Computer modeling of surface interactions and contaminant transport in microstructures during the rinsing of patterned semiconductor wafers

  • Home
  • News
  • Computer modeling of surface interactions and contaminant transport in microstructures during the rinsing of patterned semiconductor wafers

Computer modeling of surface interactions and contaminant transport in microstructures during the rinsing of patterned semiconductor wafers

Computer modeling of surface interactions and contamin

Highlights

•

Dynamics of contaminant removal from the surface of micro/nanotrench is simulated.

•

The trench is rectangular and made of one or two different materials.

•

Various diffusivities and surface characteristics are considered in the model.

•

In multimaterial trench, cleaning dynamics strongly depends on stacking order.

•

Dynamics has two regimes when desorption coefficient in top material is smaller.

 

Rinsing microstructures on a patterned semiconductor wafer is modeled. The simulation results are presented for two cases when the surfaces of a trench as the microstructure are made of a single material, or two different materials. The dynamics of contaminant removal from the microstructure surfaces and its dependence on the geometrical structure, physical characteristics of the surfaces, and contaminant diffusivity are presented. The results show that in the case of a trench with two different materials, the cleaning dynamics of the trench bed strongly depends on the stacking order of the materials. When the upper material has a smaller desorption rate coefficient, the dynamics of contaminant transport develops a smaller rate at some point in time that depends on the thickness of the layers.

Source:Sciencedirect

For more information, please visit our website:www.powerwaywafer.com, send us email at [email protected]  or [email protected] 

2014-08-10 , ,

Share this post

Related Posts

GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers for VCSEL Laser Application

PAM-XIAMEN can offer GaAs epiwafer (gallium arsenide epiwafer) with p-type & n-type AlGaAs multilayer for VCSEL laser application. The specifications of GaAs epiwafer are as follow: 1. Specifications of GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers VCSEL, 980nm, GaAs epiwafer, 4″size PAM210208 Layer No. Material Group Repeat Mole Fraction(x) Strain(ppm) PL(nm) Thickness(nm) Dopant 32 GaAs  –  –  –  –  – 156 C 31 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 50.5 C 30 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 C 29 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 C 28 Al(x)GaAs  – 16 0.04->0.87  –  – 20 C 27 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 C 26 Al(x)GaAs  – 0.87->0.04  –  – 20 C 25 Al(x)GaAs  – 0.87  –  – 59.7 C 24 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 C 23 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 32.9 C 22 Al(x)GaAs  –  – 0.80->0.04  –  – 20 C 21 Al(x)GaAs  –  – 0.98  –  – 20 C 20 Al(x)GaAs  –  – 0.8  –  – 61.6 C 19 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 18 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 17 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 16 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 15 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 14 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 13 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 12 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 Si 11 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 10 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 51.5 Si 9 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 Si 8 Al(x)GaAs  – 6 0.87  –  – 59.7 Si 7 Al(x)GaAs  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 6 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 5 Al(x)GaAs  – 30 0.92->0.04  –  – 20 Si 4 Al(x)GaAs  – 0.92  –  – 59.8 Si 3 Al(x)GaAs  – 0.04->0.92  –  – 20 Si 2 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 1 GaAs  –  –  –  –  – 500 Si 4 inch GaAs substrate Si doped; [...]

2021-04-02meta-author
Graded InGaN Enlightens Us On Molecular Interactions

A gradient is a material that has a specific molecule on its surface, with the concentration of the molecule sloping from a high concentration on one end to a low concentration at the other end. The gradient is used not only to determine whether [...]

2013-09-02meta-author
Si MEMS Wafer Grown by FZ

FZ grown high-resistance silicon wafer is offered by PAM-XIAMEN for the fabrication of MEMS (Micro-electro Mechanical System). Silicon wafer is the common material for manufacturing integrated circuits in consumer electronics. Due to the availability and competitive price with high quality of silicon material, it [...]

2021-11-03meta-author
PAM XIAMEN offers black lithium Niobate wafers for Optics and SAW Components

PAM XIAMEN offers 4″ (100mm) black lithium niobate (LiNbO3) 127.860Y-cut black wafer for Optics and SAW components 1. Dimension           Diameter/mm 100.0±0.3 Orientation Flat (OF)/mm 32.0±1.0 Second Refer. Flat (RF)/mm 10.0±3.0 Thickness/um 350±20 Edge bevel Edge rounding   2. Specification   2.1 Orientation   Surface – cut: 127.860Y-cut±0.30 Orientation Flat (OF) Parallel to +X Plane±0.30 Second Refer. Flat (RF) CCW1350±0.50from OF 2.2 Flatness   TTV ≤5um LTV ≤0.5um within an area of 5*5mm2 PLTV ≥95% (3mm [...]

2019-02-28meta-author
Gallium Nitride Is Non-Toxic, Biocompatible; Holds Promise for Implants, Research Finds

Gallium Nitride Is Non-Toxic, Biocompatible; Holds Promise for Implants, Research Finds   Gallium Nitride(GaN) is currently used in a host of technologies, from LED lighting to optic sensors, but it is not in widespread use in biomedical implants. However, the new findings from NC State and [...]

2012-06-20meta-author
Evaluation method of threshold voltage shift of SiC MOSFETs under negative gate bias using n-type SiC MOS capacitors

A novel method for estimating threshold voltage shifts of n-channel SiC MOSFETs under negative gate bias stresses has been proposed. In the proposed method, n-type SiC MOS capacitors were utilized instead of n-channel SiC MOSFETs. The n-type SiC MOS capacitors were exposed to ultraviolet [...]

2019-11-20meta-author