P-typ 4H-Sic underlagsbaserat epiwafer

Elektronmobiliteten för 4H SIC -kristaller (cirka 950 cm²/(V · s) vid rumstemperatur) har en betydande fördel jämfört med hålrörligheten (cirka 120 cm²/(Mot)). Denna skillnad i transporttransportegenskaper gör N-kanalisolerad grindbipolär transistor (IGBT) -enheter i allmänhet överlägsen p-kanalstrukturer när det gäller växlingshastighet. För närvarande har ett genombrott gjorts i dopingprocessen av p-typ baserat på vätskefasmetod, vilket framgångsrikt beredar SIC-substrat av P-typ med låg dislokationstäthet. P-SIC-underlag med hög kvalitet och låg motstånd kommer att påskynda utvecklingsprocessen för högpresterande SIC-IGBT och uppnå avancerad ultrahög spänningseffekter. Pam-Xiiamen kan tillhandahållap-typ 4H-SIC-underlagBaserade epitaxialtjänster, med följande tekniska parametrar:

1. Parametrar för epitaxiell tillväxt på 4H-SIC-underlag

Epitaxial wafers odlade på 4h SIC-substrat av P-typ har breda appliceringsutsikter i enheter såsom N-kanal-IGBT, olika högspännings/ultralättspänningsdioder, SIC-baserade fotodetektorer, etc.

Citat nu!

2. Varför odla P-Type 4H-SiC substratbaserad epiwafer?

I SiC-strömbrytare med en blockeringsspänning som överstiger 10 kV kan bipolära enheter (som IGBT och BJT) uppnå extremt låg resistans på grund av konduktivitetsmoduleringseffekter (som n-IGBT, som har betydligt bättre resistans än p-IGBT), vilket gör det till ett idealiskt val för scenarier med hög spänning och hög effekt. Prestandaoptimeringen av n-IGBT förlitar sig dock i hög grad på substrat av p-typ med låg resistivitet för att minska enhetens totala spänningsfall och förluster. Den framgångsrika tillverkningen av p-typ SiC-substrat ger en viktig materialgrund för högspännings- och högdensitetsintegration av SiC-baserade bipolära enheter. Användningen av SiC av p-typ med låg resistivitet kan direkt tjäna som ett substrat, undvika gränssnittsdefekter och bärarspridning mellan det epitaxiella skiktet och substratet, och förbättra enhetens tillförlitlighet; Genom att kombinera p-typ 4H-SiC substratbaserad epiwafer-teknologi kan optimeringsdesignen för vertikal n-IGBT uppnås, vilket främjar den praktiska tillämpningen av enheter med ultrahög spänning över 15kV; Dessutom kan material av p-typ med låg resistivitet förbättra konduktivitetsmoduleringseffekten hos bipolära enheter, minska ledningsförluster och hjälpa till att uppgradera energieffektiviteten hos högeffektsystem som nya energinät och järnvägstransitering.

Oavsett om du behöver SIC Wafer för forskning eller för industriella applikationer, vänligen kontakta oss e -post på[email protected] och [email protected].