Epi Wafer for Laser Diode
GaAs-baserad LD-epitaxskiva, som kan generera stimulerande emission, används allmänt för tillverkning av laserdioder eftersom de överlägsna GaAs-epitaxialwaferegenskaperna gör enheten till en låg energiförbrukning, hög effektivitet, lång livslängd och etc. Förutom galliumarsenid LD epi-wafer , vanligt använda halvledarmaterial är kadmiumsulfid (CdS), indiumfosfid (InP) och zinksulfid (ZnS).
- Description
Produktbeskrivning
Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), en LD epitaxial wafer-leverantör, fokuserar på GaAs- och InP-baserade laserdiod-epi-wafers odlade av MOCVD-reaktorer för fiberoptisk kommunikation, industriell tillämpning och användning för speciella ändamål. PAM-XIAMEN kan erbjuda LD-epitaxskiva baserad på GaAs-substrat för olika områden, som VCSEL, infraröd, fotodetektor och etc. Mer information om LD-epitaxskivans material, se tabellen nedan:
| Substratmaterial | Materialförmåga | Våglängd | Ansökan |
| GaAs | GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 635 nm | |
| GaAs-baserad Epi-wafer | 650 nm | Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) RCLED |
|
| GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 660 nm | ||
| GaAs/AlGaAs/GalnP/AlGaAs/GaAs | 703nm | ||
| GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 780 nm | ||
| GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 785 nm | ||
| GaAs-baserad Epi-wafer | 800-1064 nm | Infraröd LD | |
| GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP | 808nm | Infraröd LD | |
| GaAs-baserad Epi-wafer | 850nm | Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) RCLED |
|
| GaAs-baserad Epi-wafer | <870nm | Fotodetektor | |
| GaAs-baserad Epi-wafer | 850-1100 nm | Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) RCLED |
|
| GaAs/AlGaAs/GaInAs/AlGaAs/GaAs | 905 nm | ||
| GaAs/AlGaAs/InGaAs/AlGaAs/GaAs | 950 nm | ||
| GaAs-baserad Epi-wafer | 980 nm | Infraröd LD | |
| InP-baserad Epi-wafer | 1250-1600nm | Lavinfotodetektor | |
| GaAs-baserad Epi-wafer | 1250-1600nm/>2,0um (InGaAs absorberande skikt) |
Fotodetektor | |
| GaAs-baserad Epi-wafer | 1250-1600nm/<1,4μm (InGaAsP absorberande skikt) |
Fotodetektor | |
| InP-baserad Epi-wafer | 1270-1630 nm | DFB laser | |
| GaAsP/GaAs/GaAs-substrat | 1300 nm | ||
| InP-baserad Epi-wafer | 1310 nm | FP laser | |
| GaAsP/GaAs/GaAs-substrat | 1550 nm | FP laser | |
| 1654nm | |||
| InP-baserad Epi-wafer | 1900nm | FP laser | |
| 2004nm |
Om LD Epitaxy Wafer Applications & Market
Tillämpningarna av GaAs-baserad LD-epitaxskiva i laserfältet kan delas in i VCSEL och icke-VCSEL. De nuvarande GaAs-baserade LD-epitaxapplikationerna ligger huvudsakligen i VCSELs. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), baserad på GaAs-material, används främst för ansiktsigenkänning. Den förväntas ha en hög tillväxttakt i framtiden. EEL (Edge Emitting Laser) är en icke-VCSEL-enhet, som huvudsakligen används inom området för automotive lidar, och efterfrågan förväntas öka med expansionen av marknaden för förarlösa bilar.
GaAs-substratet som används i laserfältet kräver höga tekniska indikatorer, och priset på enhetens epitaxiella wafer är betydligt högre än för andra fält. Det framtida LD-epitaxialmarknadsutrymmet kan förväntas. Laserapplikationer är de mest känsliga för dislokationsdensitet. Det finns ett högt krav på GaAs-substratmaterial i laserapplikationer. Därför ställs det högre kravet på tillverkare av LD epitaxial wafer och LD epitaxial wafer process. För närvarande har det nära-infraröda bandet (760~1060 nm) halvledarlasern baserad på GaAs-substrat den mest mogna utvecklingen och den mest utbredda tillämpningen, och den har redan kommersialiserats.
Anmärkning:
Den kinesiska regeringen har aviserat nya gränser för export av galliummaterial (som GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs och GaSb) och germaniummaterial som används för att tillverka halvledarchips. Från och med den 1 augusti 2023 är export av detta material endast tillåtet om vi får en licens från det kinesiska handelsministeriet. Hoppas på er förståelse och samarbete!
Se nedan detaljerad specifikation av LD epitaxi wafer:
GaAs-epitaxi med tjock tillväxt
GaAs-baserad Epi Structure MOCVD Grown for Light Emitter
Smal InGaAsP Quantum Well Grown på InP Wafer
InAs Quantum Dot Layers på InP-substrat
Single Emitter Chips
Single-emitter LD Chip 755nm @8W
Single-emitter LD Chip 808nm @8W
Single-emitter LD Chip 808nm @10W
Single-emitter LD Chip 830nm @2W
Single-emitter LD Chip 880nm @8W
Single-emitter LD Chip 900+nm @10W
Single-emitter LD Chip 900+nm @15W
Single-emitter LD Chip 905nm @25W
Single-emitter LD Chip 1470nm @3W
PAM XIAMEN erbjuder 1470 / 1550nm högeffektlaserchips enligt följande:
LD Bare Bar
LD Bare Bar för 780nm@cavity 2,5mm
LD Bare Bar för 808nm@cavity 2mm
LD Bare Bar för 808nm@cavity 1,5mm
LD Bare Bar för 880nm@cavity 2mm
LD Bare Bar för 940nm@cavity 2mm
LD Bare Bar för 940nm@cavity 3mm
LD Bare Bar för 940nm@cavity 4mm
LD Bare Bar för 940nm@cavity 2mm
LD Bare Bar för 976nm@cavity 4mm