SiC material has high displacement threshold energy and wide band gap, which enables the detector to work under high temperature and high radiation field. It can be applied to neutron fluence/energy spectrum measurement in strong radiation field, neutron fluence/energy spectrum measurement in high temperature environment, reactor power monitoring, radiation monitoring of spent fuel storage sites, D-T neutron tube beam current monitoring, pulsed neutron. The detector fabricated on SiC epitaxial thin film can also be used in the fields of uranium mine logging, nuclear medicine and neutron photography, in the field of charged particle and neutron measurement under high temperature and high radiation environment in space, and can be used as a vertex and track detector for high-energy physics experiments. Therein, PAM-XIAMEN can supply SiC epitaxial structureatt tillverka tunn SiC epitaxialdetektor för mätning av tunga joner och laddade partiklar. Mer information om SiC epitaxial wafer, kolla in följande:
1. Specifikation av SiC epitaxiell tunnfilm
4H-SiC-substrat:
Typ: n typ/N dopad
Orientering: 4deg.off
Diameter: Ø4” (±0,1 mm)
Tjocklek: 350(±25) µm
Doping: N-typ
MPD <=1/cm3
Yta: båda sidor polerade
Si ansikte epi-polerad, Ra<0,5nm
C-yta polerad, Ra<3,0nm
Primär plan: (10-10) ±0,5°
Sekundär lägenhet: nödvändig plan som ska tillhandahållas för ytidentifiering
Lasermärke: c-ansikte
Användbar yta: >/= 90 %
<SiC epi>
Metod: CVD
Tjocklek: 20um+/-5%um, n typ
Doping: N-atom 1E15cm-3+/-25 %
Anmärkningar:
SiC-substraten med låg resistivitet kommer att avlägsnas genom HF-anodupplösning. Av detta skäl bör resistiviteten hos epitaxialt SiC-skikt vara så hög som möjligt och resistiviteten hos SiC-substratet bör vara så låg som möjligt.
Så för att hantera detta problem kommer vi att försöka välja ett substrat med lägre resistivitet runt 0,02 ohm.cm, och epi-skikt i låg koncentration för att höja resistiviteten runt 13 ohm.cm under epitaxial tillväxt av kiselkarbid.
2. Krav på högpresterande detektor för epitaxiell tillväxt av SiC-tunna filmer
För att göra högpresterande detektorer bör kvaliteten på SiC enkristallin epitaxiell tunnfilmstillväxt uppfylla följande krav:
1) Få defekter och god enhetlighet av SiC-substrat och epitaxialskikt;
2) Mindre omvänd läckström och högre omvänd förspänning;
3) Större tjocklek på detektorkänsliga området;
4) En låg densitet av yttillstånd på SiC.
3. Krav på metallelektroder för detektorer på SiC epitaxiell tunnfilm
Kraven på SiC-detektorer för metallelektroder är huvudsakligen:
Ohmisk kontakt: Låg specifik kontaktresistivitet och hög stabilitet;
Schottky-kontakt: Det finns en stor Schottky-barriärhöjd och barriärfördelningen är enhetlig.
3.1 Ohmisk kontakt
För n-typ 4H-SiC-halvledarmaterial, för att bilda ohmsk kontakt, måste elektrodmaterialet vara en metall med låg arbetsfunktion som uppfyller villkoret Φm<Φs, medan 4H-SiC har en stor förbjuden bandbredd (3,26eV) , och elektronaffiniteten är endast 3,1 eV, och arbetsfunktionen för de flesta metaller är 5-6 eV, är det svårt att hitta metaller med låg arbetsfunktion som uppfyller villkoren, och metall/SiC-kontakten uppvisar i allmänhet likriktningsegenskaper.
Den nuvarande metoden för att förbereda n-typ SiC ohmsk kontakt är att använda metall och kraftigt dopad (>1*1018 centimeter-3) SiC-kontakt för att härda vid hög temperatur (>950 °C). Bildandet av gränsytsilicid vid hög temperatur kan övervinna inverkan av SiC epitaxiella tunnfilmsytegenskaper på kontaktegenskaper.
3.2 Schottky-kontakt
Schottky-kontakter tillverkas genom avsättning av metall på ett SiC-epitaxialskikt. En bra Schottky-kontakt kräver en stor Schottky-barriärhöjd. För n-typ SiC epitaxiell tunnfilmsprocess kräver Schottky-kontakter lägre dopningskoncentrationer, vanligtvis lätt dopade (<1015).
4. FAQ of SiC Epitaxial Thin Film
Q1: We would like to know the metal contamination level and the elements inside of the SiC epitaxial thin film wafer we bought below. If possible, could you provide it?
PAMP19056-SIC
Substrat
Poly Type: 4H-SiC, 4”size
Dopant: N atom, E17-E18cm-3
SiC epi
Metod: CVD
Thickness: 10um
Dopant: N atom 1E16cm-3
A: Please see attached table below.
Contact our sales team: victorchan@powerwaywafer.com for complete data of the metal contamination level and the elements of SiC epitaxial wafer.
| Element | E10Atoms/cm2 |
| Na | – |
| Mg | 0.03 |
| Al | – |
| K | – |
| Ca | – |
| Ti | – |
| V | – |
| Cr | 0.00 |
| Mn | – |
| Fe | – |
| Co | – |
| Ni | – |
| Cu | – |
| Zn | – |
| Mo | – |
| W | – |
| Pb | 0.01 |
Q2: Could you let me confirm if the metal element data was measured on the SiC wafer surface or inside?
A: The data of the metal contamination level and the elements was measured inside of SiC epitaxy.
Q3: According to your data, the measurement method for determining the metal contamination level and the elements on SiC epitaxial thin film wafer is ICP-MS, isn’t it. Does “inside” mean that the measurement was done by the dissolution of the surface to a specific depth? Is this understanding correct?
A: Yes, we use ICP-MS to measure the metal contamination level and the elements on SiC epi wafer, and it’s done by dissolute the surface to a specific depth inside the SiC wafer.
För mer information, vänligen kontakta oss maila påvictorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.