GaAs wafer är en viktig III-V sammansatt halvledare, en sphaleritgitterstruktur med gitterkonstant på 5,65 x 10-10m, smältpunkt 1237 C och bandgap på 1,4 elektronvolt.Galliumarsenidskiva kan göras till halvisolerande material med resistivitet högre än kisel och germanium med tre storleksordningar, som kan användas för att tillverka integrerade kretssubstrat, infraröda detektorer, gammafotondetektorer och så vidare. Eftersom dess elektronrörlighet är 5-6 gånger större än för kisel, har den använts i stor utsträckning vid tillverkning av mikrovågsenheter och digitala höghastighetskretsar. Halvledarenheter gjorda av GaAs har fördelarna med hög frekvens, hög temperatur, bra lågtemperaturprestanda, lågt brus och starkt strålningsmotstånd. Dessutom kan den också användas för att tillverka överföringsenheter – bulkeffektenheter.
(Galliumarsenid) GaAs-skiva och epitaxi:GaAs-skiva, N-typ, P-typ eller halvisolerande, storlek från 2″ till 6″; GaAs epi wafer för HEMT, pHEMT, mHEMT och HBT
-
Epi Wafer för laserdiod
GaAs-baserad LD-epitaxskiva, som kan generera stimulerande emission, används ofta för att tillverka laserdioder eftersom de överlägsna GaAs-epitaxial-waferegenskaperna gör enheten till en lågenergi...
-
GaAs (Gallium Arsenide) Wafers
Som en ledande GaAs-substratleverantör tillverkar PAM-XIAMEN Epi-ready GaAs (Gallium Arsenide) Wafer Substrate inklusive halvledande n-typ, halvledare C-dopad och p-typ med prime-grad och dummy-kvalitet. GaAs-substratresistiviteten beror på dopämnen, Si...
-
GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN tillverkar olika typer av epiwafer III-V kiseldopade n-typ halvledarmaterial baserade på Ga, Al, In, As och P odlade av MBE eller MOCVD. Vi levererar skräddarsydda GaAs...