8-дюймовый монокристаллический германиевый материал

8-дюймовый монокристаллический германиевый материал

Монокристаллический германиевый (Ge) материал является важным твердым и хрупким инфракрасным оптическим материалом, относящимся к полупроводнику с непрямым переходом с высокой подвижностью дырок и подвижностью электронов. Он широко используется в аэрокосмической, высокочастотной сверхвысокочастотной электронике, оптоволоконной связи, инфракрасной оптике, солнечных элементах и ​​других областях.PAM-XIAMEN может предложить монокристаллический германиевый материал размером от 2 до 8 дюймов. Больше германиевых пластин, пожалуйста, посетитеhttps://www.powerwaywafer.com/germanium-wafer/germanium-single-crystals-and-wafers.html. Ниже приводятся конкретные параметры 8-дюймовой монокристаллической германиевой полупроводниковой пластины:

Монокристаллический германиевый материал

1. 8-дюймовая монокристаллическая германиевая подложка

PAM221222-GE

Пункт 8-дюймовая монокристаллическая пластина Ge
Диаметр 200 мм
проводимость Н/Д (нелегированный)
Толщина 725+/-25 мкм
Полустандартный вырез 110
удельное сопротивление >1 Ом.см
ГБИР/ТТВ макс. 15 мкм (база на WEE: 5 мм)
Лук / Деформация макс. 50 мкм (база на WEE: 5 мм)
Частица (> = 0,2 мкм) 30 макс.
Чистота поверхности Двусторонняя полировка
Загрязнение металлами (Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Na, Ni, Zn) Все металлы <2E10 атомов/см2

 

2. Вопросы, требующие внимания в процессе резки монокристаллического германиевого материала

В процессе резки монокристаллического германия выделяемое тепло оказывает большое влияние на точность обработки, образование стружки, срок службы инструмента и целостность обрабатываемой поверхности. Поэтому необходимо обращать внимание на температуру резки и распределение монокристалла германия в процессе резки.

В результате изучения и анализа резки монокристалла германия с помощью технологии микрообработки путем моделирования с однофакторной переменной было обнаружено, что:

  • Максимальная температура резания снижается с увеличением скорости вращения шпинделя; С увеличением скорости подачи увеличивается и температура резания; С увеличением глубины резания будет увеличиваться и максимальная температура резания;
  • Максимальная температура резания снижается с увеличением переднего угла инструмента, а температура отрицательного переднего угла инструмента выше, чем температура положительного переднего угла; Температура резания существенно не снижается с увеличением угла наклона резца; Максимальная температура резания увеличивается с увеличением радиуса вершины инструмента.

Поэтому мы напоминаем вам, что при использовании технологии микрообработки для обработки германиевого полупроводникового материала вы должны выбрать подходящие параметры обработки для скорости шпинделя, скорости подачи, глубины резания и т. Д.

Сообщается, что выбор следующего теоретического значения для режущего инструмента может эффективно снизить температуру микрорезки монокристаллического германия, тем самым повышая точность обработки и эффективность монокристаллического германиевого полупроводникового материала:

Скорость шпинделя: 3000р/мин

Скорость подачи: 12 мм/мин.

Глубина резания: 3 мкм

Радиус дуги кончика инструмента: 1 мм

Передний угол инструмента: – 10°

Задний угол инструмента: 20°

 

Примечание:
Правительство Китая объявило о новых ограничениях на экспорт галлиевых материалов (таких как GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs и GaSb) и германиевых материалов, используемых для изготовления полупроводниковых чипов. С 1 августа 2023 года экспорт этих материалов разрешен только при наличии лицензии Министерства торговли Китая. Надеемся на ваше понимание и сотрудничество!

powerwaywafer

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.

Поделиться этой записью