Med utvecklingen av cloud computing, mobilitet, Internet of Things, maskininlärning etc. har efterfrågan på stordatalagring och datorbehandling också ökat avsevärt. Mer databehandling innebär mer energiförbrukning, vilket leder till byggandet av ytterligare datacenter och stödjande infrastruktur. Med expansionen av datacenter runt om i världen finns det ett behov av att hantera datacenter mer tillförlitligt och effektivt. Galliumnitrid (GaN), särskilt GaN HEMT epi wafer, är ett av halvledarmaterialen idealiskt för datacenter, som kan erbjudas av PAM-XIAMEN. För mer GaN HEMT wafer, sehttps://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html.

Som en halvledare med brett bandgap är den största egenskapen hos galliumnitrid (GaN) hög effektomvandlingseffektivitet. Speciellt i scenarier med hög energiförbrukning som datacenter kommer GaN att ge betydande energibesparande effekter på grund av sin höga effektivitet. Det är därför du väljer GaN-material för datacenter. Mer specifikt enligt följande:

För närvarande finns det mer än 7 miljoner datacenter i drift runt om i världen, vilket förbrukar motsvarande 2 % av den globala elförbrukningen 2019. Av detta används cirka 30 % av elen för att kyla anläggningen. Genom att öka servereffektiviteten och minska effekt- och värmeförlusterna kan därför betydande energibesparingar uppnås; elkostnader och CO₂utsläppen kan minskas.

Datacenter

1. Spara energi med GaN

Den största driftskostnaden för ett datacenter är strömmen som servrarna kör på, som kan vara så hög som 40 % av den totala driftskostnaden. Vanligtvis går cirka 5%-10% av den elektriska energin till spillo. Till 2020 förväntas datacentrets energiförbrukning öka till cirka 140 miljarder kilowattimmar per år, vilket motsvarar 13 miljarder USD i årliga elräkningar och nästan 150 miljoner ton koldioxidutsläpp.

Framsteg inom kraftdesign med GaN istället för kiseltransistorer förväntas minska energianvändningen med flera procent. Utöver de energibesparande fördelarna kan dessa tekniker underlätta införandet av färre eller mindre strömförsörjning i datacentret, och därigenom minska behovet av datacenterutrymme och kraft.

2. Förbättring av effektiviteten med GaN

Energiförbrukning i ett datacenter är en komplex kombination av strömförlust och kylning. I ett datacenter kräver strömförsörjningen till servrarna flera konverteringar, och cirka 30 % av strömmen går förlorad på grund av ineffektivitet.

GaN-teknik kan öka den totala datacentereffektiviteten till 84 %. GaN-enheter som används för effektomvandling från växelström (AC) till likström (DC), och sedan för likström (DC) effektomvandling av laster, kan öka den totala effektiviteten från de ursprungliga 77 % till 84 %, vilket behåller datacentret fungerar korrekt.

3. Kostnadsbesparing med GaN

Det rapporteras att GaN-enheter kan minska strömkostnaderna med mer än $2 300 per rack och spara mer än $240 miljoner i totala driftskostnader. Datacenters effekttätheter kommer att öka med mer än 25 procent, vilket tillför 1,4 miljarder USD i intäktsmöjligheter för datacenteroperatörer över hela världen, samtidigt som det skjuter upp nästan 1,1 miljarder USD i kapitalutgifter genom att försena byggandet av datacenter.

De kommande enorma mängderna data driver behovet av en allt mer skalbar, effektiv och flexibel datacenterinfrastruktur. Kraftsystem som använder Gallium Nitride (GaN)-enheter erbjuder högre effektomvandlingseffektivitet. Investeringar i denna högpresterande teknik innebär större energi- och utrymmeseffektivitet genom att skapa mindre, lättare, lägre kostnad och effektivare kraftsystem. Gallium Nitride (GaN)-teknik kommer att göra det möjligt för datacenteroperatörer att inte bara driva sina verksamheter bättre, utan i slutändan spela en viktig roll i att förändra energi- och datavärlden.

Därför kan användning av GaN-halvledarmaterial för att skapa mindre, lättare, lägre kostnad och effektivare kraftsystem erbjuda högre effektkonverteringseffektivitet, vilket möter behoven för datacenterutveckling.

För mer information, kontakta oss via e-post på victorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.