PAM-XIAMEN erbjuder InGaAs APD-skivor med hög prestanda. InGaAs lavinfotodioder (InGaAs APD) är högt ansedda för sitt låga brus, högre bandbredd och spektralsvar utökat till 1700 nm. Den är tillgänglig för 1550 nm våglängd efter optimering och mycket lämplig för användning i ögonsäkra lasersystem. Specifikationerna och parametrarna för InGaAs APD-skivor är som följer:
PAM-210331-INGAAS-APD
Punkt 1:
Lager | Material | Tjocklek (μm) | Avvikelse | koncentration (cm-3) | Avvikelse | Testa | Notera |
9 | U-1.05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | ± 20% | ||
8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ± 20% | CV | På testskivan |
7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | CV | På testskivan |
6 | N-1,05μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
5 | N-1,25μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
4 | N-1,45μm InGaAsP | – | ± 10% | 2E + 16 | – | – | – |
3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD & C-V | På epiwafer & test wafer | |
1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | På testskivan |
0 | N-InP-substrat | 350 ± 25 | – | S-dopad> 3E + 18 | – | – | 2 ″ rån |
# | Gittermatchning | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test på mitten av epiwafer |
Punkt 2:
Lager | Material | Tjocklek (μm) | Avvikelse | koncentration (cm-3) | Avvikelse | Testa | Notera |
9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | ± 10% | – | ± 20% | – | – |
8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ± 20% | CV | På testskivan |
7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | CV | På testskivan |
6 | N-1,05μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
5 | N-1,25μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
4 | N-1,45μm InGaAsP | 0.03 | ± 10% | – | – | – | – |
3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ± 10% | – | – |
2 | U-InGaAs | – | ± 10% | – | – | DCXD & C-V | På epiwafer & test wafer |
1 | N-InP | 0.5 | – | – | ± 20% | CV | På testskivan |
0 | N-InP-substrat | 350 ± 25 | – | S-dopad> 3E + 18 | – | – | 2 ″ rån |
# | Gittermatchning | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test på mitten av epiwafer |
Punkt 3:
Lager | Material | Tjocklek (μm) | Avvikelse | koncentration (cm-3) | Avvikelse | Testa | Notera |
9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ± 20% | – | – |
8 | N-InP | – | – | – | ± 20% | CV | På testskivan |
7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | CV | På testskivan |
6 | N-1,05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
5 | N-1,25μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
4 | N-1,45μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD & C-V | På epiwafer & test wafer | |
1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | På testskivan |
0 | N-InP-substrat | 350 ± 25 | – | S-dopad> 3E + 18 | – | – | 2 ″ rån |
# | Gittermatchning | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Test på mitten av epiwafer |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
Lager | Material | Thickness(um) | Doping(cm3) |
7 | InP | – | undoped(N<1E15) |
6 | InP | 0.2 | – |
5 | GaInAsP | – | – |
4 | GaInAsP | – | – |
3 | GaInAsP | – | – |
2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
1 | InP | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
N+ InP Substrate |
För mer information, kontakta oss via e-post på victorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.