В зависимости от температуры рост единых квантовых скважин Ingan/Gan Ongain/Gan Ongeum Well (SQW) при различных температурах роста Ingan был выращен с помощью металлического осаждения пары (MOCVD), изучаются поверхностные морфологии и оптические свойства. Радиус типичных V-наборов на поверхности SQW влияет ...
Анализ надежности лазерного диода Ingan Blu-ray Целью данной работы является глубинный анализ надежности Blu-ray laser-лазерных диодов (LD), представленных в CW-стресс при различных токах и температурах. Во время тестов на надежность устройства LD демонстрируют постепенное повышение порогового тока, в то время как на эффективность наклона почти не влияет ...
Рост слоев Ingan на (1 1 1) кремниевых субстратах путем реактивного распыления пленок Ингана выращивали на (1 1 1) кремниевые субстраты путем реактивного магнетронного распыления. Было продемонстрировано, что индийный состав в пленках Ingan может контролироваться путем изменения соотношения применяемой радиочастотной силы мишени для индия ...