Float-Zone монокристаллического кремния

Float-Zone монокристаллического кремния

PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с плавающей зоной, которую получают методом плавающей зоны. Стержни из монокристаллического кремния получают путем выращивания в плавающей зоне, а затем обрабатывают стержни из монокристаллического кремния в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами в плавающей зоне. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не находится в контакте с кварцевым тиглем во время процесса кремния с плавающей зоной, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе плавки кремния с плавающей зоной. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.

  • Описание

Описание продукта

PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с плавающей зоной, которую получают методом плавающей зоны. Стержни из монокристаллического кремния получают путем выращивания в плавающей зоне, а затем обрабатывают стержни из монокристаллического кремния в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами в плавающей зоне. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не находится в контакте с кварцевым тиглем во время процесса кремния с плавающей зоной, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе плавки кремния с плавающей зоной. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.

1. Float zone silicon wafer specification 

ype Проводимость Тип Ориентация Диаметр (мм) Проводимость (Ω • см)
высокое сопротивление Н & Р <100> и <111> 76.2-200 >1000
NTD N <100> и <111> 76.2-200 30-800
CFZ Н & Р <100> и <111> 76.2-200 1-50
GD Н & Р <100> и <111> 76.2-200 0.001-300

1.1 Floating zone silicon wafer specification

Слиток Параметр Предмет Описание
Способ выращивания ФЗ
Ориентация <111>
Офф-ориентации 4 ± 0,5 градуса до ближайшей <110>
Тип / легирующей P / Бор
удельное сопротивление 10-20 W.cm
RRV ≤15% (макс кр-Сеп) / Сеп

 

1.2 FZ silicon wafer specification

meter Пункт Описание
Диаметр 150 ± 0,5 мм
Толщина 675 ± 15 мкм
Первичная плоская Длина 57,5 ± 2,5 мм
Первичная плоская Ориентация <011> ± 1 градус
Вторичная плоская Длина Ни один
Secondary Квартира Ориентация Ни один
TTV ≤5 мкм
Лук ≤40 мкм
деформироваться ≤40 мкм
Край профиля SEMI Стандартный
передняя Поверхностный Химико-Mechenical Полировка
LPD ≥0.3 гм @ ≤15 шт
Задняя поверхность кислота гравированный
Пограничный Chips Ни один
Пакет Вакуумная упаковка; Внутренний пластик, Внешний алюминиевый

 

2. Float-zone mono-crystalline silicon classifications

2.1 FZ-Silicon

The mono-crystalline silicon with the characteristics of low foreign-material content, low defect density and perfect crystal structure is produced with the float zone silicon process; no foreign material is introduced during the float zone silicon crystal growth. The FZ-Кремний conductivity is usually above 1000 Ω-cm, and such a high resistivity float zone silicon is mainly used to produce the high inverse-voltage elements and photoelectronic devices. It also can be used for dry etching process. 

2.2 NTDFZ-Silicon

The mono-crystalline silicon with high-resistivity and uniformity can be achieved by neutron irradiation of FZ-silicon, to ensure the yield and uniformity of produced elements, and is mainly used to produce the silicon rectifier (SR), silicon control (SCR), giant transistor (GTR), gate-turn-off thyristor (GTO), static induction thyristor (SITH), insulate-gate bipolar transistor (IGBT), extra HV diode (PIN), smart power and power IC, etc; it is the main functional material for various frequency converters, rectifiers, large-power control elements, new power electronic devices, detectors, sensors, photoelectronic devices and special power devices.

Кремниевая пластина FZ NTD с однородной концентрацией легирования

2.3 GDFZ-Silicon

Utilizing the foreign-material diffusion mechanism, add the gas-phase foreign-material during the floating zone monocrystalline silicon process, to solve the doping problem of float-zone process from the root, and to get the GDFZ-silicon which is N-type or P-type, has the resistivity 0.001-300 Ω.cm, relative good resistivity uniformity and neutron irradiation. It is applicable for producing various semi-conductor power elements, insulate-gate bipolar transistor (IGBT) and high-efficiency solar cell, etc.

