GaAs (galliumarsenid) Wafers

GaAs (galliumarsenid) Wafers

Som en ledande GaAs-substratleverantör tillverkar PAM-XIAMEN Epi-ready GaAs (Gallium Arsenide) Wafer Substrate inklusive halvledande n-typ, halvledare odopad och p-typ med prime-grad och dummy-kvalitet. GaAs-substratresistiviteten beror på dopämnen, Si-dopad eller Zn-dopad är (0,001~0,009) ohm.cm, odopad en är >=1E7 ohm.cm. GaAs-skivans kristallorientering bör vara (100) och (111). För (100) orientering kan den vara 2°/6°/15° av. EPD för GaAs wafer är normalt <5000/cm2 för LED eller <500/cm2 för LD eller mikroelektronik.

  • Beskrivning

Produktbeskrivning

(galliumarsenid) GaAs Wafer

PAM-XIAMEN develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer. We has used advanced crystal growth technology, vertical gradient freeze(VGF) and GaAs wafer manufacturing process, established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for GaAs wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafers include 2~6 inch ingot/wafers for LED, LD and Microelectronics applications. We are always dedicated to improve the quality of currently GaAs wafer substrates and develop large size substrates. The GaAs wafer size offered is in 2”, 3”, 4” and 6”, and the thickness should be 220-700um. Moreover, the GaAs wafer price from us is competitive.

1. GaAs Wafer Specifications

1.1 (GaAs)galliumarsenidRån för LED-applikationer

Punkt Specifikationer anmärkningar
ledningstyp SC / n-typ SC / p-typ med Zn dope Finns
tillväxt Metod VGF  
dopningsmedel Kisel Zn tillgängligt
wafer diamter 2, 3 & 4 tum Göt eller såsom skuren availalbe
kristallorientering (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° från (110) Andra felorientering tillgängligt
AV EJ eller US  
bärarkoncentration (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Resistivitet vid RT (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Rörlighet 1500 ~ 3000cm2 / V.sek  
Etch Pit Densitet <5000 / cm2  
laser~~POS=TRUNC på förfrågan  
Ytfinish P / E eller P / P  
Tjocklek 220 ~ 450um  
epitaxi Ready Ja  
Paket Enda skiva behållare eller kassett

 

1.2 (GaAs)galliumarsenidRån för LD Applications

Punkt Specifikationer anmärkningar
ledningstyp SC / n-typ  
tillväxt Metod VGF  
dopningsmedel Kisel  
wafer diamter 2, 3 & 4 tum Göt eller skuren tillgängliga
kristallorientering (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° från (110) Andra felorientering tillgängligt
AV EJ eller US  
bärarkoncentration (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Resistivitet vid RT (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Rörlighet 1500 ~ 3000 cm2 / V.sek  
Etch Pit Densitet <500 / cm2  
laser~~POS=TRUNC på förfrågan  
Ytfinish P / E eller P / P  
Tjocklek 220 ~ 350um  
epitaxi Ready Ja  
Paket Enda skiva behållare eller kassett

 

1.3 (GaAs)galliumarsenidRån, halvisolerande för mikroelektronik Applications

Punkt Specifikationer anmärkningar
ledningstyp isolerande  
tillväxt Metod VGF  
dopningsmedel odopade  
wafer diamter 2, 3 & 4 tum  Ingot available
kristallorientering (100)+/- 0.5°  
AV EJ, USA eller hack  
bärarkoncentration n / a  
Resistivitet vid RT > 1E7 Ohm.cm  
Rörlighet > 5000 cm2 / V.sek  
Etch Pit Densitet <8000 / cm2  
laser~~POS=TRUNC på förfrågan  
Ytfinish P / P  
Tjocklek 350 ~ 675um  
epitaxi Ready Ja  
Paket Enda skiva behållare eller kassett

 

1.4 6″ (150mm)(GaAs)galliumarsenidRån, halvisolerande för mikroelektronik Applications

Punkt Specifikationer anmärkningar
ledningstyp Halvisolerande  –
växa Metod VGF  –
dopningsmedel odopade  –
Typ N  –
Diamater (mm) 150 ± 0,25  –
Orientering (100)0°±3.0°  –
NOTCH Orientering 〔010〕±2°  –
NOTCH djup (mm) (1-1.25)mm   89°-95°  –
bärarkoncentration please consult our sales team  –
Resistivitet (ohm.cm) >1.0×107  –
Rörlighet (cm2 / vs) please consult our sales team  –
Förskjutning please consult our sales team  –
Tjocklek (^ m) 675 ± 25  –
Kant Uteslutning för Bow och Warp (mm) please consult our sales team  –
Rosett (| im) please consult our sales team  –
Varp (| im) ≤20.0  –
TTV (| im) ≤10.0  –
TIR (| im) ≤10.0  –
LFPD (| im) please consult our sales team  –
Putsning P / P Epi-Ready  –

 

1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (Låg temperatur odlade Galliumarsenid) Wafer Specifikationer

Punkt Specifikationer
ledningstyp Halvisolerande
växa Metod VGF
dopningsmedel odopade
Typ N
Diamater (mm) 150 ± 0,25
Orientering (100)0°±3.0°
NOTCH Orientering 〔010〕±2°
NOTCH djup (mm) (1-1.25)mm   89°-95°
bärarkoncentration please consult our sales team
Resistivitet (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3
Rörlighet (cm2 / vs) please consult our sales team
Förskjutning please consult our sales team
Tjocklek (^ m) 675 ± 25
Kant Uteslutning för Bow och Warp (mm) please consult our sales team
Rosett (| im) please consult our sales team
Varp (| im) ≤20.0
TTV (| im) ≤10.0
TIR (| im) ≤10.0
LFPD (| im) please consult our sales team
Putsning P / P Epi-Ready
 
* Vi kan också erbjuda poly kristall GaAs bar, 99,9999% (6N).

 

2. GaAs Wafer Market & Application

Gallium arsenide is an important semiconductor material. It belongs to group III-V compound semiconductors and the zinc blende crystal lattice structure, with a lattice constant of 5.65×10-10m, a melting point of 1237°C, and a band gap of 1.4 electron volts. Gallium arsenide can be made into semi-insulating high-resistance materials, which can be used to make integrated circuit substrates, infrared detectors, gamma photon detectors, etc. Because its electron mobility is 5 to 6 times greater than silicon, SI GaAs substrate has been importantly used in the fabrication of microwave devices and high-speed digital circuits. Semiconductor devices fabricated on gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance, which make the GaAs substrate market enlarge.

 

3. Test certificate of GaAs wafer can include below analysis if necessary:

1/Surface roughness of Gallium Arsenide including front side and backside(nanometers).

2/Doping concentration of Gallium Arsenide(cm-3)

3/EPD of Gallium Arsenide(cm-2)

4/Mobility of Gallium Arsendie(V.sec)

5/X-ray diffraction analysis (rocking curves) of Gallium Arsenide: Diffraction reflection curve half-width

6/Low-temperature photoluminescence (emission spectra in the range 0.7-1.0 μm) of Gallium Arsenide: The fraction of exciton photoluminescence in the emission spectrum of the near-IR range at a temperature of 4K or 5 K and an optical excitation density of 1 W / cm2

7/Transmission rate or Absorption coefficient: for instant, we can measure absorption coefficient of single crystal undoped GaAs at 1064nm: <0.6423 cm-1, and this corresponds to a transmission minimum of 33.2% for an exactly 6.5mm thick blank at 1064nm.

 

You may also like…