Float-Zone монокристаллического кремния
PAM-XIAMEN может предложить кремниевые пластины с плавающей зоной, полученные методом Float Zone. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами зоны плавания. Поскольку кремниевая пластина зонного расплава не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния в зоне, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, а удельное сопротивление выше. Он подходит для изготовления силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.
- Описание
Описание продукта
PAM-XIAMEN может предложить кремниевые пластины с плавающей зоной, полученные методом Float Zone. Монокристаллические кремниевые стержни получают путем выращивания в зоне плавания, а затем перерабатывают монокристаллические кремниевые стержни в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами зоны плавания. Поскольку кремниевая пластина зонного расплава не контактирует с кварцевым тиглем во время процесса плавления кремния в зоне, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе зонной плавки кремния. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, а удельное сопротивление выше. Он подходит для изготовления силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.
1. Float zone silicon wafer specification
| ype | Проводимость Тип | Ориентация | Диаметр (мм) | Проводимость (Ω • см) |
| высокое сопротивление | Н & Р | <100> и <111> | 76.2-200 | >1000 |
| NTD | N | <100> и <111> | 76.2-200 | 30-800 |
| CFZ | Н & Р | <100> и <111> | 76.2-200 | 1-50 |
| GD | Н & Р | <100> и <111> | 76.2-200 | 0.001-300 |
1.1 Floating zone silicon wafer specification
| Слиток Параметр | Предмет | Описание |
| Способ выращивания | ФЗ | |
| Ориентация | <111> | |
| Офф-ориентации | 4 ± 0,5 градуса до ближайшей <110> | |
| Тип / легирующей | P / Бор | |
| удельное сопротивление | 10-20 W.cm | |
| RRV | ≤15% (макс кр-Сеп) / Сеп |
1.2 FZ silicon wafer specification
| meter | Пункт | Описание |
| Диаметр | 150 ± 0,5 мм | |
| Толщина | 675 ± 15 мкм | |
| Первичная плоская Длина | 57,5 ± 2,5 мм | |
| Первичная плоская Ориентация | <011> ± 1 градус | |
| Вторичная плоская Длина | Ни один | |
| Secondary Квартира Ориентация | Ни один | |
| TTV | ≤5 мкм | |
| Лук | ≤40 мкм | |
| деформироваться | ≤40 мкм | |
| Край профиля | SEMI Стандартный | |
| передняя Поверхностный | Химико-Mechenical Полировка | |
| LPD | ≥0.3 гм @ ≤15 шт | |
| Задняя поверхность | кислота гравированный | |
| Пограничный Chips | Ни один | |
| Пакет | Вакуумная упаковка; Внутренний пластик, Внешний алюминиевый |
2. Float-zone mono-crystalline silicon classifications
2.1 FZ-Silicon
The mono-crystalline silicon with the characteristics of low foreign-material content, low defect density and perfect crystal structure is produced with the float zone silicon process; no foreign material is introduced during the float zone silicon crystal growth. The FZ-Кремний conductivity is usually above 1000 Ω-cm, and such a high resistivity float zone silicon is mainly used to produce the high inverse-voltage elements and photoelectronic devices. It also can be used for dry etching process.
2.2 NTDFZ-Silicon
The mono-crystalline silicon with high-resistivity and uniformity can be achieved by neutron irradiation of FZ-silicon, to ensure the yield and uniformity of produced elements, and is mainly used to produce the silicon rectifier (SR), silicon control (SCR), giant transistor (GTR), gate-turn-off thyristor (GTO), static induction thyristor (SITH), insulate-gate bipolar transistor (IGBT), extra HV diode (PIN), smart power and power IC, etc; it is the main functional material for various frequency converters, rectifiers, large-power control elements, new power electronic devices, detectors, sensors, photoelectronic devices and special power devices.
