Float-Zone монокристаллического кремния

PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с зоной плавания, полученную методом зоны плавания. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами с плавающей зоной. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.

  • Описание

Описание продукта

PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с зоной плавания, полученную методом зоны плавания. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами с плавающей зоной. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.

1. Спецификация кремниевой пластины с плавающей зоной 

ип Проводимость Тип Ориентация Диаметр (мм) Проводимость (Ω • см)
высокое сопротивление Н & Р <100> и <111> 76.2-200 >1000
NTD N <100> и <111> 76.2-200 30-800
CFZ Н & Р <100> и <111> 76.2-200 1-50
GD Н & Р <100> и <111> 76.2-200 0.001-300

1.1 Спецификация кремниевой пластины с плавающей зоной

Слиток Параметр Предмет Описание
Способ выращивания ФЗ
Ориентация <111>
Офф-ориентации 4 ± 0,5 градуса до ближайшей <110>
Тип / легирующей P / Бор
удельное сопротивление 10-20 W.cm
RRV ≤15% (макс кр-Сеп) / Сеп

 

1.2 Спецификация кремниевой пластины FZ

метр Пункт Описание
Диаметр 150 ± 0,5 мм
Толщина 675 ± 15 мкм
Первичная плоская Длина 57,5 ± 2,5 мм
Первичная плоская Ориентация <011> ± 1 градус
Вторичная плоская Длина Ни один
Secondary Квартира Ориентация Ни один
TTV ≤5 мкм
Лук ≤40 мкм
деформироваться ≤40 мкм
Край профиля SEMI Стандартный
передняя Поверхностный Химико-Mechenical Полировка
LPD ≥0.3 гм @ ≤15 шт
Задняя поверхность кислота гравированный
Пограничный Chips Ни один
Пакет Вакуумная упаковка; Внутренний пластик, Внешний алюминиевый

 

2. Монокристаллический кремний с плавающей зоной.классификации

2.1 FZ-Кремний

Монокристаллический кремний с характеристиками низкого содержания посторонних материалов, низкой плотностью дефектов и идеальной кристаллической структурой производится с помощью кремниевого процесса с флоат-зоной; во время роста кристаллов кремния в флоат-зоне не попадает посторонний материал. FZ-Кремнийпроводимость обычно превышает 1000 Ом-см, и кремний с плавающей зоной с таким высоким удельным сопротивлением в основном используется для производства элементов с высоким обратным напряжением и фотоэлектронных устройств. Его также можно использовать для процесса сухого травления.

2.2 NTDFZ-Кремний

Монокристаллический кремний с высоким удельным сопротивлением и однородностью может быть получен нейтронным облучением FZ-кремния, чтобы обеспечить выход и однородность производимых элементов, и в основном используется для производства кремниевого выпрямителя (SR), кремниевого контроля (SCR). , гигантский транзистор (GTR), тиристор затвор-затвор (GTO), статический индукционный тиристор (SITH), биполярный транзистор с изолирующим затвором (IGBT), дополнительный высоковольтный диод (PIN), интеллектуальная силовая и силовая ИС и т. д.; это основной функциональный материал для различных преобразователей частоты, выпрямителей, элементов управления большой мощности, новых силовых электронных устройств, детекторов, датчиков, фотоэлектронных устройств и специальных силовых устройств.

Кремниевая пластина ФЗ НТД с равномерной концентрацией легирования

2.3 GDFZ-Силикон

Используя механизм диффузии посторонних материалов, добавьте посторонние материалы в газовой фазе во время процесса монокристаллического кремния с плавающей зоной, чтобы решить проблему легирования процесса с плавающей зоной от корня и получить GDFZ-кремний N-типа. или P-типа, имеет удельное сопротивление 0,001-300 Ом·см, относительно хорошую однородность удельного сопротивления и нейтронное облучение. Он применим для производства различных полупроводниковых силовых элементов, биполярных транзисторов с изолирующим затвором (IGBT), высокоэффективных солнечных элементов и т. д.

