Отожженная кремниевая пластина может иметь низкую плотность дефектов отPAM-СЯМЫНЬ. Целью использования отожженной пластины является устранение дефектов на поверхности кремниевой пластины и в области изготовления компонентов поверхностного слоя, а также способность улавливать загрязнения тяжелыми металлами, повышая выход чипа.
1. Параметры кремниевой отожженной пластины
ПАМ-210618-СИ
| Sl. Нет. | Спецификация | Значение |
| 1 | класс | простое число |
| 2 | Метод роста | CZ |
| 3 | Диаметр | 150 ± 0,3 мм |
| 4 | Тип / присадка | N (мышьяк/фосфор) |
| 5 | Ориентация | <111> ± 0,1° |
| 6 | Толщина | 350 ± 10 мкм |
| 7 | удельное сопротивление | 0,001 – 0,005 Ом·см |
| 8 | Пустоты/Дефекты | Ни один |
| 9 | Содержание углерода | 0,5 млн./млн |
| 10 | Содержание кислорода | 28 ± 5 частей на миллион |
| 11 | Вафельная первичная плоская | ПОЛУСТАНДАРТ |
| 12 | Вторичная квартира | Ни один |
| 13 | Общее изменение толщины (TTV) | 10 мкм (макс.) |
| 14 | Лук/ Деформация | 40 мкм (макс.) |
| 15 | конусность | 10 мкм (макс.) |
| 16 | Изменение радиального сопротивления в пластине | 8 % (макс.) |
| 17 | вывих | 100/см2(Максимум) |
| 18 | Отделка | Двусторонняя полировка (DSP) |
| 19 | Внешность | Без царапин, матовость должна быть видна при ярком коллимированном свете (с обеих сторон) |
| 20 | Пограничное исключение | ≤ 5 мм |
| 21 | Пустоты/Дефекты | Ни один |
| 22 | Упаковка | Должен быть запечатан в среде «Класс 10» в двухслойной упаковке. Пластины должны транспортироваться в контейнерах для пластин Fluorware ORION TWO или эквивалентных устройствах, изготовленных из сверхчистого полипропилена. |
| 23 | Сертификация | Поставщик должен предоставить сертификат соответствия спецификации на отгружаемые партии продукции. |
2. Процесс отжига пластин
Отожженная пластина формируетполированная пластинав диффузионной печи. Пластина для отжига водородом высокой чистоты предназначена для помещения полированной кремниевой пластины в печь для отжига пластин / диффузионную печь. Кремниевая пластина отжигается в атмосфере водорода или аргона при высокой температуре 1100~1200°C. Через несколько часов кислород в поверхностном слое пластины может диффундировать наружу, что может значительно снизить концентрацию кислорода в поверхностном слое и устранить дефекты крошечных кристаллических частиц (COP), образовавшиеся в процессе вытягивания кристаллов. Кроме того, объемный микродефект (BMD), образующийся в процессе высокотемпературной термообработки, может поглощать металлические примеси, которые быстро диффундируют по поверхности пластины, тем самым обеспечивая лучшее кристаллическое совершенство, которое может удовлетворить более высокие требования к травлению полупроводников, улучшая Выход полупроводниковых ИС и качество продукции.
3. Отраслевые стандарты для отжига кремниевых пластин
Стандарты подходят для отожженных кремниевых пластин с шириной линии 180 нм, 130 нм и 90 нм, которые предназначены для производства полупроводниковых устройств и интегральных схем. Конкретные технические требования к пластинам, отожженным в водороде/аргоне, указаны в таблице:
| Пункт | 180 нм | 130 нм | 90 нм | |
| Состояние пластины перед отжигом (полировка пластины) | ||||
| 1.0 | Основные характеристики | |||
| 1.1 | Метод роста | ЧР/МЗ | ||
| 1.2 | Ориентация | <100> | ||
| 1.3 | Тип проводимости | P | ||
| 1.4 | добавка | Бор | ||
| 1.5 | Удаление края | 3 мм | 3 мм | 2 мм |
| 1.6 | Другие присадки | Азот или углерод определяется поставщиком и покупателем | ||
| 1.7 | Отклонение ориентации поверхности кристалла | 0,00°± 1,00° | ||
| 2.0 | Электрические характеристики | |||
| 2.1 | Удельное сопротивление (центральная точка) | Оговаривается между поставщиком и потребителем | ||
| 2.2 | Изменение радиального сопротивления | ≤20% | ||
| 3.0 | Химические свойства | |||
| 3.1 | Содержание кислорода/поправочный коэффициент | По согласованию между покупателем и поставщиком | ||
| 3.2 | Радиальные кислородные вариации | ±10% (край 10 мм) | ||
| 3.3 | Содержание углерода | ≤0,5 частей на миллион | ||
| 6.0 | Геометрический размер | |||
| 6.1 | Диаметр | 200 мм±0,2 мм | 300 мм±0,2 мм | 300 мм±0,2 мм |
| 6.2 | Полировка краев | Оговаривается покупателем и поставщиком | ||
| 6.3 | Толщина | 725 мкм ± 20 мкм (вырезанная или базовая поверхность) |
775 мкм ± 20 мкм | 775 мкм ± 20 мкм |
| 6.4 | TTV | ≤10 мкм | ||
| 7.0 | Характеристики задней поверхности | |||
| 7.1 | Чипирование | Ни один | ||
| 7.2 | Яркость (глянец) | Не предусмотрено | 0,80 (80% переднего блеска) | 0,80 (80% переднего блеска) |
| 7.3 | Скретч (макрос) Общая длина | ≤0,25×диаметр | ||
| 8.0 | Условия отжига | |||
| 8.1 | Отжиг окружающей среды | Водород, аргон или др.
