2-9.(Område) Waferkontamination

2-9.(Område) Waferkontamination

2-9.(Område) Waferkontamination

Alla främmande föremål på ytan i lokaliserade områden som avslöjas under hög intensitet (eller diffus) belysning som missfärgat, fläckigt eller grumligt utseende till följd av fläckar, fläckar eller vattenfläckar.

 

2018-06-28

Dela det här inlägget

Relaterad Inlägg

2-8.Secondary Flat Orientation

2-8.Secondary Flat Orientation A at of shorter length than the primary orientation at,whose position with respect to the primary  orientation at identies the face of the wafer.  

2018-06-28metaförfattare
5-3-2 Högeffektsenhetsdrift

5-3-2 Högeffektsenhetsdrift Det höga nedbrytningsfältet och den höga värmeledningsförmågan hos SiC i kombination med höga driftstemperaturer för övergångsställen tillåter teoretiskt att extremt höga effekttätheter och verkningsgrader kan realiseras i SiC-enheter. Det höga nedbrytningsfältet av SiC i förhållande till kisel möjliggör blockeringsspänningsområdet [...]

2018-06-28metaförfattare
5-4-3 Tillväxt av hexagonala SiC-skivor av polytyp

5-4-3 Tillväxt av hexagonala SiC-skivor av polytyp I slutet av 1970-talet etablerade Tairov och Tzvetkov de grundläggande principerna för en modifierad sublimeringsprocess för tillväxt av 6H-SiC. Denna process, även kallad den modifierade Lely-processen, var ett genombrott för SiC genom att [...]

2018-06-28metaförfattare
1-8.Electrical Breakdown

1-8.Electrical Breakdown The term electrical breakdown or electric breakdown has several similar but distinctly different meanings. For example, the term can apply to the failure of an electric circuit. Alternatively, it may refer to a rapid reduction in the resistance of an electrical insulator that [...]

2018-06-28metaförfattare
3-4. Step Bunching

3-4. Step Bunching Step bunching is visible as a pattern of parallel lines running perpendicular to the major  at. If present, estimate the % of speci ed area affected.  

2018-06-28metaförfattare
5-3-1 High-Temperature Device Operation

5-3-1 High-Temperature Device Operation The wide bandgap energy and low intrinsic carrier concentration of SiC allow SiC to maintain semiconductor behavior at much higher temperatures than silicon, which in turn permits SiC semiconductor device functionality at much higher temperatures than silicon . As discussed in basic semiconductor electronic [...]

2018-06-28metaförfattare