Нулевой дифракция пластинчатые 2

Нулевой дифракция пластинчатые 2

PAM XIAMEN предлагает нулевую дифракционную пластину.

Монокристаллическая пластина для дифракции нуля SiO2 для XRD

Настольный аппарат для ориентации рентгеновских лучей для измерения ориентации монокристаллов

Нулевая дифракционная пластина для образца XRD: 30 x 30 x 2,5 мм с полостью 10 ID x 1,0 мм, 2sp, кристалл SiO2

Нулевая дифракционная пластина для образца XRD: 30 x 30 x 2,5 мм с полостью 20 ID x 1,0 мм, 2sp, кристалл SiO2

Нулевая дифракционная пластина для образца XRD: 30 x 30 x 2,5 мм, 2 точки, кристалл SiO2

Нулевая дифракционная пластина для образца XRD: 30 x 30 x 2,5 мм, 1sp, кристалл SiO2

Нулевая дифракционная пластина для образца XRD: диаметр 25 x 2,5 мм, 2 точки, кристалл SiO2

Нулевая дифракционная пластина для образца XRD: диаметр 30 x 2,5 мм, 2 точки, кристалл SiO2

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, посетите наш веб-сайт: https://www.powerwaywafer.com,
отправить нам письмо по адресу sales@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com

Основанная в 1990 году, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) является ведущим производителем полупроводниковых материалов в Китае.PAM-XIAMEN разрабатывает передовые технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, производственные процессы, инженерные подложки и полупроводниковые приборы.Технологии PAM-XIAMEN позволяют повысить производительность и снизить стоимость производства полупроводниковых пластин.

Качество является нашим главным приоритетом. PAM-XIAMEN имеет сертификат ISO9001: 2008, владеет и разделяет четыре современных завода, которые могут предоставить довольно большой ассортимент качественной продукции для удовлетворения различных потребностей наших клиентов, и каждый заказ должен обрабатываться с помощью нашей строгой системы качества. Предоставляется отчет о проверке На каждую партию и каждую вафлю есть гарантия.

2019-05-22

Поделиться этой записью

Связанный Сообщений

Homoepitaxial growth of GaN crystals by Na-flux dipping method

The realization of low-dislocation-density bulk GaN crystals is necessary for use in the fabrication of future high-power devices with low power consumption. In this study, we attempted the regrowth of low-dislocation-density (104–105 cm−2) GaN substrates to fabricate thick and low-dislocation-density GaN crystals using the dipping [...]

2019-11-18мета-автор
Fabrication and Thermal Budget Considerations of Advanced Ge and InP SOLES Substrates

The Silicon on Lattice Engineered Substrate (SOLES) platform enables monolithic integration of III-V compound semiconductor (III-V) and silicon (Si) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices. The SOLES wafer provides a device quality Si-on-Insulator (SOI) layer for CMOS device fabrication and an embedded III-V device [...]

2020-01-13мета-автор
3″ Silicon Wafer-13

PAM XIAMEN offers 3″ Silicon Wafer. Material Orient. Diam. Thck (μm) Surf. Resistivity Ωcm Comment n-type Si:Sb [111-2.5°] 3″ 300 P/E 0.014-0.018 SEMI Prime n-type Si:Sb [111-3.5°] 3″ 380 P/E 0.014-0.016 SEMI Prime n-type Si:Sb [111-3°] 3″ 300 P/E 0.011-0.016 SEMI Prime n-type Si:Sb [111] ±0.5° 3″ 300 P/P 0.01-0.20 SEMI Prime n-type Si:Sb [111] 3″ 380 P/E 0.008-0.025 SEMI Prime n-type Si:As [111-0.5°] 3″ 380 P/P 0.003-0.005 SEMI Prime n-type Si:As [111] 3″ 380 P/E/P 0.002-0.005 SEMI Prime n-type Si:As [111-2.5°] 3″ 380 P/E 0.002-0.005 SEMI Prime n-type Si:As [111-4°] 3″ 380 P/E 0.002-0.005 SEMI Prime For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material [...]

2019-03-06мета-автор
GaN Power Electronics will top one billion dollar in revenue in a couple of years thanks to a cross-fertilization with the LED industry

GaN Power Electronics will top one billion dollar in revenue in a couple of years thanks to a cross-fertilization with the LED industry SLOW RAMP-UP BUT HUGE EXPECTATIONS The GaN power device industry has probably generated less than $2.5M revenues in 2011, as only 2 companies are selling [...]

2012-07-11мета-автор
Silicon Block size 5x20mm

PAM XIAMEN offers Silicon Block size 5x20mm Si pieces Size: 5x20mm, thickness 1mm FZ R>5000 ohm.cm For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2020-04-17мета-автор
Characterization of 6.1 Å III–V materials grown on GaAs and Si: A comparison of GaSb/GaAs epitaxy and GaSb/AlSb/Si epitaxy

Highlights •GaSb p–i–n diodes were grown on Si and GaAs using interfacial misfit (IMF) arrays. •Transmission electron microscopy images revealed arrays of 90° misfit dislocations. •Threading dislocation densities of around View the MathML source were found in each case. •Lower dark currents and higher quantum efficiency was found [...]

2015-12-18мета-автор