Test Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer
Как производитель фиктивных пластин, PAM-XIAMEN предлагает силиконовые фиктивные пластины / тестовые пластины / пластины для монитора, которые используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и используются для проверки доставки и оценки технологической формы. Поскольку фиктивные кремниевые пластины часто используются для экспериментов и испытаний, их размер и толщина в большинстве случаев являются важными факторами. Доступна фиктивная вафля 100 мм, 150 мм, 200 мм или 300 мм.
- Description
Описание продукта
Тест Вафли Вафли монитор пустышки вафельные
Как производитель фиктивных пластин, PAM-XIAMEN предлагает силиконовые фиктивные пластины / тестовые пластины / пластины для монитора, которые используются в производственном устройстве для повышения безопасности в начале производственного процесса и используются для проверки доставки и оценки технологической формы. Поскольку фиктивные кремниевые пластины часто используются для экспериментов и испытаний, их размер и толщина в большинстве случаев являются важными факторами. Доступна фиктивная вафля 100 мм, 150 мм, 200 мм или 300 мм.
1. Список тестовых пластин
1.1 Односторонняя полированная испытательная пластина типа N (200 шт.)
| Sl Нет | Пункт | ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SCL |
| 1 | Способ выращивания | CZ |
| 2 | вафли Диаметр | 150 ± 0,5 мм |
| 3 | Толщина вафли | 675 ± 25 мкм |
| 4 | Ориентация поверхности пластины | <100> ± 2 ° |
| 5 | добавка | Фосфор |
| 6 | Вывих Плотность | Менее 5000 / см2 |
| 8 | удельное сопротивление | 4-7 Омсм |
| 9 | Изменение радиального сопротивления (макс.) | 15% |
| 10 | ровность | |
| 10а | · ЛУК (макс.) | 60 мкм |
| 10b | · МДП (макс.) | 6 мкм |
| 10c | · КОНУС (макс.) | 12 мкм |
| 10d | · WARP (макс.) | 60 мкм |
| 11 | Первичная квартира | |
| 11а | · Длина | 57,5 ± 2,5 мм |
| 11b | · Ориентация | {110} ± 2 ° по стандарту SEMI |
| 11c | Вторичная квартира | Согласно стандарту SEMI |
| 12 | Отделка передней поверхности | Зеркальная полировка |
| 13 | Максимум. частицы размером ≥0,3 мкм | 30 |
| 14 | · Царапины, дымка, сколы на краях, апельсиновая корка и другие дефекты | ноль |
| 15 | Задняя поверхность | Без повреждений травленый |
| 16 | Требования к упаковке | Вафли должны быть запечатаны под вакуумом в среде класса «10» в двухслойной упаковке. Вафли должны отправляться в упаковщиках Fluorware ORION TWO или аналогичных марок, изготовленных из сверхчистого полипропилена. |
1.2 Двухсторонняя полированная испытательная пластина типа N (150 шт.)
| Sl Нет | Пункт | ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SCL |
| 1 | Способ выращивания | CZ |
| 2 | вафли Диаметр | 150 ± 0,5 мм |
| 3 | Толщина вафли | 675 ± 25 мкм |
| 4 | Ориентация поверхности пластины | <100> ± 2 ° |
| 5 | добавка | Фосфор |
| 6 | Вывих Плотность | Менее 5000 / см2 |
| 8 | удельное сопротивление | 4-7 Омсм |
| 9 | Изменение радиального сопротивления (макс.) | 15% |
| 10 | ровность | |
| 10а | · ЛУК (макс.) | 60 мкм |
| 10b | · МДП (макс.) | 6 мкм |
| 10c | · КОНУС (макс.) | 12 мкм |
| 10d | · WARP (макс.) | 60 мкм |
| 11 | Первичная квартира | |
| 11а | · Длина | 57,5 ± 2,5 мм |
| 11b | · Ориентация | {110} ± 2 ° по стандарту SEMI |
| 11c | Вторичная квартира | Согласно стандарту SEMI |
| 12 | Отделка передней поверхности | Зеркальная полировка |
| 13 | Максимум. частицы размером ≥0,3 мкм | 30 |
| 14 | · Царапины, дымка, сколы на краях, | ноль |
| Апельсиновая корка и другие дефекты | ||
| 15 | Задняя поверхность | Зеркальная полировка |
| 16 | Требования к упаковке | Должен быть запечатан под вакуумом в классе «10». |
| окружающая среда в двухслойной упаковке. | ||
