Детектор SWIR (коротковолновый инфракрасный) широко используется в аэрокосмическом дистанционном зондировании, ночном видении при слабом освещении, медицинской диагностике, сельском хозяйстве, мониторинге безопасности и других областях. Коротковолновый инфракрасный детектор InGaAs обладает характеристиками высокой скорости обнаружения, высокой однородности и высокой стабильности и является одним из идеальных вариантов для разработки миниатюрных, маломощных и высоконадежных коротковолновых инфракрасных оптоэлектронных систем. Что касается фокальной плоскости InGaAs с обычной длиной волны, она развилась с 256 × 1, 512 × 1 изолиний элемента до 320 × 256, 640 × 512, 1280 × 1024 и других характеристик массива площади. А обнаруживаемость и темновой ток постоянно улучшаются.PAM-СЯМЫНЬможет предложить SWIR-детектор на основе InGaAs с пикселями 320 × 256, 640 × 512 и 1280 × 1024. Дополнительные параметры см. в технических паспортах ниже:
1. Спецификация для детекторов InGaAs SWIR
1.1 640 x 512 InGaAs (моделирование) Инфракрасный детектор
| Продукт | Основные параметры | |
| Инфракрасный детектор MW 640 x 512 InGaAs (моделирование) | Количество пикселей | 640 х 512 |
| Pixel Pitch | 15 мкм | |
| Пиксельная работоспособность | 99% | |
| Неоднородность ответов | ≤6% | |
| Диапазон спектральной чувствительности детектора | 0,9 мкм~1,7 мкм | |
| Максимальная частота кадров | ≥300 Hz@8Passageway | |
| Выходной сигнал | моделирование | |
| Усиление | 3 бара | |
| Выходной канал | 2/4/8 | |
| интеграция | ИТР или ИВР | |
| Квантовая эффективность | ≥70%@(1,0-1,6 мкм) | |
| Темновой ток устройства | ≤20fA@-0.1V, 273k | |
| Типичная потребляемая мощность | 280 мВт | |
| Рабочая Температура | -40℃-+50℃ | |
| Температура хранения | -55℃-+70℃ | |
| Вес | ≤20г | |
| Другие особенности | ВНУТРЕННИЕ CDS, оконный проем | |
1.2 ИК-детектор на основе InGaAs, 640 x 512 (цифры)
| Продукт | Основные параметры | |
| Инфракрасный детектор MW 640 x 512 InGaAs (цифры) | Количество пикселей | 640 х 512 |
| Pixel Pitch | 15 мкм | |
| Пиксельная работоспособность | 99% | |
| Неоднородность ответов | ≤6% | |
| Диапазон спектральной чувствительности детектора | 0,9 мкм~1,7 мкм | |
| Максимальная частота кадров | ≥60 Гц | |
| Выходной сигнал | чисел | |
| Усиление | 2 бара | |
| Выходной канал | 2 | |
| интеграция | ИТР или ИВР | |
| Квантовая эффективность | ≥70%@(1,0-1,6 мкм) | |
| Темновой ток устройства | ≤20fA@-0.1V, 273K | |
| Типичная потребляемая мощность | 300 мВт | |
| Рабочая Температура | -40℃-+50℃ | |
| Температура хранения | -55℃-+70℃ | |
| Вес | ≤20г | |
| Другие особенности | Встроенный 14-битный АЦП | |
1.3 Детектор InGaAs 320 x 256 (моделирование)
| Продукт | Основные параметры | |
| Инфракрасный детектор MW 320 x 256 InGaAs (моделирование) | Количество пикселей | 320 х 256 |
| Pixel Pitch | 30 мкм | |
| Пиксельная работоспособность | 99% | |
| Неоднородность ответов | ≤6% | |
| Диапазон спектральной чувствительности детектора | 0,9 мкм~1,7 мкм | |
| Максимальная частота кадров | ≥300 Hz@4Passageway | |
| Выходной сигнал | моделирование | |
| Усиление | 2 бара | |
| Выходной канал | 1/2/4 | |
| интеграция | ИТР или ИВР | |
| Квантовая эффективность | ≥70%@(1,0-1,6 мкм) | |
| Темновой ток устройства | ≤100fA@-0.1V, 273k | |
| Типичная потребляемая мощность | 280 мВт | |
| Рабочая Температура | -40℃-+50℃ | |
| Температура хранения | -55℃-+70℃ | |
| Вес | ≤20г | |
| Другие особенности | ВНУТРЕННИЕ CDS, оконный проем | |
1.4 Расширенный детектор InGaAs SWIR с разрешением 1280 x 1024 пикселей (цифры)
| Продукт | Основные параметры | |
| MW 1280 x 1024 InGaAs (цифры) Инфракрасный детектор | Количество пикселей | 1280 х 1024 |
| Pixel Pitch | 10 мм | |
| Пиксельная работоспособность | 99% | |
| Неоднородность ответов | ≤6% | |
| Диапазон спектральной чувствительности детектора | 0,9 мкм~1,7 мкм | |
| Максимальная частота кадров | ≥50 Hz@4Passageway | |
| Выходной сигнал | чисел | |
| Усиление | ≥2 бар | |
| Выходной канал | 4 | |
| интеграция | ИТР или ИВР | |
| Квантовая эффективность | ≥70%@(1,0-1,6 мкм) | |
| Темновой ток устройства | ≤10fA@-0.1V, 273k | |
| Типичная потребляемая мощность | 370 мВт | |
| Рабочая Температура | -40℃-+50℃ | |
| Температура хранения | -55℃-+70℃ | |
| Вес | ≤20г | |
| Другие особенности | ВСТРОЕННЫЙ 15-БИТНЫЙ АЦП, динамический диапазон ≥80 дБ | |
2. Особенности технологии визуализации на основе массива SWIR-детекторов
Формирователи изображений SWIR InGaAs в основном имеют следующие характеристики:
1) SWIR-изображение в основном основано на принципе визуализации мишени в отраженном свете. Изображение имеет характеристики высокой контрастности изображения и четких деталей цели;
2) Формирователь изображения на основе квантовых точек SWIR менее подвержен влиянию атмосферного рассеяния на большое эффективное расстояние обнаружения и обладает сильной способностью проникать сквозь туман, дымку и дым. Приспособляемость детектора SWIR к климатическим условиям и условиям поля боя превосходит возможности визуализации в видимом свете;
3) фотонное излучение в основном распределяется в диапазоне SWIR 1,0–1,8 мкм в режиме ночного видения, что делает детекторы SWIR InGaAs для ночного видения более мощными, чем для визуализации ночного видения в видимом свете;
4) Since the maturity of laser light source technology, SWIR InGaAs focal plane imaging has an obvious comparative advantage in stealth active imaging.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.