GaAs på SI EPI Wafer

Den snabba tillväxten av informationsbehandlingskraven i ERA med Big Data driver kontinuerlig innovation inom integrerad kretsteknik. Silicon (SI) -baserad optoelektronik har löst fördröjning och strömförbrukning flaskhalsar som traditionella elektriska sammankopplingar möter genom optisk sammankopplingsteknik, och blivit en viktig riktning för att förbättra dataöverföringseffektiviteten. På grund av att SI är en indirekt bandgap -halvledare är dess luminescensprestanda emellertid dålig, vilket innebär utmaningar för lättkällintegration. Genom heteroepitaxi avIII-V halvledarmaterial (such as GaAs) on a silicon substrate, high-quality laser monolithic integration can be achieved, which not only effectively compensates for the defects of silicon, but also opens up a new path for the development of large-scale photonic integrated chips. In addition, Si-based GaAs chips have shown broad market potential in the manufacturing of devices such as lasers, photodetectors, and optoelectronic integration. PAM-XIAMEN can offer silicon-based GaAs epitaxial wafers, with following parameters:

1. Parametrar för GAAS på Si -underlag

2. Fördelar medMönstrade kiselubstrat iHeteroepitaxi

Under de senaste åren har mönstrade SI-underlag blivit en viktig forskningsriktning för epitaxial teknik för kiselbaserade III-V-material på grund av deras unika fördelar. Mönstrade kiselsubstrat bildas vanligtvis genom att deponera ett lager av mask (som SIO₂ eller SI₃N ₄) på kiselytan och sedan med etsningstekniker för att generera mönstrade fönster med specifika geometriska former.

Fördelarna med mönstrade underlag i epitaxial tillväxt inkluderar:

1) Dislocation Suppression: Maskens kant och sidoväggen på öppningen kan blockera förökningen av dislokationer, vilket avsevärt minskar dislokationstätheten för epitaxialskiktet;

2) Stressavlastning: Epitaxialmaterial växer selektivt endast i fönsterregionen, vilket minskar den direkta interaktionen mellan substratet och det epitaxiala skiktet, vilket effektivt minskar spänningen;

3) Flexibilitet: Maskmönstret ger flexibilitet för tillväxten av integrerade kretsar, förenklar processflödet och förbättrar repeterbarheten.

I GAA: erna på SI -epitaxial tillväxt inkluderar typiska mönstermasker rand- och hålkonstruktioner. Genom dessa mönster kan betydande förbättringar i kristallkvalitet uppnås under den epitaxiala processen.

3.Forska påEpitaxialGaaspå Si substrat medDislokationFlidandeLayer

Ett forskarteam har framgångsrikt utarbetat GAAS-epitaxialskikt av hög kvalitet med hjälp av tre typer av dislokationsfiltreringslager (DFL) på SI-underlag av olika tjocklekar genom metallorganisk kemisk ångavsättning (MOCVD). Experimentella fynd:

1) Den tunna filmen GaAs odlad på en 725 μm tjock Si -substrat uppvisar en platt yta med en rotmedel med en rotmedelsfyrkant på 1,288 nm och ett minimum genom dislokationstäthet (TDD) på endast 2,4 × 10⁷centimeter^-2;

2) töjningsavlastning och defektblockering: Kompressiva stam Ingaas/GaAS DFL -skikt uppvisar utmärkt dislokation blockeringseffekt, vilket effektivt förhindrar utbredningen av genomträngande dislokationstäthet;

3) Gittermatchning och optimering av termisk stress: INGAP/GAAS DFL överträffar Algaas/GaAS DFL för att minska penetrationsdensiteten och presterar bättre i termisk stressavlastning.

Forskningen har visat att töjningsdislokeringsfiltreringsskiktteknologi kan uppnå storskalig integration av GAAS/SI-skivor och uppvisar utmärkta egenskaper hos låg böjning och låg defektdensitet.

Oavsett om du behöver GAAS/SI Epiwafers för forskning eller för industriella applikationer, vänligen kontakta oss e -post på[email protected] och [email protected].

• Licens behövs.