GaN på SAM -underlag

In recent years, ScAlMgO4 (short for SAM or SCAM) has attracted increasing interest as a substrate material for nitride semiconductors. Compared with traditional sapphire, silicon, and silicon carbide substrates, the lattice parameter of ScAlMgO4 is a=0.3246 nm, c = 2.5195nm, which makes the grown GaN thin film has a small lattice mismatch (1.4%) and a small difference in thermal expansion coefficient. In addition, SCAM materials are transparent at wavelengths as low as 196nm and have good chemical properties, which can resist corrosion and oxidation, enabling the preparation of durable and stable optoelectronic devices. PAM-XIAMEN provides customized epitaxial services for GaN on SAM substrate, please send your requirements to [email protected], vi kommer att ge dig professionell teknisk support.

1. Studie om tillväxten av GaN/Scalmgo4 av MOCVD

Ett team har studerat metoden att direkt odla enkristall GaN vid höga temperaturer på SAM -underlag genom metallorganisk kemisk ångavsättning (MOCVD). Forskare har funnit att pre -flödande med trimetylaluminium (TMAL) kan undertrycka ön som tillväxt och uppnå ett enhetligt spegel GA polärt gan -skikt. Förflödetiden har en direkt inverkan på kristallkvaliteten på GaN. Experiment har visat att denna metod kan undvika defekter orsakade av lågtemperaturbuffertlager och därmed förbättra den kristallina kvaliteten på GaN tunna filmer. Dessutom visade studien också att GaN -tunna skikt som odlas direkt vid höga temperaturer kan tjäna som buffertlager för växande gitter matchade i0.17GA0.83N -skikt på SAM: er och öppnar upp nya sätt för beredning av InGan -enheter.

2. SantändasGroddGaNpå Sam ssubstrat

Den innovativa processen med att använda SCALMGO4 som ett GAN -epitaxialt tillväxtunderlag har visat betydande fördelar. Den höga anpassningsförmågan hos detta materialsystem till galliumnitridkristallstrukturen lindrar effektivt de vanliga problemen med gittermisjall och termiska expansionsskillnader i traditionell heteroepitaxi. Jämfört med konventionella safirsubstrat kan det avsevärt minska gränssnittet och därmed erhålla GaN -epitaxiala filmer med lägre defektdensitet och bättre kristallkvalitet. Detta genombrott förbättrar inte bara stabiliteten i enhetens drift, utan öppnar också nya vägar för miniatyriserad enhetsdesign. De fysikaliska egenskaperna hos SCALMGO4 -substratet är inte bara gynnsamma för att uppnå kompakt layout av enhetsstrukturen, utan skapar också grundläggande förhållanden för utvecklingen av multifunktionella integrerade chips på grund av dess utmärkta gitterintegritet.

Ur perspektivet av tillämpningsutsikter är prestationens genombrott av galliumnitridanordningar som är utarbetade baserat på detta underlag särskilt enastående i extrema arbetsmiljöer: dess höga temperaturmotstånd kan uppfylla de stränga kraven i Aerospace Engine Monitoring Systems, dess högfrekvensresponsfördelar är demonstrerade i Millimeter Wave Radar och kommunikationssystem, och dess utmärkta kraftprocessprocessprocesser för kapacitetsprocesser ger kapacitetsteknikstöd för de uppdelade tekniska anläggningsfördelarna och smarta anläggningssystem. Ännu viktigare är att den framgångsrika utvecklingen av detta materiella system har gett en ny experimentell plattform för bred bandgap halvledarforskning, som kommer att påskynda den vetenskapliga forskningsprocessen inom nyckelområden som ny enhetsarkitekturdesign, defektstyrningsteknik och gränssnittsteknik. Det har strategisk betydelse för att främja den industriella tillämpningen av GAN.

* Licens behövs.

Oavsett om du behöver GAN Epitaxy för forskning eller för industriella applikationer, vänligen kontakta oss e -post på[email protected] och [email protected].