InSb wafer
PAM-XIAMEN erbjuder Compound Semiconductor InSb wafer – Indium antimonide wafer som odlas av LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) som epi-ready eller mekanisk kvalitet med n typ, p typ eller halvisolerande i olika orientering(111) eller (100). Indiumantimonid dopad med isoelektronisk (som N-dopning) kan minska defektdensiteten under tillverkningsprocessen för indiumantimonid tunnfilm.
- Beskrivning
Produktbeskrivning
PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InSb wafer – indiumantimonid wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). Indium antimonide doped with isoelectronic(such as N doping) can reduce the defect density during the indium antimonide thin films manufacturing process.
Indium antimonide (InSb) is a crystalline compound made from the elements indium (In) and antimony (Sb). It is a narrow-gap semiconductor material from the III-V group used in infrared detectors, including thermal imaging cameras, FLIR systems, infrared homing missile guidance systems, and in infrared astronomy. The indium antimonide detectors are sensitive between 1–5 µm wavelengths. Indium antimonide was a very common detector in the old, single-detector mechanically scanned thermal imaging systems. Another application is as a terahertz radiation source as it is a strong photo-Dember emitter.
| wafer Specification | |
| Punkt | Specifikationer |
| wafer Diameter | 2 "50,5 ± 0,5 mm |
| 3″76.2±0.4mm | |
| 4″1000.0±0.5mm | |
| kristallorientering | 2 "(111) AorB ± 0,1 ° |
| 3″(111)AorB±0.1° | |
| 4″(111)AorB±0.1° | |
| Tjocklek | 2 "625 ± 25um |
| 3″ 800or900±25um | |
| 4″1000±25um | |
| Primära platt längd | 2 "16 ± 2 mm |
| 3″22±2mm | |
| 4″32.5±2.5mm | |
| Sekundär platt längd | 2 "8 ± 1 mm |
| 3″11±1mm | |
| 4″18±1mm | |
| Ytfinish | P / E, P / P |
| Paket | Epi-Ready, Single wafer container eller CF kassett |
| El- och Doping Specifikation | |||||
| ledningstyp | n-typ | n-typ | n-typ | n-typ | p-typ |
| dopningsmedel | lågdopad | Tellur | låg tellur | hög tellur | Genmanium |
| EPD cm-2 | 2″3″4″≤50 | 2″≤100 | |||
| Mobility cm² V-1s-1 | ≥4*105 | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | Ej angivet | 8000-4000 |
| Carrier Concentration cm-3 | 5*1013-3*1014 | （1-7）*1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 | 5*1014-3*1015 |
.png)
1)2″(50.8mm)InSb Wafer
Orientation：(100)
Type/Dopant:N/low doped
Diameter:50.8mm
Thickness:300±25µm;500um
Nc:<2E14a/cm3
Polish:SSP
2)2″(50.8mm)InSb Wafer
Orientation：(100)
Type/Dopant:N/Te
Diameter:50.8mm
Carrier Concentration: 0.8 – 2.1 x 1015 cm-3
Thickness:450+/- 25 um;525±25µm
EPD < 200 cm-2
Polish:SSP
3)2″(50.8mm)InSb Substrate
Orientation：(111) + 0.5°
Thickness:450+/- 50 um
Type/Dopant:N/low doped
Carrier Concentration: < 5 x 10^14 cm-3
EPD < 5 x 103 cm-2
Surface roughness: < 15 A
Bow/Warp: < 30 um
Polish:SSP
4)2″(50.8mm)InSb Substrate
Orientation：(111) + 0.5°
Type/Dopant:P/Ge
Polish:SSP
5)2″(50.8mm)Indium Antimonide Wafer
Thickness:525±25µm,
Orientation：[111A]±0.5°
Type/Dopant:N/Te
Ro=(0.020-0.028)Ohmcm,
Nc=（4-8）E14cm-3/cc,
u=(4.05E5-4.33E5)cm²/Vs,
EPD<100/cm²,
Mobility:>1E4cm2/Vs
One side edge;
In(A) Face: Chemically-mechanically final polished to 0.1µm (Final Polish),
Sb(B) Face: Chemically-mechanically final polished to <5µm (Lasermark),
NOTE: Nc and Mobility are at 77ºK.
Polish:SSP;DSP
6) 2 "(50,8 mm) GaSb
Thickness:525±25µm,
Orientation：[111B]±0.5°,
Type/Dopant:P/low doped;N/low doped
Polish:SSP;DSP
Ytbeskaffenhet och andra Specifikation
Indium Antimonide wafer can be offered as wafers with as-cut, etched or polished finishes with wide range of doping concentration and thickness. The InSb wafer could be high quality epi-ready finishing.
orientering Specifikation
Indium antimonide surface orientations are supplied to an accuracy of +/- 0.5 degrees using a triple axis X-Ray diffractometer system. Indium antimonide substrates can also be supplied with very precise misorientations in any direction from the growth plane. The available InSb wafer orientation could be (100),(111), (110) or other orientation or mis degree.
