GaN - СЯМЫНЬ POWERWAY

Высококачественные толстые слои гидридной парофазной эпитаксии с низкой плотностью дислокаций (HVPE) GaN

Высококачественная толстая гидридная парофазная эпитаксия с низкой плотностью дислокаций (HVPE). Слои GaN. Толстые высококачественные слои нитрида галлия (GaN), имеющие плотность дислокаций, уменьшенную до 6×106 см-2, были выращены методом гидридной парофазной эпитаксии (HVPE). Характеристики сканирующей электронной микроскопии (SEM), измерения двойной рентгеновской дифракции (XRD), эксперименты по фотолюминесценции и отражательной способности, оба при 4,5 К, имеют...

2017-10-14GaN, HVPE, Низкая плотность дислокаций, Толстые слоиЧитать далее...

Изготовление пластин GaN для электронных и оптоэлектронных устройств.

Изготовление пластин GaN для электронных и оптоэлектронных устройств Описано изготовление пластин GaN из булей (слитков) GaN. Були нитрида галлия были выращены методом газофазной эпитаксии гидрида, нарезаны ломтиками и откалиброваны в заготовки пластин. Заготовки пластин GaN были притерты и отполированы. Галлиевая сторона пластины была...

2017-09-26Изготовление пластин GaN, Нитрид галлия, GaN, подложкаЧитать далее...

Гибридные чипы из нитрида галлия и кремния

Гибридные чипы из нитрида галлия и кремния Исследователи из Массачусетского технологического института говорят, что они сделали большой шаг к объединению возможностей кремния, используемого в компьютерных чипах, со свойствами сложных полупроводников, используемых в лазерах и мощной электронике. В октябрьском выпуске журнала IEEE Electron Device Letters они сообщают, что выяснили...

2017-08-11GaN, Ган Лед, GaN на Si, Ган силаЧитать далее...

Что такое ГаН?

GaN(Gallium nitride), which is a compound semiconductor,it is a hard, high melting point materials, the melting point of about 1700 ° C, GaN is a high degree of ionizationof III-V compound (0.5 or 0.43). At atmospheric pressure, the GaN crystal is generally hexagonal wurtzite structure. In a cell four atoms, the atomic volume is about halfthat of the GaAs. GaN is Non-Toxic. Basic Parameters for Wurtzite crystal structure at 300K: Breakdown field ~5 x 106 V cm-1 Mobility electrons =< 1000 cm2 V-1 s-1 Mobility holes =< 200 cm2 V-1 s-1 Diffusion coefficient electrons 25 cm2 s-1 Diffusion...

2017-05-21GaNЧитать далее...