FZ NTD Silicon Wafer with a Uniform Doping Concentration
2.3 GDFZ-Silicon
Utilizing the foreign-material diffusion mechanism, add the gas-phase foreign-material during the floating zone monocrystalline silicon process, to solve the doping problem of float-zone process from the root, and to get the GDFZ-silicon which is N-type or P-type, has the resistivity 0.001-300 Ω.cm, relative good resistivity uniformity and neutron irradiation. It is applicable for producing various semi-conductor power elements, insulate-gate bipolar transistor (IGBT) and high-efficiency solar cell, etc.
2.4 CFZ-Silicon
Монокристаллического кремния производится с комбинацией Чохральского и поплавка-зоны процессов, а также имеет качество между CZ монокристаллического кремния и ФЗ монокристаллического кремния; специальные элементы могут быть легированы, как, например Ga, Ge и др. Солнечные пластины нового поколения CFZ кремния лучше, чем различные кремниевые пластины в глобальной фотоэлектрической промышленности по каждому индексу производительности; эффективность преобразования солнечной панели составляет до 24-26%. Продукция в основном применяется в высокоэффективных солнечных батарей со специальной структурой, обратно-контакт, ХИТ и других специальных процессов, и более широко используется в LED, элементы питания, автомобильные, спутниковые и другие различные продукты и поля.
Наши преимущества на первый взгляд
1.Advanced оборудование роста эпитаксии и испытательное оборудование.
2.Offer the highest quality with low defect density and good float zone silicon surface roughness.
3.Strong поддержки научно-исследовательской группы и технической поддержки для наших клиентов
Si MEMS Wafer Grown by FZ
4″ FZ Prime Silicon Wafer
3 "ФЗ Председатель кремниевой пластины Толщина: 350 ± 15 мкм
4 "FZ Prime Кремний вафельные Толщина: 400 мкм +/- 25 мкм
4 "FZ Prime Кремний вафельные Толщина: 400 мкм +/- 25 мкм-2
4″ FZ Silicon Ingot with Diameter 100.7±0.3mm
3 "ФЗ кремниевой пластины Толщина: 229-249μm -1
3 "ФЗ кремниевой пластины Толщина: 229-249μm -2
ФЗ Сущностные нелегированных вафель кремния
1″ FZ Silicon Ingot with Diameter 25mm
2-дюймовый слиток кремния FZ диаметром 50 мм
4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer SSP
4″ FZ Intrinsic Silicon Wafer DSP
3″ FZ Silicon Ingot with Diameter 76mm
6-дюймовая кремниевая пластина FZ диаметром 150 мм, травление с обеих сторон
Вам также может понравиться ...
-
Травление вафельные
Кремниевые пластины для травления, предлагаемые PAM-XIAMEN, представляют собой пластины для травления типа N или P, которые имеют низкую шероховатость, низкую отражательную способность и высокую отражательную способность. Пластина для травления имеет характеристики низкой шероховатости, хорошего глянца и относительно низкой стоимости и напрямую заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, что снижает затраты.
-
Корпусная GaN-подложка
РАМ-СЯМЫНЬ установила технологии изготовления для автономных (нитрид галлия) GaN-подложка пластины, которая является для UHB-LED и LD. Выращенный по технологии гидридной эпитаксии из паровой фазы (HVPE), Наша GaN-подложка имеет низкую плотность дефектов.
-
Эпитаксиальный кремний вафельный
Кремниевая эпитаксиальная пластина (Epi Wafer) представляет собой слой эпитаксиального монокристалла кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: можно вырастить слой поликристаллического кремниевого слоя поверх высоколегированной монокристаллической кремниевой пластины, но это требуется буферный слой (например, оксид или поли-Si) между объемной подложкой Si и верхним эпитаксиальным слоем кремния.Он также может использоваться для тонкопленочных транзисторов.