2.4 CFZ-кремний

Монокристаллического кремния производится с комбинацией Чохральского и поплавка-зоны процессов, а также имеет качество между CZ монокристаллического кремния и ФЗ монокристаллического кремния; специальные элементы могут быть легированы, как, например Ga, Ge и др. Солнечные пластины нового поколения CFZ кремния лучше, чем различные кремниевые пластины в глобальной фотоэлектрической промышленности по каждому индексу производительности; эффективность преобразования солнечной панели составляет до 24-26%. Продукция в основном применяется в высокоэффективных солнечных батарей со специальной структурой, обратно-контакт, ХИТ и других специальных процессов, и более широко используется в LED, элементы питания, автомобильные, спутниковые и другие различные продукты и поля.

Наши преимущества на первый взгляд

1.Advanced оборудование роста эпитаксии и испытательное оборудование.

2. Обеспечивает высочайшее качество с низкой плотностью дефектов и хорошей шероховатостью поверхности кремния в зоне плавания.

3.Strong поддержки научно-исследовательской группы и технической поддержки для наших клиентов

Si MEMS пластина, выращенная FZ
4″ FZ Prime Silicon Wafer

4 "FZ Prime Silicon вафельные

4 "FZ Prime Silicon Вафли-2

4 "FZ Prime Silicon Вафли-3

4 "FZ Prime Silicon Вафли-4

4 "FZ Prime Silicon Вафли-5

4 "FZ Prime Silicon Вафли-6

4″ Кремниевая пластина FZ Prime-7

4″ FZ Prime Silicon Wafer-8

4″FZ Prime Silicon Wafer-9

2 "FZ Prime Silicon вафельные

3 "FZ Prime Silicon вафельные

6 "FZ Prime Silicon вафельные

6 "FZ Prime Silicon вафельные

6″FZ Prime Silicon Wafer-1

6″FZ Prime Silicon Wafer-2

6″FZ Prime Silicon Wafer-3

5-дюймовые кремниевые пластины FZ

6 "FZ кремния вафельные

6″ФЗ Кремниевая пластина-1

6 "ФЗ кремниевой пластины-4

6 "ФЗ кремниевой пластины-5

6″ Кремниевая пластина FZ-6

6″ Кремниевая пластина FZ-7

6″ Кремниевая пластина FZ-8

8 "FZ Prime Silicon вафельные

3 "ФЗ Председатель кремниевой пластины Толщина: 350 ± 15 мкм

4 "FZ Prime Кремний вафельные Толщина: 400 мкм +/- 25 мкм

4 "FZ Prime Кремний вафельные Толщина: 400 мкм +/- 25 мкм-2

4-дюймовый кремниевый слиток FZ диаметром 100,7 ± 0,3 мм.

3 "ФЗ кремниевой пластины Толщина: 229-249μm -1

3 "ФЗ кремниевой пластины Толщина: 229-249μm -2

ФЗ Сущностные нелегированных вафель кремния

Слиток кремния FZ 80+1 мм

80+1мм ФЗ Si Слиток-1

80+1мм ФЗ Si Слиток-2

80+1мм ФЗ Si Слиток-3

80+1мм ФЗ Si Слиток-4

80+1мм ФЗ Si Слиток-5

Слиток кремния FZ 60+1 мм -1

Слиток кремния FZ 60+1 мм -2

60+1мм FZ Si Слиток -3

Слиток кремния FZ 60+1 мм -4

Слиток кремния FZ 60+1 мм -5

Слиток кремния FZ 60+1 мм -6

Размер силиконового блока 5x20 мм.

1 ″ кремниевый слиток FZ диаметром 25 мм

2-дюймовый кремниевый слиток FZ диаметром 50 мм.

2″ пластина FZ Si с SSP

2″ Внутренняя кремниевая пластина FZ

2″ FZ Intrinsic Si Wafer SSP

2″ FZ Intrinsic Si Wafer DSP

4-дюймовая кремниевая пластина FZ SSP

4-дюймовая кремниевая пластина FZ DSP

4-дюймовая пластина FZ Intrinsic Si

4″ кремниевая пластина типа FZ N

3-дюймовый кремниевый слиток FZ диаметром 76 мм.

6-дюймовая кремниевая пластина FZ диаметром 150 мм, травление с обеих сторон

6-дюймовый кремниевый слиток FZ диаметром 150,7 ± 0,3 мм.

Вам также может понравиться ...