Кремний с плавающей зоной, Кремний FZ, Процесс с плавающей зоной, Кремниевый слиток, Кремниевая пластина N-типа

Float-Zone Mono-Crystalline Silicon

PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с зоной плавания, полученную методом зоны плавания. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами с плавающей зоной. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.

Категория: Кремниевая пластина Метки: Поплавок зоны, Процесс плавающей зоны, FZ кремния, Кремнеземная пластина, Слиток кремния, Производители кремниевых слитков

Description

Описание

1. Спецификация кремниевой пластины с плавающей зоной

ип	Тип проводимости	Ориентация	Диаметр (мм)	Проводимость (Ом•см)
Высокое сопротивление	Н & Р	<100>&<111>	76.2-200	>1000
NTD	N	<100>&<111>	76.2-200	30-800
CFZ	Н & Р	<100>&<111>	76.2-200	1-50
GD	Н & Р	<100>&<111>	76.2-200	0,001-300

1.1 Спецификация кремниевой пластины с плавающей зоной

Параметр слитка	Предмет	Описание
	Метод выращивания	ФЗ
	Ориентация	<111>
	Неориентация	4±0,5 градуса с точностью до <110>
	Тип/Допация	P / Бор
	Удельное сопротивление	10-20 W.cm
	RRV	≤15% (Макс. край-Цен)/Цен

1.2 Спецификация кремниевой пластины FZ

Параметр пластины	Пункт	Описание
	Диаметр	150 ± 0,5 мм
	Толщина	675 ± 15 мкм
	Основная плоская длина	57,5±2,5 мм
	Первичная плоская ориентация	<011>±1 градус
	Вторичная плоская длина	Ни один
	Вторичная плоская ориентация	Ни один
	TTV	≤5 мкм
	Лук	≤40 мкм
	деформироваться	≤40 мкм
	Краевой профиль	ПОЛУ-стандарт
	Передняя поверхность	Химико-механическая полировка
	LPD	≥0,3 мкм@≤15 шт.
	Задняя поверхность	кислотное травление
	Пограничный Chips	Ни один
	Пакет	Вакуумная упаковка; Внутренний пластик, внешний алюминий

2. Монокристаллический кремний с плавающей зоной.классификации

2.1 FZ-Кремний

Монокристаллический кремний с характеристиками низкого содержания посторонних материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой производится с помощью кремниевого процесса с флоат-зоной; во время выращивания кристаллов кремния в флоат-зоне не попадает посторонний материал.FZ-Кремнийпроводимость обычно превышает 1000 Ом-см, и кремний с плавающей зоной с таким высоким удельным сопротивлением в основном используется для производства элементов с высоким обратным напряжением и фотоэлектронных устройств. Его также можно использовать для процесса сухого травления.

2.2 NTDFZ-Кремний

Монокристаллический кремний с высоким удельным сопротивлением и однородностью может быть получен нейтронным облучением FZ-кремния, чтобы обеспечить выход и однородность производимых элементов, и в основном используется для производства кремниевого выпрямителя (SR), кремниевого контроля (SCR). , гигантский транзистор (GTR), тиристор затвор-закрытие (GTO), статический индукционный тиристор (SITH), биполярный транзистор с изолирующим затвором (IGBT), дополнительный высоковольтный диод (PIN), интеллектуальная мощность и мощность ИК и т. д.; это основной функциональный материал для различных преобразователей частоты, выпрямителей, элементов управления большой мощности, новых силовых электронных устройств, детекторов, датчиков, фотоэлектронных устройств и специальных силовых устройств.

Кремниевая пластина ФЗ НТД с равномерной концентрацией легирования

2.3 GDFZ-Силикон

Используя механизм диффузии посторонних материалов, добавьте посторонние материалы в газовой фазе во время процесса монокристаллического кремния с плавающей зоной, чтобы решить проблему легирования процесса с плавающей зоной от корня и получить GDFZ-кремний N-типа. или P-типа, имеет удельное сопротивление 0,001-300 Ом·см, относительно хорошую однородность удельного сопротивления и нейтронное облучение. Он применим для производства различных полупроводниковых силовых элементов, биполярных транзисторов с изолирующим затвором (IGBT), высокоэффективных солнечных элементов и т. д.

2.4 CFZ-кремний

Монокристаллический кремний производится комбинацией процессов Чохральского и флотационной зоны и имеет качество между монокристаллическим кремнием CZ и монокристаллическим кремнием FZ; могут быть легированы специальные элементы, такие как Ga, Ge и другие. Кремниевые солнечные пластины CFZ нового поколения лучше, чем различные кремниевые пластины в мировой фотоэлектрической промышленности по каждому показателю производительности; КПД преобразования солнечной панели составляет до 24-26%. Продукция в основном применяется в высокоэффективных солнечных батареях со специальной структурой, обратным контактом, HIT и другими специальными процессами, а также более широко используется в светодиодах, силовых элементах, автомобилях, спутниках и других различных продуктах и областях.

Наши преимущества с первого взгляда

1. Современное оборудование для выращивания эпитаксии и испытательное оборудование.

2. Обеспечивает высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности кремния в зоне плавания.

3. Сильная поддержка исследовательской группы и технологическая поддержка наших клиентов.

Si MEMS пластина, выращенная FZ
4-дюймовая кремниевая пластина FZ Prime

4″ Кремниевая пластина FZ Prime-2

4″ Кремниевая пластина FZ Prime-4

4″ Кремниевая пластина FZ Prime-5

4-дюймовая кремниевая пластина FZ Prime-6

4″ Кремниевая пластина FZ Prime-7

4″ FZ Prime Silicon Wafer-8

4″FZ Prime Silicon Wafer-9