Фото Маска

PAM-СЯМЫНЬ ПредложенияPhotomasks

Фото маска представляет собой тонкий слой маскирующего материала, поддерживаемый более толстой подложкой, и Маскирующий материал поглощает свет в различной степени и могут быть сформированы с помощью пользовательского дизайна. Шаблон используется для модуляции света и перенесите рисунок с помощью процесса фотолитографии, который является фундаментальным процессом, используемым для построения практически всех современных цифровых устройств.

  • Описание

Описание продукта

Фото Маска

PAM-СЯМЫНЬ ПредложенияPhotomasks

Фотошаблон большого размера

Фотошаблон Middium и малый размер

Фотографическая пластина

Фотопленка высокой печати

Фотопленка

фото маскапредставляет собой тонкое покрытие из маскирующего материала, поддерживаемое более толстой подложкой, и маскирующий материал поглощает свет в различной степени и может иметь узор с индивидуальным дизайном. Шаблон используется для модуляции света и передачи рисунка в процессе фотолитографии, который является фундаментальным процессом, используемым для создания почти всех современных цифровых устройств.

Что такое фотошаблон

Фотомаска - это непрозрачная пластина с отверстиями или прозрачными пленками, через которые свет проходит через определенный узор. Они обычно используются в фотолитографии. Литографическийфотошаблоныобычно представляют собой прозрачные заготовки из плавленого кварца, покрытые узором, образованным хромовой пленкой, поглощающей металл.Photomasks are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Материалы маски - Разница между кварцевым и натриевым стеклом:

Наиболее распространенными видами стекла для изготовления масок являются кварцевое и натриевое. Кварц более дорогой, но имеет преимущество в гораздо более низком коэффициенте теплового расширения (что означает, что он меньше расширяется, если маска нагревается во время использования), а также прозрачен на более глубоких длинах волн ультрафиолета (DUV), где натриево-известковое стекло непрозрачно. Кварц необходимо использовать там, где длина волны, используемая для экспонирования маски, меньше или равна 365 нм (i-линия). Маска для фотолитографии представляет собой непрозрачную пластину или пленку с прозрачными областями, которые позволяют свету проходить через определенный узор. Они обычно используются в процессах фотолитографии, но также используются во многих других приложениях в широком спектре отраслей и технологий. Для разных приложений существуют разные типы масок, в зависимости от необходимого разрешения.

Для получения дополнительных сведений о продукте свяжитесь с нами по адресу [email protected] или [email protected]

 

1X Мастер Маска

1X размеры основной маски и материалы подложки

Продукт Размеры Материалы подложки
1X Мастер 4 дюйма X4 дюйма X0,060 дюйма или 0,090 дюйма Кварц и содовая известь
5 дюймов X5 дюймов X0,090 дюйма Кварц и содовая известь
6 дюймов X6 дюймов X0,120 дюйма или 0,250 дюйма Кварц и содовая известь
7 дюймов X7 дюймов X0,120 дюйма или 0,150 дюйма Кварц и содовая известь
7,25 дюйма, круглый X 0,150 дюйма кварцевый
9 ”X9” X0.120 ”или 0.190” Кварц и содовая известь

 

Общие характеристики 1X Master Masks (кварцевый материал)

Размер компакт-диска CD Среднее-номинальное CD-однородность Регистрация Размер дефекта
2,0 мкм ≤0,25 мкм ≤0,25 мкм ≤0,25 мкм ≥2,0 мкм
4.0 мкм ≤0,30 мкм ≤0,30 мкм ≤0,30 мкм ≥3,5 мкм

 

Общая спецификация для 1X Master Masks (натронная известь)

Размер компакт-диска CD Среднее-номинальное CD-однородность Регистрация Размер дефекта
≤4 мкм ≤0,25 мкм ---- ≤0,25 мкм ≥3,0 мкм
> 4 мкм ≤0,30 мкм ---- ≤0,45 мкм ≥5,0 мкм

 

UT1X Маска

Размеры маски UT1X и материалы подложки

Продукт Размеры Материал подложки
UT1X 3 ″ X5 ″ X0,090 ″ кварцевый
5 ″ X5 ″ X0,090 ″ кварцевый
6 ″ X6 ″ X0,120 ″ или 0,250 ″ кварцевый

 

Общие характеристики масок UT1X

Размер компакт-диска CD Среднее-номинальное CD-однородность Регистрация Размер дефекта
1,5 мкм ≤0,15 мкм ≤0,15 мкм ≤0,15 мкм ≥0,50 мкм
3,0 мкм ≤0,20 мкм ≤0,20 мкм ≤0,20 мкм ≥0,60 мкм
4.0 мкм ≤0,25 мкм ≤0,25 мкм ≤0,20 мкм ≥0,75 мкм

 

Стандартные двоичные маски

Стандартные бинарные размеры маски и материалы подложки

Продукт Размеры Материалы подложки
2X 6 ″ X 6 ″ X0,250 ″ кварцевый
В 2,5 раза
4X
5X 5 ″ X5 ″ X0,090 ″ кварцевый
6 ″ X6 ″ X0,250 ″ кварцевый

 

Общие спецификации для стандартных двоичных масок

Размер компакт-диска CD Среднее-номинальное CD-однородность Регистрация Размер дефекта
2,0 мкм ≤0,10 мкм ≤0,15 мкм ≤0,10 мкм ≥0,50 мкм
3,0 мкм ≤0,15 мкм ≤0,15 мкм ≤0,15 мкм ≥0,75 мкм
4.0 мкм ≤0,20 мкм ≤0,20 мкм ≤0,20 мкм ≥1,00 мкм

 

Маски средней площади

Размеры и материалы маски средней площади

Продукт Размеры Материалы подложки
1X 9 ″ X9 ″ 0,120 ″ Кварцевая натронная известь (доступны поглотители как хрома, так и оксида железа)
9 ″ X9 ″ 0,190 ″ кварцевый

 

Общие характеристики масок средней площади (кварцевый материал)

Размер компакт-диска CD Среднее-номинальное CD-однородность Регистрация Размер дефекта
0,50 мкм ≤0,20 мкм ---- ≤0,15 мкм ≥1,50 мкм

 

Общие характеристики масок средней площади (натронная известь)

Размер компакт-диска CD Среднее-номинальное CD-однородность Регистрация Размер дефекта
10 мм ≤4,0 мкм ---- ≤4,0 мкм ≥10 мкм
4 мкм ≤2,0 мкм ---- ≤1,0 мкм ≥5 мкм
2,5 мкм ≤0,5 мкм ---- ≤0,75 мкм ≥3 мкм

Вам также может понравиться ...