| Вафли следует отправлять в флюоровой посуде. | ||
| Поставщики пластин ORION TWO или аналогичные | ||
| сделать из сверхчистого полипропилена |
1.3 Контрольная пластина/Пустышка вафли
Монитор / фиктивная силиконовая пластина
| вафли Диаметр | Полированные | Вафельная поверхность | Толщина вафли | удельное сопротивление | частица |
| Ориентация | |||||
| 4 " | 1 сторона | 100/111 | 250-500 мкм | 0-100 | 0,2 мкм ≤ 30 шт. |
| 6 " | 1 сторона | 100 | 500-675 мкм | 0-100 | 0,2 мкм ≤ 30 шт. |
| 8 " | 1 сторона | 100 | 600-750 мкм | 0-100 | 0,2 мкм ≤ 30 шт. |
| 12 " | 2 сторона | 100 | 650-775 мкм | 0-100 | 0,09 мкм≤qty100 |
1.4 РЕГЕНЕРИРОВАННЫЕ 200мм ВАФТЫ
| Элемент# | ПАРАМЕТР | Единицы | Значение | Примечания |
| 1 | Метод роста | CZ | ||
| 2 | Ориентация | 1-0-0 | ||
| 3 | удельное сопротивление | Омм.см | 1-50 | |
| 4 | Тип / присадка | р, п / | ||
| Бор, Фосфор | ||||
| 5 | Толщина | мкм | 1гр. - 620, | |
| 2гр. - 650 | ||||
| 3гр. - 680 | ||||
| 4гр. - 700 | ||||
| 5гр. - 720 | ||||
| 6 | GBIR (TTV | мкм | 1-3гр. <30, | |
| 4-5гр. <20 | ||||
| 7 | GLFR (МДП | мкм | <10 | |
| 8 | деформироваться | мкм | <60 | |
| 9 | Лук | мкм | <40 | |
| 10 | Загрязнение металлов | 1 / см2 | <3Э10 | |
| 11 | передняя поверхность | Полированные | ||
| 12 | Лицевая поверхность визуально: | |||
| Дымка, царапины, пятна, пятна | ни один | |||
| Апельсиновая корка | ни один | |||
| Трещины, Кратеры | ни один | |||
| 13 | Передняя сторона LPD: | Количество пластин с указанным значением параметра должно быть не менее 80% от партии, | ||
| <0,12мкм | <100 | |||
| <0,16мкм | <50 | |||
| <0,20мкм | <20 | |||
| <0,30мкм | <10 |
1.5 Coinroll Silicon Wafer
Spec : 12” , Bare Silicon, Thickness >750um , Notch , Slight scratch and stain that we will process IPA , DI water with Ultra sonic. (PAM171117-SI)
2. Определение фиктивной вафли
Вафля-пустышка(также называемые тестовыми пластинами) - это фиктивные кремниевые пластины, которые в основном используются для экспериментов и испытаний и отличаются от обычных пластин для продуктов. Соответственно, вторичные вафли в основном используются как вафли фиктивного сорта (тестовые пластины).
В каждом процессе толщина пленки, сопротивление давлению, показатель отражения и наличие шарика измеряются с использованием фиктивной кремниевой пластины (тестовой пластины). Также фиктивные пластины (тестовые пластины) используются для измерения размера рисунка, проверки дефектов и т. Д. В литографии.
Контрольные пластины are the bare silicon wafers to be used in the case that an adjustment is required in each production step prior to the actual IC production. For example, when the conditions of each process are set, such as the case of measuring tolerance of device against ( the variation of ) substrate thickness, coinroll silicon wafers for spacer wafers are being used as a substitution of high-standard and high value wafers. Moreover, they are also used for the monitoring purpose in the process together with product wafers. Monitor wafers are necessary wafer materials as important as product prime wafers. They are also called as test wafers together with dummy wafers.
For more product detail or if you have required specification, please contact us at luna@powerwaywafer.com or powerwaymaterial@gmail.com.
Тест класс кремниевых пластин-1
Тест класс кремниевых пластин-3
Тест класс кремниевых пластин-8
Пластины кремниевые пробные марки-10
Пластины кремниевые пробные марки-11
8-дюймовая силиконовая пластина для пустышки
12-дюймовая силиконовая вафля, толщина 700-730 мкм
12-дюймовая силиконовая вафля для манекена толщиной 650-700 мкм
12 "Test Grade Silicon вафельные
4-дюймовые силиконовые вафли тестового класса с односторонней полировкой
Вам также может понравиться ...
