Изготовление пластин GaN для электронных и оптоэлектронных устройств.
Изготовление пластин GaN для электронных и оптоэлектронных устройств Описано изготовление пластин GaN из булей (слитков) GaN. Були нитрида галлия были выращены методом газофазной эпитаксии гидрида, нарезаны ломтиками и откалиброваны в заготовки пластин. Заготовки пластин GaN были притерты и отполированы. Галлиевая сторона пластины была...