(Подлежит согласованию между поставщиком и заказчиком) |
Водород, аргон или др.
(Подлежит согласованию между поставщиком и заказчиком) |
Водород, аргон или др.
(Подлежит согласованию между поставщиком и заказчиком) |
| 9.0 | Состояние кремниевой пластины после отжига | |||
| 9.1 | Состояние кромки поверхности | Коррозия или полировка (по согласованию между поставщиком и покупателем) | ||
| 10.0 | Геометрия кремниевой пластины после отжига | |||
| 10.1 | деформироваться | ≤75 мкм | ≤100 мкм | ≤100 мкм |
| 10.2 | ровность | SFQR≤180 нм | SFQR≤130 нм | SFQR≤90 нм |
| 11.0 | Поверхностное содержание металла на передней поверхности кремниевой пластины после отжига | |||
| 11.1 | натрий | ≤1,3×1010см-2 | ≤1,3×1010см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 11.2 | Алюминий | ≤1×1011см-2 | ≤1×1011см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 11.3 | Калий | ≤1,3×1010см-2 | ≤1,3×1010см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 11.4 | хром | ≤1,3×1010см-2 | ≤1,3×1010см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 11.5 | Железо | ≤1,3×1010см-2 | ≤1,3×1010см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 11.6 | никель | ≤1,3×1010см-2 | ≤1,3×1010см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 11.7 | Медь | ≤1,3×1010см-2 | ≤1,3×1010см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 11.8 | цинк | ≤1×1011 см-2 | ≤1×1011 см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 11.9 | Кальций | ≤1,3×1010см-2 | ≤1,3×1010см-2 | ≤1×1010 см-2 |
| 12.0 | Контрольные элементы на лицевой стороне отожженной кремниевой пластины | |||
| 12.1 | слип | По согласованию между поставщиком и заказчиком | ||
| 12.2 | Оксидная ошибка | |||
| 12.3 | Царапины | Ни один | ||
| 12.4 | Общая длина царапины (микро) | ≤0,25×диаметр | ||
| 12.5 | Туман | Нет тумана при ярком свете | ||
| 12.6 | Общее локальное светорассеяние (общее LLS)/см-2 | 0,382@≥ 120 нм LSE |
0,270@≥ 90 нм LSE |
0,270@≥ 90 нм LSE |
| 12.7 | Локальное светорассеяние (только COP)/см2 | По согласованию между поставщиком и заказчиком | ||
| 12.8 | Другие дефекты лицевой поверхности | |||
| 13.0 | Проверка обратной стороны отожженной кремниевой пластины | |||
| 13.1 | Загрязнение/площадь | По согласованию между поставщиком и потребителем | ||
| 13.2 | Другие дефекты спины | |||
| 14.0 | Другие характеристики отожженной кремниевой пластины | |||
| 14.1 | Содержание железа | По согласованию между поставщиком и потребителем | ||
| 14.2 | Глубина зоны травления BMD | |||
| 14.3 | Плотность ПРО | |||
| 14.4 | Другие | |||
| Не предусмотрено: Это означает, что в настоящем стандарте не предъявляются требования к элементу. Если у заказчика есть требования к товару, заказчик дает спецификацию. | ||||
Примечание: обычно технические требования к термически отожженным кремниевым пластинам, производимым PAM-XIAMEN, будут выше, чем это предусмотрено в отрасли.
Как правило, производители КМОП-компонентов и производители DRAM предъявляют строгие требования к дефектам на поверхности пластины. Следовательно, использование отожженной пластины с низкой плотностью дефектов (COP, OSF) может иметь более высокое напряжение пробоя оксида затвора для увеличения выхода продукта. Кроме того, переработка полированных пластин в кремниевые пластины для отжига относительно проста, поэтому цена за единицу пластин для отжига ниже, чем у эпитаксиальных пластин, что может частично заменить спрос на кремниевые тонкопленочные эпитаксиальные пластины.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.