GaN mallar

Fristående GaN-substrat Fristående GaN-substrat
GaN baserad LED epitaxiell skiva GaN baserad LED epitaxiell skiva
20_thumb_G_1332109525234

GaN Templates

PAM-XIAMENs mallprodukter består av kristallina lager av (galliumnitrid)GaN-mallar, (aluminiumnitrid)AlN-mall, (aluminiumgalliumnitrid) AlGaN-mallar och (indiumgalliumnitrid) InGaN-mallar, som deponeras på safir
Kategori: Tags: , , ,
  • Beskrivning

Produktbeskrivning

GaN Template (gallium nitride template) 

PAM-XIAMEN’s GaN Template consists of crystalline layers of gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN) and indium gallium nitride (InGaN), which are epilayer on sapphire and electronic grade for fabrication as MOS-based devices. PAM-XIAMEN’s Gallium Nitride Template Products enable 20-50% shorter epitaxy cycle times and higher quality epitaxial device layers, with better structural quality and higher thermal conductivity,which can improve devices in the cost, yield, and performance.

2″(50.8mm) GaN mallar Epitaxy on Sapphire Substrates

Punkt PAM-2inch-GaNT-N PAM-2inch-GaNT-SI
ledningstyp N-typ Halvisolerande
dopningsmedel Si doped or low doped fe dopade
Storlek 2 "(50 mm) diam.
Tjocklek 4um,20um,30um,50um,100um 30um, 90um
Orientering C-axel (0001) +/- 1 °
Resistivitet (300K) <0.05Ω • cm >1×106Ω·cm
dislokation Densitet <1x108cm-2
substrat struktur  GaN on Sapphire(0001)
Ytfinish Enkel eller Double Side Polerad, epi-ready
användbar Area ≥ 90%

2″ (50.8mm)GaN Templates Epitaxy on Sapphire Substrates

Punkt PAM-GANT-P
ledningstyp P-typ
dopningsmedel mg dopad
Storlek 2 "(50 mm) diam.
Tjocklek 5um, 20um, 30um, 50 um, 100um
Orientering C-axel (0001) +/- 1 °
Resistivitet (300K) <1Ω • cm eller anpassade
dopämneskoncentration 1E17(cm-3)  or custom
substrat struktur  GaN on Sapphire(0001)
Ytfinish Enkel eller Double Side Polerad, epi-ready
användbar Area ≥ 90%

 3″(76.2mm)GaN Templates Epitaxy on Sapphire Substrates

Punkt PAM-3inch-GaNT-N
ledningstyp N-typ
dopningsmedel Si doped
Uteslutning Zone: 5mm från ytterdiametern
Tjocklek: 20um,30um
Dislocation density < 1x108cm-2
Ytmotstånd (300K): <0.05Ω • cm
Substrat:  sapphire
Orientation :  C-plane
Safir tjocklek: 430um
Putsning: Single sida Polerad, epi-ready, med atom steg.
Baksidesbeläggning: (custom)high quality Titanium coating, thickness > 0.4 μm
Förpackning: Individually packed under argon
Atmosphere vacuum sealed in class 100 clean room.

3″(76.2mm)GaN Templates Epitaxy on Sapphire Substrates

Punkt PAM-3inch-GaNT-SI
ledningstyp Halvisolerande
dopningsmedel Fe Doped
Uteslutning Zone: 5mm från ytterdiametern
Tjocklek: 20um, (är 20um bäst) 30um, 90um
Dislocation density < 1x108cm-2
Ytmotstånd (300K):  >106 ohm.cm
Substrat:  sapphire
Orientation :  C-plane
Safir tjocklek: 430um
Putsning: Single sida Polerad, epi-ready, med atom steg.
Baksidesbeläggning: (custom)high quality Titanium coating, thickness > 0.4 μm
Förpackning: Individually packed under argon Atmosphere vacuum sealed in class 100 clean room.

4″(100mm)GaN Templates Epitaxial on Sapphire Substrates

Punkt PAM-4inch-GaNT-N
ledningstyp N-typ
dopningsmedel lågdopad
Tjocklek: 4um
Dislocation density < 1x108cm-2
Ytmotstånd (300K): <0.05Ω • cm
Substrat:  sapphire
Orientation :  C-plane
Safir tjocklek: –
Putsning: Single sida Polerad, epi-ready, med atom steg.
Förpackning: Individually packed under argon Atmosphere
vacuum sealed in class 100 clean room.