Förpacknings tillstånd
Polished wafer: individually sealed in two outer bags in inert atmosphere. Cassette shipments are available if required.
As-cut Wafer: Cassette shipment. (Glassine bag available on request).
Indium Antimonide Properties and Uses
The indium antimonide crystal structure is silver, brittle, and zinc blende structure. The indium antimonide lattice constant is 6.48 Å, and indium antimonide is a direct bandgap material with a narrow band gap of 0.18 eV. The indium antimonide conduction electron mobility is as high as 7800 cm2/V·s , which can be used to make infrared detectors, photomagnetic detectors and Hall devices.
Relativa produkter:
InAs wafer
InSb wafer
InP rån
GaAs wafer
GaSb wafer
GaP wafer
Differential magnetoresistiv sensor
Du kan också gilla ...
-
Ge (germanium) enkristaller och Wafers
PAM-XIAMEN erbjuder 2”, 3”, 4” och 6” germaniumwafer, vilket är en förkortning för Ge wafer odlad av VGF/LEC. Lättdopad germaniumskiva av P- och N-typ kan också användas för experiment med Halleffekt. Vid rumstemperatur är kristallint germanium skört och har liten plasticitet. Germanium har halvledaregenskaper. Germanium med hög renhet dopas med trevärda grundämnen (såsom indium, gallium, bor) för att erhålla halvledare av P-typ germanium; och pentavalenta element (såsom antimon, arsenik och fosfor) dopas för att erhålla germaniumhalvledare av N-typ. Germanium har goda halvledaregenskaper, såsom hög elektronrörlighet och hög hålrörlighet. -
SiC Wafer Substrat
Företaget har en komplett produktionslinje för SiC (kiselkarbid) wafersubstrat som integrerar kristalltillväxt, kristallbearbetning, waferbearbetning, polering, rengöring och testning. Nuförtiden levererar vi kommersiella 4H och 6H SiC-skivor med halvisolering och konduktivitet i on-axis eller off-axis, tillgängliga storlekar: 5x5mm2,10x10mm2, 2",3",4", 6" och 8", bryter igenom nyckelteknologier som t.ex. som undertryckande av defekter, bearbetning av frökristaller och snabb tillväxt, främjande av grundläggande forskning och utveckling relaterad till kiselkarbidepitaxi, enheter, etc.
-
GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN tillverkar olika typer av epi wafer III-V kiseldopade n-typ halvledarmaterial baserade på Ga, Al, In, As och P odlade av MBE eller MOCVD. Vi levererar anpassade GaAs epiwafer-strukturer för att möta kundens specifikationer, kontakta oss för mer information.
-
Fristående GaN-substrat
PAM-XIAMEN har etablerat den tillverkningsteknik för fristående (galliumnitrid) GaN substratskivan, som är för UHB-LED och LD. Vuxit med hydrid ångfasepitaxi (HVPE) teknik, har Vår GaN-substrat med låg defektdensitet.
-
InAs wafer
PAM-XIAMEN erbjuder Compound Semiconductor InAs wafer - indium arsenid wafer som odlas av LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) som epi-ready eller mekanisk kvalitet med n typ, p typ eller halvisolerande i olika orientering(111) eller (100). Dessutom har InAs enkristall hög elektronrörlighet och är ett idealiskt material för tillverkning av Hall-enheter.
-
InP rån
PAM-XIAMEN erbjuder VGF InP(Indium Phosphide) wafer med prime eller test grade inklusive low dope, N-typ eller halvisolerande. InP-skivans rörlighet är olika i olika typer, lågdopad en>=3000cm2/Vs, N-typ>1000 eller 2000cm2V.s(beror på olika dopningskoncentrationer), P-typ: 60+/-10 eller 80+/-10cm2 /Vs(beror på olika Zn-dopningskoncentration), och halvförolämpande en>2000cm2/Vs, EPD för indiumfosfid är normalt under 500/cm2.
-
GaP Wafer – Kan inte erbjuda tillfälligt
PAM-XIAMEN erbjuder Compound Semiconductor GaP wafer – galliumfosfidskiva som odlas av LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) som epi-ready eller mekanisk kvalitet med n-typ, p-typ eller halvisolerande i olika orientering(111)eller(100). -
GaSb Wafer
PAM-XIAMEN erbjuder Compound Semiconductor GaSb wafer – galliumantimonid som odlas med LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) som epi-ready eller mekanisk kvalitet med n-typ, p-typ eller halvisolerande i olika orientering(111) eller (100).
