SiC Wafer

PAM-XIAMEN erbjuder SiC wafer och epitaxi: SiC wafer är tredje generationens breda bandgap-halvledarmaterial med utmärkt prestanda. Det har fördelarna med brett bandgap, hög värmeledningsförmåga, högt elektriskt fält, hög inneboende temperatur, strålningsmotstånd, god kemisk stabilitet och hög elektronmättnadsdrifthastighet. SiC wafer har också stora tillämpningsmöjligheter inom flyg, järnvägstransitering, fotovoltaisk kraftgenerering, kraftöverföring, nya energifordon och andra områden, och kommer att medföra revolutionerande förändringar inom kraftelektroniktekniken. Si face eller C face är CMP som epi-ready kvalitet, packad med kvävgas, varje wafer är i en waferbehållare, under 100 rent klassrum.
Epi-ready SiC wafers har N typ eller Halvisolerande, dess polytyp är 4H eller 6H i olika kvalitetsgrader, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/ cm2, och den tillgängliga storleken är 2”,3”,4” och 6”. När det gäller SiC Epitaxy, dess likformighet mellan wafer och wafer-tjocklek: 2 % och wafer till wafer-dopningslikformighet: 4 %, tillgänglig dopningskoncentration är från odopad, E15,E16,E18,E18/cm3, n-typ och p-typ epi-skikt är båda tillgängliga, epi-defekter är under 20/cm2; Allt substrat bör användas produktionskvalitet för epi-tillväxt; epi-lager av N-typ <20 mikron föregås av n-typ, E18 cm-3, 0,5 μm buffertlager; N-typ epi-lager≥20 mikron föregås av n-typ, E18, 1-5 μm buffertskikt; Dopning av N-typ bestäms som ett medelvärde över skivan (17 poäng) med användning av Hg-sond CV; Tjockleken bestäms som ett medelvärde över skivan (9 poäng) med hjälp av FTIR.