Тег - GaN на Si

Температурно-зависимые электрические характеристики высоковольтных HEMT AlGaN/GaN-on-Si с контактами Шоттки и омическими стоками

Основные моменты • Мы изготовили высоковольтные HEMT AlGaN/GaN-on-Si с электродами Шоттки и омическими стоками. •Исследуем влияние температуры на электрические параметры изготовленных устройств. •Использование контактов стока Шоттки увеличивает напряжение пробоя с 505 до 900 В. •SD-HEMT характеризуются меньшим увеличением Ron с ростом температуры. Аннотация В этой работе [...]

2015-07-21 , , Читать далее...

Эпитаксиальная технология GaN

Эпитаксиальная технология GaN Технология GaN сегодня является важным технологическим игроком: нитрид галлия на карбиде кремния (GaN на SiC), нитрид галлия на кремнии (GaN на Si) и нитрид галлия на сапфире (GaN на сапфире). Они используются в светодиодных, радиочастотных и микроволновых устройствах. Мы видим дилемму в GaN [...]

2015-01-06 , , Читать далее...

Гибридные чипы из нитрида галлия и кремния

Гибридные чипы из нитрида галлия и кремния Исследователи из Массачусетского технологического института говорят, что они сделали большой шаг к объединению возможностей кремния, используемого в компьютерных чипах, со свойствами сложных полупроводников, используемых в лазерах и мощной электронике. В октябрьском выпуске журнала IEEE Electron Device Letters они сообщают, что [...]

2014-08-11 , , , Читать далее...