SiC Wafer

PAM-XIAMEN erbjuder SiC wafer och epitaxi: SiC wafer är tredje generationens breda bandgap-halvledarmaterial med utmärkt prestanda. Det har fördelarna med brett bandgap, hög värmeledningsförmåga, högt elektriskt fält, hög inneboende temperatur, strålningsmotstånd, god kemisk stabilitet och hög elektronmättnadsdrifthastighet. SiC wafer har också stora tillämpningsmöjligheter inom flyg, järnvägstransitering, fotovoltaisk kraftgenerering, kraftöverföring, nya energifordon och andra områden, och kommer att medföra revolutionerande förändringar inom kraftelektroniktekniken. Si face eller C face är CMP som epi-ready kvalitet, packad med kvävgas, varje wafer är i en waferbehållare, under 100 rent klassrum.
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.