Galliumnitrid: N-typ, p-typ och halvisolerande galliumnitridsubstrat och mall eller GaN epi-wafer för HEMT med låg Marco-defektdensitet och dislokationsdensitet för LED, LD eller annan tillämpning.PAM-XIAMEN erbjuder GaN wafer inklusive fristående GaN-substrat, GaN-mall på safir/SiC/kisel, GaN-baserad LED epitaxial wafer och GaN HEMT epitaxial wafer.
-
Fristående GaN-substrat
PAM-XIAMEN har etablerat tillverkningsteknologin för fristående (galliumnitrid) GaN-substratskiva, som är för UHB-LED och LD. Vårt GaN-substrat har en låg...
-
GaN-mallar
PAM-XIAMENs mallprodukter består av kristallina lager av (galliumnitrid)GaN-mallar, (aluminiumnitrid)AlN-mall, (aluminiumgalliumnitrid) AlGaN-mallar och (indiumgalliumnitrid) InGaN-mallar, som deponeras på safir
-
GaN-baserad LED Epitaxial Wafer
PAM-XIAMENs GaN(galliumnitrid)-baserade LED-epitaxiella wafer är för ultrahög ljusstyrka för blå och gröna lysdioder (LED) och laserdioder (LD).
-
GaN HEMT Epitaxial Wafer
Gallium Nitride (GaN) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) är nästa generations RF-krafttransistorteknologi. Tack vare GaN-tekniken erbjuder PAM-XIAMEN nu AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer på safir...