Produkter

GaN HEMT epitaxiell skiva

GaN Wafer

PAM-XIAMEN erbjuder Gallium Nitride wafer substrat för UHB-LED, Gallium Nitride wafer, LD och andra halvledaranordningar.

SiC-rånsubstrat (kiselkarbid)

SiC Wafer

Silicon Carbideï¼SiC) Wafers PAM-XIAMENÂ erbjuder Silicon Carbide crytal wafers och epitaxi, som används för optoelektroniska komponenter, High Power Devices, High Temperature Devices, högfrekvenseffekt Devices

GaAs Wafer

GaAs Wafer

PAM-XIAMEN erbjuder galliumarsenid skivsubstratet och epitaxi för LED, LD och Microelectronics applikationer

GaSb Wafer

förening Semiconductor

PAM-XIAMEN erbjuder Indium Semiconductor Wafer: InSb, InP, InAs, GaSb, Gap

Ge (germanium) enkristaller och Wafers

Germanium Wafer

PWAMÂ erbjuder halvledarmaterial, (GE) Germanium enkristaller och Wafers odlas av VGF / LEC

produkter

CdZnTe Wafer

Kadmiumzinktellurid (CdZnTe eller CZT) är en ny halvledar

rånprodukt

Silicon Wafer

PAM-XIAMEN, a silicon wafer manufacturing company, offers silicon wafer: FZ Silicon wafer, Test Wafer Monitor Wafer Dummy Wafer, Test Wafer,CZ wafer, epitaxial wafer, polished wafer, etching wafer.

The silicon wafer manufacturing process is crystal pulling, silicon wafer dicing, silicon wafer grinding, chamfering, etching, polishing, cleaning and inspection, among which crystal pulling, silicon wafer polishing and inspection are the core links of silicon wafer manufacturing. As the basic semiconductor substrate, silicon wafers must have high standards of purity, surface flatness, cleanliness, and impurity contamination to maintain the original designed functions of the chip. The high-specification requirements of semiconductor silicon wafers make its manufacturing process complicated. The four core steps include polysilicon purification and polysilicon ingot casting, single crystal silicon wafer growth, and silicon wafer cutting and shaping. As a raw material for wafer fab, the quality of silicon wafers directly determines the stability of the silicon wafer application process. Large-size silicon wafers have become the future development trend of silicon wafers. In order to improve production efficiency and reduce costs, more and more large-size silicon wafers are used.

rånprodukt

WAFER TILLVERKNING

PAM-XIAMEN Erbjuder fotoresist platta med fotoresist och fotomasker och ge nanolitografi (fotolitografi): Förbehandling, fotoresist gäller, Soft baka, justering, exponering, utveckling, Hard baka, utveckla inspektera, Etch, fotoresist borttagning (band), slutbesiktning.

  • 12 "Prime Grade Silicon Wafer

    PAM-XIAMEN offer 300mm bare silicon wafers (12 inch) in prime grade, n type or p type, and the 300mm silicon wafer thickness is 775±15. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer’s silicon wafer price is more competitive with higher quality. 300mm silicon wafers have a higher yield per wafer than pervious large diameter silicon wafers.

  • 12 "Silicon Wafers 300mm TOX (Si Thermal Oxidation Wafer)

    PAM-XIAMEN offers 300mm silicon oxide wafer and dioxide wafer. Thermal oxide silicon wafer or silicon dioxide wafer is a bare silicon wafer with oxide layer grown by dry or wet oxidation process. The thermal oxide layer of the silicon wafer is usually grown in a horizontal tube furnace, and the silicon wafer oxide temperature range is generally 900 ℃ ~ 1200 ℃. Compared with CVD oxide layer, silicon wafer oxide layer has higher uniformity, better compactness, higher dielectric strength and better quality.

  • 12 "Test Grade Silicon Wafer

    PAM-XIAMEN offers 300mm bare silicon wafers (12 inch) dummy, test grade, n type or p type. Compared to other silicon wafer suppliers, Powerway Wafer offers professional service with competitive prices.

