InP HBT Epi Wafers *S

HBT är en teknik som används ofta i mikrovågs- ​​och millimetervågsenheter. Den har fördelar som ultrahög hastighet, lågt brus, hög effekt och hög linjäritet, och har viktiga tillämpningar i elektroniska system som fiberoptisk kommunikation och trådlös kommunikation. De huvudsakliga materialsystemen för att förbereda HBT-enheter är baserade på InP-epitaxialmaterial och fosforhaltiga sammansatta material. DeInGaP/GaAsmaterialsystem är det föredragna materialet för att förbereda mikrovågskraft HBT-enheter, medan det InP-baserade materialsystemet är huvudmaterialet för millimetervåg HBT-enheter. PAM-XIAMEN kan odla InP HBT (heterojunction bipolar transistor) epi-wafer, se följande epistruktur:

1. InP HBT Wafer Struktur

• Användning av en kompositkollektor med InGaAs-distanser och InGaAs-kvartära lager för att eliminera ledningsbandspikar vid BC-gränssnittet, och därigenom minimera kollektorströmblockeringseffekten.

2. Materialsystem avHeterojunction bipolär transistorstruktur

HBT kan klassificeras baserat på det använda substratmaterialet. Generellt sett finns det tre typer av substrat: GaAs, Si och InP, där GaAs är det mest mogna. Tabell 1 visar III-V materialsystem som används för att förbereda HBT:

InP HBT growth använder InP-material med ett bredare bandgap som emitter och InGaAs-material med ett smalare bandgap som bas och kollektor. Beroende på kraven på genombrottsspänning kan InGaAs-material eller InP-material användas. Den förra kallas en enkel heterojunction HBT, medan den senare kallas en dubbel heterojunction HBT, och den senare har en högre genombrottsspänning.

Jämfört med GaAs har InP-substrat följande fördelar: den specifika sammansättningen av InGaAs matchar InP-gittret och InGaAs har en elektronmobilitet som är cirka 1,5 gånger högre än GaAs. Jämfört med GaAs har InP och InGaAs dessutom större separation av gamma L- och gamma X-dalarna, vilket kan ge högre hastighetsöverskridande, vilket resulterar i högre elektronhastighet och högre fT.

3. InP HBT-applikationer

Millimetervågssändtagare för lokala flerpunktsdistributionssystem (LMDS) kommer att dra nytta av InP-teknik. InP HBT-teknik ger hög effektivitet och hög linjäritet för dessa digitala nätverk. På grund av bandbreddens värde kommer frekvensen av dessa länkar att fortsätta att öka när mer spektrum blir tillgängligt.

Mobiltelefoneffektförstärkare har mycket strikta prestandakrav, inklusive hög effekttillförd effektivitet (PAE), låg avstängningsström för långa samtals- och passningstider, hög genombrottsspänning för robust användning och låga implementeringskostnader. InP HBT effektförstärkare ger bättre prestanda än GaAs HBT. Jämfört med GaAs HBT-implementering har jämförbara mikrovågseffektförstärkare visat att InP HBT-implementering har större linjäritet.

InP HBT-teknik är särskilt lämplig för höghastighets optiska fiberkretsar, inklusive enkanals SONET OC-768 och 40GBPS för bredbandsdataöverföring på Internet. InP HBTs har fördelar i flera viktiga front-end-komponentblock, inklusive korsimpedansförstärkning, förstärkningskontroll, klocka och dataåterställning, modulatordrivrutiner och höghastighets MUX/DMUX-funktionalitet.

Oavsett om du behöver InP HBT wafer för forskning eller för industriella tillämpningar, vänligen kontakta oss via e-post på[email protected] och [email protected].