Ge enkristall (Prime kvalitet) -8

PAM XIAMEN erbjuder 4 "Diameter Wafer.

4 "Diameter Wafer

Ge N-typ 4” , odopade

Ge Wafer (111) 4 "dia x 0,5 mm, 1SP, N-typ (oför dopat)
Ge Wafer (100). Odopat, 4 "dia x 0,5 mm, 1SP
Ge Wafer (100). Odopat, 4 "dia x 0,5 mm, 2SP, R> 50 ohm-cm
Ge Wafer (110). Odopat, 4 "dia x 0,5 mm, 1SP, R:> 50 ohm.cm
Ge Wafer (110). Odopat, 4 "dia x 0,5 mm, 2SP, R:> 50 ohm.cm
Ge Wafer (111) 4 "dia x 0,5 mm, 2SP, N-typ (oför dopat)

Ge P-typ 4“ Ga-dopad

Ge Wafer (100) 100 dia x 0,5 mm, 1SP P-typ (Ga dopade) R: 1-5 ohm.cm
Ge Wafer (100). 100mm dia x 0,5 mm, 2SP, P-typ (Ga dopat) R: 0.004-0.01ohm.cm
Ge Wafer (100). 100mm dia x 0,5 mm, 2SP, P-typ (Ga dopat) R: 1,4-1,7 ohm.cm
VGF-Ge Wafer (100) med sex graders miscut mot <111>, 100 mmdia x 0,5 mm, 1SP, P-typ (Ga dopat) R: 0,296-0,326 Ohm.cm
VGF-Ge Wafer (100) 100 mm dia x 0,5 mm, 2SP, P-typ (Ga dopat) R: 0,128-0,303 Ohm.cm
VGF-Ge Wafer (100). 100mm dia x 0,4 mm, 2SP, P-typ (Ga dopat) R: 0,0038-0,0158 Ohm.cm
VGF-Ge Wafer (100). 100 mmdia x 0,175 mm, 1SP, P-typ (Ga dopat) R: 0,279-0,324 Ohm.cm
VGF-Ge Wafer (100). 100 mmdia x 0,175 mm, 2SP, P-typ (Ga dopat) R: 0,1-0,182 ohm.cm
VGF-Ge Wafer (100) 100 mmdia x 0,5 mm, 1SP, P-typ (Ga dopade) R: 0,128-0,303 Ohm.cm

Ge, N-typ, 4” Sb & As dopad

Ge Wafer (100) 100 mm dia x 0,5 mm, 2SP, N-typ (Sb dopade) R: 2,5-2,7 ohm.cm
Ge Wafer (100) med stor platt <110> 100 mm dia x 0,5 mm, 1SP, N-typ (Sb dopade) R: 0,1-0,5 ohm.cm
Ge Wafer (110) 4 "dia x 0,5 mm, 2SP, N-typ (Sb dopade) R: 0.1-0.5ohm.cm
Ge Wafer (110) 4 "dia x 0,5 mm, 2SP, N-typ (Sb dopade) R: 1-5 ohm.cm
Ge Wafer (110) 4 "dia x 0,5 mm, 1SP, N-typ (Sb dopade) R: 1-5 ohm.cm
VGF-Ge Wafer (100) 100 mm dia x 0,5 mm, 1SP, N-typ (As- dopad), R: 0,214-0,250 ohm.cm
VGF-Ge Wafer (100) 100 mm dia x 0,5 mm, 2SP, N-typ (As- dopad), R: 0,173 till 0,25 ohm.cm
Ge Wafer (111) 4 "diameter x 0,5 mm, 1SP, N-typ (SB- dopade) med resistiviteter: 0.014-0.022 Ohms-cm
Ge Wafer (111) 4 "diameter x 0,5 mm, 2SP, N-typ (SB- dopade) med resistiviteter: 0.014-0.022 Ohms-cm
Ge Wafer (100) med platta (100) 4 "dia x 0,5 mm, 1SP, N-typ (Sb dopade) resistiviteter: 0,1-0,5 ohm-cm

För mer information, besök vår hemsida: https://www.powerwaywafer.com,
skicka e-post på sales@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com

Finns i 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co, Ltd (PAM-XIAMEN) är en ledande tillverkare av halvledarmaterial i Kina.PAM-XIAMEN utvecklar avancerad kristalltillväxt och epitaxi teknik, tillverkningsprocesser, manipulerade substrat och halvledaranordningar.PAM-Xiamen teknik gör det möjligt högre prestanda och lägre tillverkningskostnader för halvledarskivan.

PAM-XIAMEN utvecklar avancerade kristalltillväxt och epitaxi teknik, sträcker sig från den första generationen Germanium wafer, Gallium andra generationens arsenid med substrat tillväxt och epitaxi på Ill-V-kiseldopad n-typ halvledarmaterial baserade på Ga, Al, In, As och P odlas av MBE eller MOCVD, till den tredje generationen: kiselkarbid och Gallium Nitride för LED och effektanordningen ansökan.

Dela det här inlägget