким содержанием кислорода солнечных батарей.

Наши преимущества на первый взгляд

1.Advanced оборудование роста эпитаксии и испытательное оборудование.

2.Offer самого высокого качества с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности.

3.Strong поддержки научно-исследовательской группы и технической поддержки для наших клиентов

 

4 "CZ Prime кремниевой пластины Толщина = 200 ± 25 мкм-1

4 "CZ Prime кремниевой пластины Толщина = 200 ± 25 мкм-2

4 "CZ Prime кремниевой пластины Толщина = 200 ± 25 мкм-3

4 "CZ премьер кремниевой пластины толщиной 525 ± 25 мкм

4 "CZ Prime кремний вафельной Толщина 525 ± 25 мкм

4 "CZ премьер кремниевой пластины толщиной 525 ± 25 мкм-2

4 "CZ премьер кремниевой пластины толщиной 525 ± 25 мкм-3

4 "CZ премьер кремниевой пластины толщиной 525 ± 25 мкм-4

4 "CZ Prime кремний вафельной Толщина 1500 ± 25 мкм

4 "CZ Prime кремний вафельной Толщина 200um.

8″CZ Prime Silicon Wafer

8″CZ Prime Silicon Wafer-1

8″CZ Prime Silicon Wafer-2

6″CZ Prime Silicon Wafer

6″CZ Prime Silicon Wafer-1

6″CZ Prime Silicon Wafer-2

6″CZ Prime Silicon Wafer-3

6″ CZ Si Wafer

6″ CZ Silicon Wafer

4 "CZ Prime кремния вафельные

4 "CZ Prime Silicon Вафли-2

4 "CZ Prime Silicon Вафли-3

4 "CZ Prime кремния вафельные

4 "CZ Prime Silicon Вафли-2

4″CZ Prime Silicon Wafer-6

4″CZ Prime Silicon Wafer-7

4″CZ Prime Silicon Wafer-8

4″CZ Prime Silicon Wafer-9

4″CZ Prime Silicon Wafer-10

4″CZ Prime Silicon Wafer-11

4″CZ Prime Silicon Wafer-12

4″CZ Prime Silicon Wafer-13

4″CZ Prime Silicon wafer-14

4″CZ Prime Silicon wafer-15

4″CZ Prime Silicon wafer-16

2″CZ Prime Silicon Wafer

2 "CZ Prime кремния вафельные-1

2″CZ Prime Silicon Wafer-2

2″CZ Prime Silicon Wafer-3

2″CZ Prime Silicon Wafer-4

3″CZ Prime Silicon Wafer

3″CZ Prime Silicon Wafer-1

6 "CZ Prime вафельные 1

12 ″ силиконовые пластины 300 мм TOX (кремниевые пластины термического окисления)

12 "Prime Grade Silicon вафельные

4 "CZ эпитаксиальные Prime Silicon Вафли-3

2″ Silicon Oxide Wafer

3″ Silicon Oxide Wafer

4″ Silicon Oxide Wafer

3″ CZ Si Lapped Wafer

8-дюймовая силиконовая пластина CZ SSP

Вам также может понравиться ...