InGaP / GaAs Epi Wafer för solcell
Tack vare GaAs tunnel junction-teknologi erbjuder vi epi-wafers av single-junction och dual-junction InGaP / GaAs solceller, med olika strukturer av epitaxiella lager (AlGaAs, InGaP) odlade på GaAs för solcellstillämpning. Och nu erbjuder viGaAs epi wafermed InGaP-tunnelkorsning enligt följande:
1. InGaP / GaAs Solcell Epi-Struktur
| AR-beläggning MgF2/ZnS | Au | Frontkontakt | ||
| Au-Ge/Ni/Au | ||||
| n+-GaAs 0,3μm | ||||
| ┏ | n+-AlInP | - | <2×1018centimeter-3(Si) | Fönster |
| InGaP | n+-InGaP | - | - | n |
| (T.ex.=1,88eV) | sid+-InGaP | - | - | sid |
| översta cellen | sid+-InGaP | - | - | sid+ |
| ┗ | sid+-AlInP | - | - | BSF, diff.barriär |
| Tunnel | sid+-InGaP | 0,015 μm | - | TN(sid+) |
| korsning | n+-InGaP | - | - | TN(n+) |
| ┏ | n+-AlInP | 0,05 μm | - | Fönster, diff.barriär |
| GaAs (Eg=1,43 eV) bottencell | n+-GaAs | - | - | n |
| p-GaAs | - | - | sid | |
| ┗ | sid+-InGaP | - | - | BSF |
| sid+-GaAs | - | 7,0×1018centimeter-3(Zn) | ||
| sid+-GaAs-substrat ＜1,0×1019centimeter-3(Zn) | substrat | |||
| Au | ||||
| Tillbaka kontakt | ||||
Note:Lysdioder, LASER och InGaP / GaAs-baserade solceller med flera korsningar kan alla använda tunnelövergångar för att förbättra prestandan. Att beräkna effekterna av denna korsning är knepigt, men det finns sätt att exakt simulera chipegenskaper och kostnadseffektivt optimera utformningen av solcellsstrukturen.
2. Epitaxiell tillväxt av InGaP / GaAs solcellsskiva
Med utvecklingen av MOCVD- och MBE-utrustning kan InGaP / GaAs-solcell med dubbla korsningar odlas påGaAs-substratmed gittermatchning, vilket säkerställer kristallkvaliteten hos epitaxiell tunn film. Subcellen kan använda InAIP- och AlGaAs-material som fönsterskikt och bakre fältskikt, vilket effektivt kan minska ytans och gränssnittets rekombinationshastighet. Under villkoret av en viss sammansättning kan bandgapet för InGaP ändras mellan 1,82 eV och 1,92 eV genom att justera parametrarna såsom tillväxttemperatur och tillväxthastighet, beroende på ordningsgraden av kristallstrukturen.
I kombination med utformningen av tjockleken på absorbatorskiktet kan de fotogenererade strömmarna som genereras av InGaP och GaAs tvåövergångssubceller matchas bättre. Baserat på dessa faktorer har InGaP/GaAs-solceller med dubbla korsningar hög omvandlingseffektivitet. Högeffektiva InGaP / GaAs tunnfilmssolceller kan framställas med substratöverföringsteknologi.
När GaInP/GaAs-solcellsepitaxiella material med dubbla förbindelser odlas med lågtryckstillväxtteknologi, bör reaktionskammarens tryck bibehållas vid 42torr och H2 med hög renhet används som bärgas. Tillväxten av solcellsmaterialet med dubbla korsningar påbörjades vid en konstant temperatur på 650 °C under 4 minuter. Tillväxttemperaturen för arsenid och fosfid är båda inställda på 620 °C, men tillväxten av den högdopade tunnelövergången är benägen till högtemperaturdiffusion, så den odlas vid en låg temperatur på 560 °C.
3. Vanliga frågor om Epitaxial Wafer av InGaP / GaAs
F:Kan du berätta för oss hur man skär solcells-epi av AlGaP/GaAs?
EN:AlGaP/GaAs epi-skivan för solceller kan skäras av med wafer-skrivare.
För mer information, vänligen kontakta oss maila på[email protected] och [email protected].