LT GaAs tunnfilm för fotodetektorer och fotoblandare

LT GaAs tunnfilm för fotodetektorer och fotoblandare

Lågtemperaturodlad (LTG) galliumarsenid (GaAs) tunnfilm på GaAs-substrat är tillgänglig för fotodetektorer och fotoblandare. Dessutom kan vi leverera gaas epi wafer, för mer GaAs tunnfilm wafer, sehttps://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers/gaas-epiwafer.html. LTG-GaAs är GaAs som odlas vid en låg temperatur på 250-300 grader Celsius med hjälp av MBE. LT-GaAs har en bärarlivslängd på under pikosekunder och hög resistans efter glödgning, med en resistivitet på 107Ω*cm, vilket kan förhindra bildandet av oxider och förhindra stifteffekten av metall-halvledargränssnittet. Dessutom har lågtemperaturodlad galliumarsenid tunn film höga elektriska nedbrytningsfält och relativt stor rörlighet. Dessa egenskaper gör LT-GaAs till ett av de föredragna materialen för snabba och känsliga olika optoelektroniska enheter, såsom fotodetektorer och fotoblandare. För mer GaAs-tunnfilmsdatablad, se tabellen nedan:

GaAs tunnfilmswafer

1. LT GaAs tunnfilm odlad för fotodetektorer och fotoblandare

PAMP16051-LTGAAS

Lagermaterial Tjocklek Notera
LT GaAs Kan klara sig med kort livslängd <1ps
Ack 500 nm
2” GaAs-substrat

 

Notera:

Jämfört med GaAs har AlAs-skiktet högre gitterkonstant, vilket möjliggör tillväxt av LT-GaAs med större gitterkonstant. Fotoströmsgenereringen i lågtemperaturodlade GaAs kan förbättras avsevärt genom interinsättningstillväxt av AlAs. AlAs-skiktet tillåter att mer arsenik införlivas i LT GaAs-skiktet, vilket förhindrar strömdiffusion in i GaAs-substratet.

2. Utveckling av optoelektroniska enheter tillverkade på LTG GaAs-film

Marsch rapporterade tillverkningen och högfrekvensprestandan för fristående LT GaAs-baserade fotoledare och fotoblandare. Fotoresponsen från enheterna visade transienta elektriska effekter med en bredd på 0ps~55ps och en förstärkningsspänning på 1,3V.

Malooci rapporterade LTG GaAs som en optisk vågledarblandare i mmWave- och THz-applikationer.

Mayorga använder LTG CaAs-absorption för att blanda två (nära-infraröda) lasrar för att producera högfrekventa signaler, som kan användas som referenssignaler för THz-bulk-oscillatorer för applikationer som ALMA (Atacama Large Millimeter Aray Research Project).

Wingender använde en optisk mixer gjord av LT GaAs tunnfilmstillverkning för att skapa en steady-state diodlaser med optisk återkoppling.

Han Qin et al. tillverkade en GaAs-baserad 1. 55um resonator-förstärkt (RCE) fotodetektor genom att använda LTG GaAs-material som ett ljusabsorptionsskikt, och analyserade och studerade dess fotoelektriska egenskaper. Enhetens mörka ström är 8,0x 10-12A; toppvåglängden för fotoströmspektrumet är 1563 nm; svarsspektrumets halva bredd är 4nm, med god våglängdsselektivitet.

De huvudsakliga tillämpningarna och forskningsframstegen för LT GaAs epilager i optoelektroniska enheter introduceras kort, vilket är mycket meningsfullt för att förbättra prestandan hos LT GaAs tunnfilmsenheter. När enheten går in i sub-mikronnivån kan olegerad ohmsk kontakt bildas, vilket undviker värmebehandlingsprocessen för ohmsk kontakt för enheten, och enhetens effektivitet och prestanda kommer också att förbättras avsevärt. Man tror att LT-GaAs kommer att bli ett oumbärligt informationsfunktionellt material i GaAs-baserade enheter inom en snar framtid.

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

För mer information, kontakta oss via e-post på victorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.

Dela det här inlägget