2″ (50.8mm)AlGaN, InGaN, AlN Epitaxy on Sapphire Templates: custom
2”(50.8mm)AlN Epitaxy on Sapphire Templates

Punkt PAM-AlNT-SI
ledningstyp semi-insulating
Diameter Ф 50,8 mm ± 1 mm
Tjocklek: 1000 nm +/- 10%
Substrat:  sapphire
Orientation : C-axel (0001) +/- 1 °
orientering Flat Ett plan
XRD FWHM av (0002) <200 bågsekunder.
Användbar Surface Area ≥90%
 Polishing: Inget

2”(50.8mm)InGaN Epitaxy on Sapphire Templates

Punkt PAM-INGAN
Conduction Type –
Diameter Ф 50.8mm ± 1mm
Tjocklek: 100-200nm, custom
Substrat:  sapphire
Orientation : C-axis(0001)+/-1O
dopningsmedel
Dislocation Density ~ 108 cm-2
Useable Surface Area ≥90%
Surface Finish Single or Double Side Polished,epi-ready

2”(50.8mm)AlGaN Epitaxy on Sapphire Templates

Punkt PAM-AlNT-SI
ledningstyp semi-insulating
Diameter Ф 50,8 mm ± 1 mm
Tjocklek: 1000 nm +/- 10%
Substrat:  sapphire
Orientation : C-planet
orientering Flat Ett plan
XRD FWHM av (0002) <200 bågsekunder.
Användbar Surface Area ≥90%
 Polishing: Inget

GaN Template on Sapphire& Silicon

2″(50.8mm)GaN on 4H or 6H SiC substrate

1)Undoped GaN buffer or AlN buffer are available;
2)n-type(Si doped or low doped), p-type or semi-insulating GaN epitaxial layers available;
3)vertical conductive structures on n-type SiC;
4)AlGaN – 20-60nm thick, (20%-30%Al), Si doped buffer;
5)GaN n-type layer on 330µm+/-25um thick 2” wafer.
6) Single or double side polished, epi-ready, Ra<0.5um
7)Typical value on XRD:
Wafer ID Substrate ID XRD(102) XRD(002) Tjocklek
#2153 X-70105033 (with AlN) 298 167 679um
         
 Single or double side polished, epi-ready, Ra<0.5um

GaN on SiC Substrate

6″ (150mm)n-GaN on double-side polished flat sapphire

Target remark  
Substrate diameter 150 mm +/- 0.15 mm
Substrate thickness 1300 um or 1000um +/- 25 um
c-plane (0001), offcut angle towards m-plane 0.2 deg +/- 0.1 deg
Single primary flat length 47.5 mm +/- 1 mm
Flat orientation ett plan +/- 0.2 deg
Si-doped n-GaN thickness 4 um +/- 5%
Si concentration in n-GaN 5e18 cm-3 ja
u-GaN thickness 1 um no this layer
XRD rocking curve (002) < 250 arcsec <300 arcsec
XRD rocking curve (102) < 250 arcsec <350 arcsec
Dislocation density < 5e8 cm-2 ja
Front side surface, AFM (5×5 um2) Ra < 0.5 nm, Epi-ready ja
Back side surfac\e 0.6 – 1.2 um, fine ground ja
Wafer bowing < 100 um no this data
n-GaN resistivity (300K) < 0.01 ohm-cm2 ja
Total thickness variation < 25 um <10um
Defect density Macro defects (>100 um):< 1/wafer  Micro defects (1-100 um):< 1/cm2 Macro defects (>100 um):< 10/wafer Micro defects (1-100 um):< 10/cm2
Lasermärkning on the backside of the wafer flat ja
Paket packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25 pcs or single wafer containers, under nitrogen atmosphere, double sealed ja
Edge exclusion < 3 mm ja
Useable surface area > 90% ja

Hydride Vapour Phase Epitaxy (HVPE) process

GaN template on sapphire is grown by HVPE process and technology for the production of compound semiconductors such as GaN, AlN, and AlGaN. GaN templates are used in a wide applications: nanowire growth, solid state lighting, short wavelength optoelectronics and RF power device.

In the HVPE process, Group III nitrides (such as GaN, AlN) are formed by reacting hot gaseous metal chlorides (such as GaCl or AlCl) with ammonia gas (NH3). The metal chlorides are generated by passing hot HCl gas over the hot Group III metals. All reactions are done in a temperature controlled quartz furnace.

 

Anmärkning:
Den kinesiska regeringen har aviserat nya gränser för export av galliummaterial (som GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs och GaSb) och germaniummaterial som används för att tillverka halvledarchips. Från och med den 1 augusti 2023 är export av detta material endast tillåtet om vi får en licens från det kinesiska handelsministeriet. Hoppas på er förståelse och samarbete!