-
GaN шаблоны
Шаблоны PAM-XIAMEN состоят из кристаллических слоев (нитрид галлия) шаблонов GaN, (нитрид алюминия) шаблона AlN, (нитрид алюминия-галлия) шаблонов AlGaN и шаблонов (нитрид индия-галлия) InGaN, которые нанесены на сапфир. -
Cz монокристаллического кремния
PAM-XIAMEN, производитель объемного монокристаллического кремния, может предложить пластины монокристаллического кремния <100>, <110> и <111> с добавкой N&P размером 76,2 ~ 200 мм, выращенные методом CZ. Метод Чохральского - это метод выращивания кристаллов, называемый методом CZ. Он интегрирован в систему нагрева с прямыми трубками, нагревается за счет сопротивления графита, плавит поликремний, содержащийся в кварцевом тигле высокой чистоты, а затем вставляет затравочный кристалл в поверхность расплава для сварки. После этого вращающийся затравочный кристалл опускается и плавится. В тело проникают и прикасаются, постепенно поднимают и завершают или вытягивают через этапы шейки, шейки, плеча, контроля равного диаметра и завершения.
-
Полированный вафельные
PAM-XIAMEN может предложить полированные пластины n-типа или p-типа с ориентацией <100>, <110> или <111>. Полированные пластины FZ, в основном для производства кремниевого выпрямителя (SR), кремниевого управляемого выпрямителя (SCR), гигантского транзистора (GTR), тиристора (GRO)
-
Травление вафельные
Пластины для травления кремния, предлагаемые PAM-XIAMEN, представляют собой пластины для травления типа N или P, которые имеют низкую шероховатость, низкую отражательную способность и высокую отражательную способность. Пластина для травления имеет характеристики низкой шероховатости, хорошего блеска и относительно низкой стоимости и напрямую заменяет полированную пластину или эпитаксиальную пластину, которая имеет относительно высокую стоимость для производства электронных элементов в некоторых областях, что снижает затраты.
-
Float-Zone монокристаллического кремния
PAM-XIAMEN может предложить кремниевую пластину с плавающей зоной, которую получают методом плавающей зоны. Стержни из монокристаллического кремния получают путем выращивания в плавающей зоне, а затем обрабатывают стержни из монокристаллического кремния в кремниевые пластины, называемые кремниевыми пластинами в плавающей зоне. Поскольку кремниевая пластина зонной плавки не находится в контакте с кварцевым тиглем во время процесса кремния с плавающей зоной, кремниевый материал находится во взвешенном состоянии. Тем самым он меньше загрязняется в процессе плавки кремния с плавающей зоной. Содержание углерода и кислорода ниже, примесей меньше, удельное сопротивление выше. Он подходит для производства силовых устройств и некоторых высоковольтных электронных устройств.
-
SiC эпитаксии
Мы обеспечиваем индивидуальную тонкопленочную (карбид кремния) эпитаксию SiC на подложках 6H или 4H для разработки устройств из карбида кремния. Пластина SiC epi в основном используется для диодов Шоттки, металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов, эффекта поля перехода -
GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN производит различные типы полупроводниковых материалов n-типа, легированных кремнием epi-wafer III-V, на основе Ga, Al, In, As и P, выращенных методом MBE или MOCVD. Мы поставляем изготовленные на заказ эпивафельные структуры из GaAs в соответствии со спецификациями клиентов. Свяжитесь с нами для получения дополнительной информации.
-
Эпитаксиальный кремний вафельный
Кремниевая эпитаксиальная пластина (Epi Wafer) - это слой эпитаксиального монокристалла кремния, нанесенного на монокристаллическую кремниевую пластину (примечание: он доступен для выращивания слоя поликристаллического кремния поверх высоколегированной однокристаллической кремниевой пластины, но он требуется буферный слой (например, оксид или поли-Si) между основной подложкой Si и верхним эпитаксиальным слоем кремния.Он также может использоваться для тонкопленочных транзисторов.
Похожие продукты
-
12 "Test Grade Silicon вафельные
PAM-XIAMEN предлагает манекены с силиконовыми пластинами без покрытия 300 мм (12 дюймов), испытательного класса, n-типа или p-типа. По сравнению с другими поставщиками кремниевых пластин Powerway Wafer предлагает профессиональные услуги по конкурентоспособным ценам.
-
12″ Silicon Wafers 300mm TOX ( Si Thermal Oxidation Wafer )
PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.
-
12 "Prime Grade Silicon вафельные
PAM-XIAMEN предлагает силиконовые пластины толщиной 300 мм (12 дюймов) высшего качества, типа n или p, а толщина кремниевых пластин 300 мм составляет 775 ± 15. По сравнению с другими поставщиками кремниевых пластин цена на кремниевые пластины Powerway Wafer более конкурентоспособна при более высоком качестве. Кремниевые пластины 300 мм имеют более высокий выход на пластину, чем проницаемые кремниевые пластины большого диаметра.
