Float-Zone монокристаллического кремния
PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с зоной плавания, полученную методом зоны плавания. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами с плавающей зоной. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.
- Описание
Описание продукта
PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с зоной плавания, полученную методом зоны плавания. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами с плавающей зоной. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.
1. Спецификация кремниевой пластины с плавающей зоной
ип | Проводимость Тип | Ориентация | Диаметр (мм) | Проводимость (Ω • см) |
высокое сопротивление | Н & Р | <100> и <111> | 76.2-200 | >1000 |
NTD | N | <100> и <111> | 76.2-200 | 30-800 |
CFZ | Н & Р | <100> и <111> | 76.2-200 | 1-50 |
GD | Н & Р | <100> и <111> | 76.2-200 | 0.001-300 |
1.1 Спецификация кремниевой пластины с плавающей зоной
Слиток Параметр | Предмет | Описание |
Способ выращивания | ФЗ | |
Ориентация | <111> | |
Офф-ориентации | 4 ± 0,5 градуса до ближайшей <110> | |
Тип / легирующей | P / Бор | |
удельное сопротивление | 10-20 W.cm | |
RRV | ≤15% (макс кр-Сеп) / Сеп |
1.2 Спецификация кремниевой пластины FZ
метр | Пункт | Описание |
Диаметр | 150 ± 0,5 мм | |
Толщина | 675 ± 15 мкм | |
Первичная плоская Длина | 57,5 ± 2,5 мм | |
Первичная плоская Ориентация | <011> ± 1 градус | |
Вторичная плоская Длина | Ни один | |
Secondary Квартира Ориентация | Ни один | |
TTV | ≤5 мкм | |
Лук | ≤40 мкм | |
деформироваться | ≤40 мкм | |
Край профиля | SEMI Стандартный | |
передняя Поверхностный | Химико-Mechenical Полировка | |
LPD | ≥0.3 гм @ ≤15 шт | |
Задняя поверхность | кислота гравированный | |
Пограничный Chips | Ни один | |
Пакет | Вакуумная упаковка; Внутренний пластик, Внешний алюминиевый |
2. Монокристаллический кремний с плавающей зоной.классификации
2.1 FZ-Кремний
Монокристаллический кремний с характеристиками низкого содержания посторонних материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой производится с помощью кремниевого процесса с флоат-зоной; во время роста кристаллов кремния в флоат-зоне не попадает посторонний материал. FZ-Кремнийпроводимость обычно превышает 1000 Ом-см, и кремний с плавающей зоной с таким высоким удельным сопротивлением в основном используется для производства элементов с высоким обратным напряжением и фотоэлектронных устройств. Его также можно использовать для процесса сухого травления.
2.2 NTDFZ-Кремний
Монокристаллический кремний с высоким удельным сопротивлением и однородностью может быть получен нейтронным облучением FZ-кремния, чтобы обеспечить выход и однородность производимых элементов, и в основном используется для производства кремниевого выпрямителя (SR), кремниевого контроля (SCR). , гигантский транзистор (GTR), тиристор затвор-затвор (GTO), статический индукционный тиристор (SITH), биполярный транзистор с изолирующим затвором (IGBT), дополнительный высоковольтный диод (PIN), интеллектуальная силовая и силовая ИС и т. д.; это основной функциональный материал для различных преобразователей частоты, выпрямителей, элементов управления большой мощности, новых силовых электронных устройств, детекторов, датчиков, фотоэлектронных устройств и специальных силовых устройств.
Кремниевая пластина ФЗ НТД с равномерной концентрацией легирования
2.3 GDFZ-Силикон
Используя механизм диффузии посторонних материалов, добавьте посторонние материалы в газовой фазе во время процесса монокристаллического кремния с плавающей зоной, чтобы решить проблему легирования процесса с плавающей зоной от корня и получить GDFZ-кремний N-типа. или P-типа, имеет удельное сопротивление 0,001-300 Ом·см, относительно хорошую однородность удельного сопротивления и нейтронное облучение. Он применим для производства различных полупроводниковых силовых элементов, биполярных транзисторов с изолирующим затвором (IGBT), высокоэффективных солнечных элементов и т. д.
2.4 CFZ-кремний
Монокристаллического кремния производится с комбинацией Чохральского и поплавка-зоны процессов, а также имеет качество между CZ монокристаллического кремния и ФЗ монокристаллического кремния; специальные элементы могут быть легированы, как, например Ga, Ge и др. Солнечные пластины нового поколения CFZ кремния лучше, чем различные кремниевые пластины в глобальной фотоэлектрической промышленности по каждому индексу производительности; эффективность преобразования солнечной панели составляет до 24-26%. Продукция в основном применяется в высокоэффективных солнечных батарей со специальной структурой, обратно-контакт, ХИТ и других специальных процессов, и более широко используется в LED, элементы питания, автомобильные, спутниковые и другие различные продукты и поля.
Наши преимущества на первый взгляд
1.Advanced оборудование роста эпитаксии и испытательное оборудование.
2. Обеспечивает высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности кремния в зоне плавания.
3.Strong поддержки научно-исследовательской группы и технической поддержки для наших клиентов
Si MEMS пластина, выращенная FZ
4″ FZ Prime Silicon Wafer
4″ Кремниевая пластина FZ Prime-7
5-дюймовые кремниевые пластины FZ
3 "ФЗ Председатель кремниевой пластины Толщина: 350 ± 15 мкм
4 "FZ Prime Кремний вафельные Толщина: 400 мкм +/- 25 мкм
4 "FZ Prime Кремний вафельные Толщина: 400 мкм +/- 25 мкм-2
4-дюймовый кремниевый слиток FZ диаметром 100,7 ± 0,3 мм.
3 "ФЗ кремниевой пластины Толщина: 229-249μm -1
3 "ФЗ кремниевой пластины Толщина: 229-249μm -2
ФЗ Сущностные нелегированных вафель кремния
Размер силиконового блока 5x20 мм.
1 ″ кремниевый слиток FZ диаметром 25 мм
2-дюймовый кремниевый слиток FZ диаметром 50 мм.
2″ Внутренняя кремниевая пластина FZ
4-дюймовая кремниевая пластина FZ SSP
4-дюймовая кремниевая пластина FZ DSP
4-дюймовая пластина FZ Intrinsic Si
4″ кремниевая пластина типа FZ N
3-дюймовый кремниевый слиток FZ диаметром 76 мм.
6-дюймовая кремниевая пластина FZ диаметром 150 мм, травление с обеих сторон