  • Epi Wafer för laserdiod

    GaAs-baserad LD-epitaxskiva, som kan generera stimulerande emission, används allmänt för tillverkning av laserdioder eftersom de överlägsna GaAs-epitaxialwaferegenskaperna gör enheten till en låg energiförbrukning, hög effektivitet, lång livslängd och etc. Förutom galliumarsenid LD epi-wafer , vanligt använda halvledarmaterial är kadmiumsulfid (CdS), indiumfosfid (InP) och zinksulfid (ZnS).

  • Float-Zone Mono-kristallint kisel

    PAM-XIAMEN kan erbjuda float zone silicon wafer, som erhålls genom Float Zone-metoden. Monokristallina kiselstavar förs igenom flytzonstillväxt och bearbetar sedan de monokristallina kiselstavarna till kiselskivor, kallade flytzonskiselskiva. Eftersom den zonsmälta kiselskivan inte är i kontakt med kvartsdegeln under kiselprocessen med flytande zon, är kiselmaterialet i ett suspenderat tillstånd. Därigenom är det mindre förorenat under processen med flytande zonsmältning av kisel. Kolhalten och syrehalten är lägre, föroreningarna är mindre och resistiviteten är högre. Den är lämplig för tillverkning av kraftenheter och vissa elektroniska högspänningsenheter.

  • Wafer Foundry Services

    PAM-XIAMEN provides wafer foundry services with advanced semiconductor process technology and benefit from our upstream experiences of substrate and wafer expaxy, 

    PAM-XIAMEN is to be the most advanced wafer technology and foundry services for fabless companies,IDMs and researchers.

     

  • Test Wafer Övervaka Wafer Dummy Wafer

    Som en dummy wafer tillverkare erbjuder PAM-XIAMEN silikon dummy wafer / test wafer / monitor wafer, som används i en produktionsenhet för att förbättra säkerheten i början av produktionsprocessen och används för leveranskontroll och utvärdering av processform. Eftersom dummy kiselwafers ofta används för experiment och test, är storlek och tjocklek därav viktiga faktorer i de flesta tillfällen. 100 mm, 150 mm, 200 mm eller 300 mm dummy wafer finns tillgänglig.

  • Cz Mono-kristallint kisel

    PAM-XIAMEN, a monocrystalline bulk silicon producer, can offer <100>, <110> and <111> monocrystalline silicon wafers with N&P dopant in 76.2~200 mm, which are grown by CZ method. The Czochralski method is a crystal growth method, referred to as the CZ method. It is integrated in a straight-tube heat system, heated by graphite resistance, melts the polysilicon contained in a high-purity quartz crucible, and then inserts the seed crystal into the surface of the melt for welding. After that, the rotating seed crystal is lowered and melted. The body is infiltrated and touched, gradually raised, and finished or pulled through the steps of necking, necking, shouldering, equal diameter control, and finishing.

  • Epitaxiell Silicon Wafer

    Silicon Epitaxial Wafer(Epi Wafer) is a layer of epitaxial silicon single crystal deposited onto a single crystal silicon wafer(note: it is available to grow a layer of poly crystalline Silicon layer on top of a highly doped Singly crystalline silicon wafer, but it needs buffer layer (such as oxide or poly-Si) in between the bulk Si substrate and the top epitaxial silicon layer. It also can be used for thin film transistor.

  • polerad rån

    PAM-XIAMEN can offer polished wafer, n type or p type with orientation at <100>, <110> or <111>. FZ polished wafers, mainly for the production of silicon rectifier (SR), silicon controlled rectifier (SCR), Giant Transistor (GTR), thyristor (GRO)

  • etsning Wafer

    The etching silicon wafers offered by PAM-XIAMEN are N type or P type etching wafers, which have low roughness, low reflectivity and high reflectivity. The etching wafer has the characteristics of low roughness, good glossiness and relatively low cost, and directly substitutes the polished wafer or epitaxial wafer which has relatively high cost to produce the electronic elements in some fields, reducing the costs.

  • Nanofabrication Photoresist

    PAM-XIAMEN erbjudanden fotoresist platta med fotoresist