2.4 CFZ-Silicon

Монокристаллического кремния производится с комбинацией Чохральского и поплавка-зоны процессов, а также имеет качество между CZ монокристаллического кремния и ФЗ монокристаллического кремния; специальные элементы могут быть легированы, как, например Ga, Ge и др. Солнечные пластины нового поколения CFZ кремния лучше, чем различные кремниевые пластины в глобальной фотоэлектрической промышленности по каждому индексу производительности; эффективность преобразования солнечной панели составляет до 24-26%. Продукция в основном применяется в высокоэффективных солнечных батарей со специальной структурой, обратно-контакт, ХИТ и других специальных процессов, и более широко используется в LED, элементы питания, автомобильные, спутниковые и другие различные продукты и поля.

Наши преимущества на первый взгляд

1.Advanced оборудование роста эпитаксии и испытательное оборудование.

2.Offer the highest quality with low defect density and good float zone silicon surface roughness.

3.Strong поддержки научно-исследовательской группы и технической поддержки для наших клиентов

Si MEMS Wafer, выращенная FZ
4″ FZ Prime Silicon Wafer

4 "FZ Prime Silicon вафельные

4 "FZ Prime Silicon Вафли-2

4 "FZ Prime Silicon Вафли-3

4 "FZ Prime Silicon Вафли-4

4 "FZ Prime Silicon Вафли-5

4 "FZ Prime Silicon Вафли-6

4″ FZ Prime Silicon Wafer-7

4″ FZ Prime Silicon Wafer-8

4″FZ Prime Silicon Wafer-9

2 "FZ Prime Silicon вафельные

3 "FZ Prime Silicon вафельные

6 "FZ Prime Silicon вафельные

6 "FZ Prime Silicon вафельные

6″FZ Prime Silicon Wafer-1

6″FZ Prime Silicon Wafer-2

6″FZ Prime Silicon Wafer-3

5″ FZ Silicon wafers

6 "FZ кремния вафельные

6″FZ Silicon Wafer-1

6 "ФЗ кремниевой пластины-4

6 "ФЗ кремниевой пластины-5

6″ FZ Silicon Wafer-6

6″ FZ Silicon Wafer-7

6″ FZ Silicon Wafer-8

8 "FZ Prime Silicon вафельные

3 "ФЗ Председатель кремниевой пластины Толщина: 350 ± 15 мкм

4 "FZ Prime Кремний вафельные Толщина: 400 мкм +/- 25 мкм

4 "FZ Prime Кремний вафельные Толщина: 400 мкм +/- 25 мкм-2

4″ FZ Silicon Ingot with Diameter 100.7±0.3mm

3 "ФЗ кремниевой пластины Толщина: 229-249μm -1

3 "ФЗ кремниевой пластины Толщина: 229-249μm -2

ФЗ Сущностные нелегированных вафель кремния

80+1mm FZ Si Ingot

80 ± 1 мм ФЗ Si Слиток-1

80+1mm FZ Si Ingot-2

80+1mm FZ Si Ingot-3

80+1mm FZ Si Ingot-4

80+1mm FZ Si Ingot-5

60+1mm FZ Si Ingot -1

60+1mm FZ Si Ingot -2

60+1mm FZ Si Ingot -3

60+1mm FZ Si Ingot -4

60+1mm FZ Si Ingot -5

60+1mm FZ Si Ingot -6

Silicon Block size 5x20mm

1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm

2″ FZ Silicon Ingot with Diameter 50mm

2″ FZ Si wafer with SSP

2″ FZ Intrinsic Silicon Wafer

2″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP

2″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP

4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer SSP

4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer DSP

4″ FZ Intrinsic Si wafer

4″ FZ N type Si wafer

3″ FZ Silicon Ingot with Diameter 76mm

6″ FZ Silicon Wafer with Diameter 150mm, Both Side Etched

Слиток кремния 6 ″ FZ диаметром 150,7 ± 0,3 мм

Вам также может понравиться ...