Galliumnitrid (GaN) är grundmaterialet i blå LED och har viktiga tillämpningar i LED och ultraviolett laser.

PAM-XIAMEN kan epitaxiellt odla GaN-skivor för LED och LD. För mer waferspecifikationer, besök:https://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/epitaxial-wafer.html. Hur odlar vi GaN LED epiwafer på safir?

Klicka på länkenhttps://youtu.be/uu0tCdmAA10för att se GaN LED-wafertillväxtprocessen från PAM-XIAMEN.

Epitaxitekniken vi använder är MOCVD.

Först utsätts substratet för högtemperaturbehandling för att rengöra ytan.

För det andra, odla ett buffertlager på cirka 20-30nm vid låga temperaturer på grund av den stora obalansen mellan safir och GaN.

För det tredje, odla ett GaN-skikt av N-typ på ungefär 4 um tjockt huvudsakligen som ett aktivt skikt, vilket ger strålningsrekombinationselektroner.

Odla sedan en uppsättning av flera kvantbrunnar (MQW), vars sammansättning bestäms av lager av InGaN.

Justera sammansättningen av indium i MQW för att uppnå önskad våglängd.

Genereringseffektiviteten kan förbättras genom att optimera parametrarna för MQW, såsom antalet brunnar, den periodiska tjockleken på materialgruppmolekylära brunnar och dopningskoncentration.

Efter det, odla ett P-typ AlGaN-lager. En högre Al-komponent kan begränsa bäraren och avsevärt förbättra ljuseffektiviteten.

Slutligen odlas P-typ GaN epilager för att tillhandahålla strålningsrekombinationselektroner för MQW.

Efter epitaxiell tillväxt krävs glödgning för att aktivera P-skiktet, vilket sänker spänningen.

Anmärkning:
Den kinesiska regeringen har aviserat nya gränser för export av galliummaterial (som GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs och GaSb) och germaniummaterial som används för att tillverka halvledarchips. Från och med den 1 augusti 2023 är export av detta material endast tillåtet om vi får en licens från det kinesiska handelsministeriet. Hoppas på er förståelse och samarbete!

För mer information, vänligen kontakta oss maila påvictorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.