förening Semiconductor

PAM-XIAMEN erbjuder Compound Semiconductor Wafer Material inklusive SiC wafer och III-V grupp wafer: InSb wafer, InP wafer, InAs wafer, GaSb wafer, GaP wafer, GaN wafer, AlN wafer och GaAs wafer.
III-V-föreningar material inkluderar BN, BP, BAs, BSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InAs, InN, InP och InSb. Bland dem är BN, AlN, GaN och InN Wurtzite-strukturer, och de andra 12 är zinkblendestrukturer. Eftersom pentavalenta atomer har högre elektronegativitet än trevärda atomer finns det några jonbindningskomponenter. På grund av detta, när III-V-materialen placeras i det elektriska fältet, är gitteret lätt att polarisera, och jonförskjutningen hjälper till att öka den dielektriska koefficienten, om den elektriska fältfrekvensen ligger inom det infraröda området. Bland halvledarna av GaAs-material av n-typ är elektronmobiliteten (mn-8500) mycket högre än för Si (mn-1450), så rörelsehastigheten är snabb och dess tillämpning i höghastighets digitala integrerade kretsar är överlägsen till Si halvledare.

  • InP rån

    PAM-XIAMEN erbjuder VGF InP (Indium Phosphide) skiva med prime eller testkvalitet inklusive undoped, N-typ eller semi-isolerande. Rörligheten för InP-skivan är olika i olika typer, odopna en> = 3000cm2 / Vs, N-typ> 1000 eller 2000cm2V.s (beror på olika dopingkoncentrationer), P-typ: 60 +/- 10 eller 80 +/- 10cm2 / Vs (beror på olika Zn-dopningskoncentrationer), och semi-förolämpande en> 2000 cm2 / V, är EPD för Indium Phosphide normalt under 500 / cm2.

  • InAs wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.

  • InSb wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InSb wafer – Indium antimonide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). Indium antimonide doped with isoelectronic(such as N doping) can reduce the defect density during the indium antimonide thin films manufacturing process.

  • GaSb Wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100).

  • GaP Wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaP wafer – gallium phosphide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100).