-
Полированный вафельные
PAM-XIAMEN может предложить полированные пластины типа n или p с ориентацией <100>, <110> или <111>. Полированные пластины FZ, в основном для производства кремниевого выпрямителя (SR), кремниевого управляемого выпрямителя (SCR), гигантского транзистора (GTR), тиристора (GRO)
-
Cz монокристаллического кремния
PAM-XIAMEN, производитель монокристаллического кремния, может предложить пластины монокристаллического кремния <100>, <110> и <111> с легирующей примесью N&P размером 76,2~200 мкм, выращенные методом CZ. Метод Чохральского — это метод выращивания кристаллов, называемый методом CZ. Он интегрируется в прямотрубную систему нагрева, нагревается графитовым сопротивлением, плавит поликремний, содержащийся в кварцевом тигле высокой чистоты, а затем вставляет затравочный кристалл в поверхность расплава для сварки. После этого вращающийся затравочный кристалл опускается и плавится. Тело проникают и трогают, постепенно приподнимают и заканчивают или вытягивают через этапы сужения, сужения, плеча, контроля одинакового диаметра и отделки.
-
GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN производит различные типы полупроводниковых материалов n-типа n-типа, легированных кремнием, на основе Ga, Al, In, As и P, выращенных методами MBE или MOCVD. Мы поставляем изготовленные на заказ структуры эпивафер GaAs в соответствии со спецификациями клиентов. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.
-
Тест Вафли Вафли монитор пустышки вафельные
Как производитель фиктивных пластин, PAM-XIAMEN предлагает силиконовые фиктивные пластины / тестовые пластины / контрольные пластины, которые используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и используются для проверки доставки и оценки формы процесса. Так как макеты кремниевых пластин часто используются для экспериментов и испытаний, их размер и толщина являются важными факторами в большинстве случаев. Доступны макетные пластины диаметром 100 мм, 150 мм, 200 мм или 300 мм.
-
Подложка SiC вафли
Компания имеет полную линию по производству подложек для пластин SiC (карбид кремния), объединяющую выращивание кристаллов, обработку кристаллов, обработку пластин, полировку, очистку и тестирование. В настоящее время мы поставляем коммерческие пластины SiC 4H и 6H с полуизоляцией и проводимостью по оси или вне оси, доступные размеры: 5x5 мм2, 10x10 мм2, 2”, 3”, 4”, 6” и 8″, преодолевая ключевые технологии, такие как как подавление дефектов, обработка затравочных кристаллов и быстрый рост, содействие фундаментальным исследованиям и разработкам, связанным с эпитаксией карбида кремния, устройствами и т. д.
сопутствующие товары
-
12-дюймовые кремниевые пластины 300 мм TOX (кремниевая пластина термического окисления)
PAM-XIAMEN предлагает пластины из оксида кремния и диоксида кремния диаметром 300 мм. Кремниевая пластина с термическим оксидом или пластина из диоксида кремния представляет собой голую кремниевую пластину с оксидным слоем, выращенным в процессе сухого или влажного окисления. Термический оксидный слой кремниевой пластины обычно выращивают в горизонтальной трубчатой печи, а диапазон температур оксида кремниевой пластины обычно составляет 900 ℃ ~ 1200 ℃. По сравнению со слоем оксида CVD, слой оксида кремниевой пластины имеет более высокую однородность, лучшую компактность, более высокую диэлектрическую прочность и лучшее качество.
-
12-дюймовая кремниевая пластина тестового класса
PAM-XIAMEN предлагает фиктивные кремниевые пластины без покрытия диаметром 300 мм (12 дюймов), испытательный класс, тип n или тип p. По сравнению с другими поставщиками кремниевых пластин Powerway Wafer предлагает профессиональные услуги по конкурентоспособным ценам.
-
12-дюймовая кремниевая пластина высшего качества
PAM-XIAMEN предлагает кремниевые пластины без покрытия диаметром 300 мм (12 дюймов) высшего сорта, типа n или p, а толщина кремниевых пластин 300 мм составляет 775 ± 15. По сравнению с другими поставщиками кремниевых пластин цена кремниевых пластин Powerway Wafer более конкурентоспособна при более высоком качестве. Кремниевые пластины диаметром 300 мм имеют более высокий выход на пластину, чем предыдущие кремниевые пластины большого диаметра.
