Монокристаллы, вафель и CRYSTAL СУБСТРАТЫ-7

Монокристаллы, вафель и CRYSTAL СУБСТРАТЫ-7

РАМ СЯМЫНЬ предлагает монокристаллы, вафли и хрустальные подложки.

PAM XIAMEN provides both standard and customized high quality single crystals, wafers and substrates for a wide range of applications such as LED, ferroelectric, piezoelectric, electro-optical, photonics, high power electronics, and high frequency power devices, just to name a few. Customized crystal growth and precision machining services are available. Please contact us today to discuss your project requirements.

By working with PAM XIAMEN, you can get customized crystal substrates, single crystals, and wafers to meet your specific requirements.  Even for customized crystal products, you will still appreciate the short lead time and favorable prices from PAM XIAMEN when compared to most other crystals suppliers.  This is why research institutions and technology companies around the world have switched from other suppliers to PAM XIAMEN when they have needs for crystals, wafers and substrates.

Свяжитесь с нами сегодня, чтобы заказать монолитные монокристаллы, пластины и хрустальные субстраты, которые отвечают вашим техническим требованиям.

CsI ​​цезий йодистый сцинтилляционный кристалл Tl Na легированный / нелегированного
Церий Фтор CeF3 Кристалл
BGO Висмут германатного Bi4Ge3O12 сцинтилляционный кристалл кристаллы
BaTiO3 BTO барий титанат Кристалл Подложка
Барий Фтор BaF2 Кристалл
6 в карбида кремния Вафельная 4H-SiC, N-типа или полуизолирующих
5 х 20 мм Любого других самолеты внеосевого N-тип нелегированного Галлий Нитрид монокристалл
5 х 10 мм (20-21) Плоскость Н-типа нелегированных Автономной Нитрид галлия (GaN) монокристалл
4 в карбида кремния Вафельная 4H-SiC, N-типа или полуизолирующих
3 в карбида кремния Вафельная 4H-SiC, N-типа или полуизолирующих
2 в карбида кремния Вафли 6H или 4H N-типа или полуизолирующих подложках
10 мм х 10 мм Ge, легированный N-тип Галлий Нитрид монокристалл С плоскостью (0001)
LSAT Кристалл Субстраты (La, Sr) (Al, Ta) O 3 Кристалл

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Найдено в 1990 году, Сямэнь Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-СЯМЫНЬ) является ведущим производителем полупроводникового материала в Китае. РАМ-СЯМЫНЬ разрабатывает передовые роста кристаллов и эпитаксию технологию, производственные процессы, спроектированные подложки и полупроводниковые приборы. технологии PAM-СЯМЫНЬ позволяют более высокую производительность и низкую стоимость изготовления полупроводниковой пластины.

С более чем 25 + лет опыта в области полупроводникового соединения материального и экспортного бизнеса, наша команда может гарантировать, что мы можем понять ваши требования и иметь дело с вашим проектом профессионально.

2019-03-12

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

CZT Asymmetry(Hemispherical) Detector

PAM-H01 series are CZT crystal based hemispherical detectors which have a special structure. They can detect X-ray and middle to high energy γ-ray in a high energy resolution. CZT Asymmetry Detector 1. CZT High Energy Resolution Detector Specification Material CdZnTe Density 5.8g/cm3 Volume resistance >1010Ω.cm Dimensions 5.0×5.0mm2 10.0×10.0mm2 Thickness 2.50mm 5.0mm Electrode material Au Operation temperature 0℃-+40℃ （standard）/ -20℃-+40℃ (customized) Operation  voltage ≤900V Energy range 10KeV~2.6MeV Energy resolution(22℃) <2.5%@662MeV Peak-compton ratio >3 Storage temperture 10℃~40℃ Storage humidity 20%-80% Remarks Customized [...]

2019-04-24мета-автор
SiC-On-SiC Epi Wafer For Pin-Diodes

PAM-XIAMEN offers SiC-on-SiC epi wafer for pin-diodes (p-n junction SiC epi wafer) as follows: SiC-On-SiC Epi Wafer For Pin-Diodes 1. Specifications of SiC Epitaxy on Silicon Carbide Substrate pin-diodes structure 1: SiC-on-SiC epi-wafer  PAM060320-SIC p+[Al]: 5 µm, gradient doping, Na-Nd = 5*10^18 – 1*10^20 ± 50% cm-3 p[Al]: [...]

2020-08-04мета-автор
Semiconductor Science and Technology The influence of growth conditions on the quality of CdZnTe single crystals

Experimental conditions were investigated for growth of inclusion-free near-stoichiometric CdZnTe single crystals with a minimized concentration of native point defects. The positions of the stoichiometric line PS = 8×105exp (-1.76×104/T) (atm) and the room-temperature and high-temperature p-n lines were evaluated from high-temperature in situ [...]

2019-07-16мета-автор
Te-Dy-Fe (Directionally solidified GMM)

PAM XIAMEN offers Te-Dy-Fe (Directionally solidified GMM). Giant magnetostrictive material is an alloy made of terbium, dysprosium and iron by directional solidification. It can change electrical energy into mechanical action or vice versa because of its merit as being sensing and actuating material. Demanding [...]

2019-05-20мета-автор
Mo-Coated Sodalime Glass

PAM XIAMEN offers Mo-Coated Sodalime Glass Wafer. Here is a wafer list for your reference: PAM210713-MO Item Length Width Thickness Surface Finished Mo-coating Sodalime Glass Wafer 100 mm 100 mm 1000 nm Single side polished Mo-coating Sodalime Glass Substrate 20 mm 15 mm 1000 nm Single side polished Mo-coating Sodalime Glass Sheet 25 mm 25 mm 1000 nm Single side polished Mo-coated Sodalime Glass Wafer 100 mm 100 [...]

2019-04-28мета-автор
80+1mm FZ Si Ingot

PAM XIAMEN offers 80+1mm FZ Si Ingot FZ Si Ingot Diameter 80+1mm, N-type, <111>±2° Resistivity 1000-3000Ωcm Oxygen/Carbon Content 10Е16см-3 The silicon content not less than 99.999999% Length 150-480mm MCC lifetime>1000μs The dislocation density not, Swirl not For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-03-11мета-автор