We will offer test reports, please see below an example:

AlGaN template structure report

FWHM and XRD report

More products:

GaN Thin Film on Sapphire (Al2O3) Template

AlN Single Crystal Substrate& Template on Sapphire/Silicon

AlScN Template

Du kanske också gillar…

  • GaAs Epi Wafer
    Läs mer

    GaAs Epiwafer

    PAM-XIAMEN tillverkar olika typer av epi wafer III-V kiseldopade n-typ halvledarmaterial baserade på Ga, Al, In, As och P odlade av MBE eller MOCVD. Vi levererar anpassade GaAs epiwafer-strukturer för att möta kundens specifikationer, kontakta oss för mer information.

  • Fristående GaN-substrat
    Läs mer

    Fristående GaN-substrat

    PAM-XIAMEN har etablerat tillverkningstekniken för fristående (galliumnitrid) GaN substratskiva, som är för UHB-LED och LD. Vårt GaN-substrat har låg defektdensitet, odlat med HVPE-teknik (hydrid vapor phase epitaxi).

  • GaN baserad LED epitaxiell skiva
    Läs mer

    GaN baserad LED epitaxiell skiva

    PAM-XIAMEN’s GaN(gallium nitride)-based LED epitaxial wafer is for ultra high brightness blue and green light emitting diodes (LED) and laser diodes (LD) application.

  • Test Wafer Övervaka Wafer Dummy Wafer
    Läs mer

    Test Wafer Övervaka Wafer Dummy Wafer

    Som en dummy wafer tillverkare erbjuder PAM-XIAMEN silikon dummy wafer / test wafer / monitor wafer, som används i en produktionsenhet för att förbättra säkerheten i början av produktionsprocessen och används för leveranskontroll och utvärdering av processform. Eftersom dummy kiselwafers ofta används för experiment och test, är storlek och tjocklek därav viktiga faktorer i de flesta tillfällen. 100 mm, 150 mm, 200 mm eller 300 mm dummy wafer finns tillgänglig.

  • InAs waferInAs wafer
    Läs mer

    InAs wafer

    PAM-XIAMEN erbjuder Compound Semiconductor InAs wafer - indium arsenid wafer som odlas av LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) som epi-ready eller mekanisk kvalitet med n typ, p typ eller halvisolerande i olika orientering(111) eller (100). Dessutom har InAs enkristall hög elektronrörlighet och är ett idealiskt material för tillverkning av Hall-enheter.

  • Germanium Wafer
    Läs mer

    Ge (germanium) enkristaller och Wafers
    PAM-XIAMEN erbjuder 2”, 3”, 4” och 6” germaniumwafer, vilket är en förkortning för Ge wafer odlad av VGF/LEC. Lättdopad germaniumskiva av P- och N-typ kan också användas för experiment med Halleffekt. Vid rumstemperatur är kristallint germanium skört och har liten plasticitet. Germanium har halvledaregenskaper. Germanium med hög renhet dopas med trevärda grundämnen (såsom indium, gallium, bor) för att erhålla halvledare av P-typ germanium; och pentavalenta element (såsom antimon, arsenik och fosfor) dopas för att erhålla germaniumhalvledare av N-typ. Germanium har goda halvledaregenskaper, såsom hög elektronrörlighet och hög hålrörlighet.
  • GaN HEMT epitaxiell skiva
    Läs mer

    GaN HEMT epitaxiell skiva

    Gallium Nitride (GaN) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) are the next generation of RF power transistor technology. Thanks to GaN technology, PAM-XIAMEN now offer AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer on sapphire or Silicon, and AlGaN/GaN on sapphire template.

  • SiC Wafer Substrat (kiselkarbid)
    Läs mer

    SiC Wafer Substrat

    Företaget har en komplett produktionslinje för SiC (kiselkarbid) wafersubstrat som integrerar kristalltillväxt, kristallbearbetning, waferbearbetning, polering, rengöring och testning. Nuförtiden levererar vi kommersiella 4H och 6H SiC-skivor med halvisolering och konduktivitet i on-axis eller off-axis, tillgängliga storlekar: 5x5mm2,10x10mm2, 2",3",4", 6" och 8", bryter igenom nyckelteknologier som t.ex. som undertryckande av defekter, bearbetning av frökristaller och snabb tillväxt, främjande av grundläggande forskning och utveckling relaterad till kiselkarbidepitaxi, enheter, etc.