Galliumnitrid: N-typ, p-typ och halvisolerande galliumnitridsubstrat och mall eller GaN epi-skiva för HEMT med låg Marco-defektdensitet och dislokationstäthet för LED, LD eller annan applikation.PAM-XIAMEN erbjuder GaN-wafer inklusive fristående GaN-substrat, GaN-mall på safir/SiC/silicontaxial, GaN-mallar på safir/SiC/SiC/silikonaxial LED-epitaxial, oblat.
-
Fristående GaN-substrat
PAM-XIAMEN har etablerat tillverkningsteknologin för fristående (galliumnitrid) GaN-substratskiva, som är för UHB-LED och LD. Vårt GaN-substrat har en låg...
-
GaN-mallar
PAM-XIAMENs mallprodukter består av kristallina lager av (galliumnitrid)GaN-mallar, (aluminiumnitrid)AlN-mall, (aluminiumgalliumnitrid) AlGaN-mallar och (indiumgalliumnitrid) InGaN-mallar, som deponeras på safir
-
GaN-baserad LED Epitaxial Wafer
PAM-XIAMENs GaN(galliumnitrid)-baserade LED-epitaxiella wafer är för ultrahög ljusstyrka för blå och gröna lysdioder (LED) och laserdioder (LD).
-
GaN HEMT Epitaxial Wafer
Gallium Nitride (GaN) HEMT (High Electron Mobility Transistors) är nästa generations RF-krafttransistorteknologi. Tack vare GaN-tekniken erbjuder PAM-XIAMEN nu AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer på safir...