The PN junction material has a single conductivity, which is a characteristic utilized by many devices in electronic technology, such as semiconductor diodes and bipolar transistors. PAM-XIAMEN can offer silicon PN junction wafers. Here we just list a specific epitaxial structure of photodiode application for your reference. More silicon epitaxial wafers please refer to https://www.powerwaywafer.com/silicon-wafer/epitaxial-silicon-wafer.html. 1. Silicon [...]
Silicon transient voltage suppressor (TVS) är en av kiseldioder och har extremt snabb svarshastighet (mindre än 1 ns) och relativt hög strömabsorptionsförmåga och kan användas för att skydda utrustning eller kretsar, även integrerade kretsar, MOS-enheter, hybrid kretsar och andra spänningskänsliga halvledarenheter från transient överspänning genererad [...]
Rent kisel är mer som en isolator än en ledare, och när externa krafter appliceras (såsom applicerad spänning) har den ingen förmåga att ändra sitt ledande tillstånd. Så andra grundämnen måste dopas till kisel, och de två viktigaste dopämnena är bor (B) och fosfor (P). PAM-XIAMEN kan leverera CZ-odlat [...]
Teknik för bindning av kiselskivor avser metoden att tätt kombinera kiselskivor med kiselskivor, kiselskivor med glas eller andra material genom kemiska och fysiska interaktioner. Limning av kiselskivor kombineras ofta med ytbehandling av kisel och bearbetning av bulkkisel, och används i MEMS-bearbetningsprocesser. [...]
The hetero epitaxial materials used to make quantum cascade laser (QCL) are mainly InP based GaInAs/AlInAs material system, GaAs based GaAs/AlGaAs material system and antimonide material system. PAM-XIAMEN can provide InP based quantum cascade lasers thin film, as follows: 1. InGaAs/InAlAs/InP for Quantum Cascade Laser Diode PAM210906 – QCL No. 1 InP Hetero [...]
Kvaternära direkt bandgap sammansatta material, såsom InGaAsP och AlGaInAs, kan odlas på InP-substrat, som är gittermatchning med InP. För närvarande, inom olika områden, har forskare designat halvledarlasrar, optiska förstärkare, detektorer, etc., med användning av dessa två typer av material som växer på InP-substrat. För optiska förstärkare, högeffekts 1460nm halvledare [...]
PAM-XIAMEN kan tillhandahålla epitaxiell tillväxttjänst för fotonisk kristallytemitterande laser (PCSEL), ta följande epistruktur till exempel. Vi kan också göra anpassad strukturtillväxt av PCSEL-laser vid vilken våglängd som helst för att möta dina applikationsbehov. Fotoniska kristallytemitterande lasrar är en integration av vertikal kavitetsyta [...]
För singelfotondetektionsteknik, förutom den traditionella InP/InGaAs SPAD, har nya materialsystem såsom lågbrusmaterialsystem konstruerade av Sb-baserade digitala legeringar, multiplikation InP/InGaAs SPAD med joniseringsteknik och InAlAs/InGaAs SPAD också blivit tagit fram. PAM-XIAMEN kan tillhandahålla InP-baserade InGaAs / InAlAs epitaxiella [...]
PAM-MCA-01 digital multi-channel analyzer is integrated a low noise amplifier, digital multi-channel analyzer and software. It has the advantages of high performance, compact and high pulse analyzing rate for scintillator detector and semiconductor. Please refer to table below for specific parameters: 1. Specification of Digital Multi-channel Analyzer Dimension 120*70*18 mm3 Weight 200g Voltage DC +5V Power Consumption 1.25W Rise [...]
PAM-NIS CZT radionuclide recognizer is compact and portable with following advantages: 1) The energy resolution is less than 1.8% at 662keV, which is higher than scintillator detectors; 2) The detector size is smaller than Ge detector, working at room temperature without cooling; 3) It can be recharged more than 10000 times with [...]
