InP epitaxiella wafers med solcellsstruktur som ett p-InGaAs-gitter matchade med n-InP-substrat kan tillhandahållas av PAM-XIAMEN. Indiumfosfid är en av huvudgrupp III-V sammansatta halvledare för tillverkning av solceller med flera ämnen. Dessa multi-compound solceller inkluderar huvudsakligen GaAs, InP, GaInP, AlGaInP, InGaAs, GaInNAs, CuInSe2, CuInGaSe, etc. och laminerade solceller sammansatta av dem. Följande specifikationer erbjuds som referens, eller så kan du förse oss med anpassad solcellsstrukturdesign:
InGaAs/InP Solcellsstruktur
1. Bulk Heterojunction solcellsstruktur
PAM170725-INGAAS
Struktur 1. InP Epitaxial Struktur för solcell
| Lager nr. | Komposition | Koncentration | Tjocklek | |
| 5 | Kontaktlager | p++ InxGal-xAs | 1E19 cm-3 | – |
| 4 | Fönsterlager och passivering av frontytan | p+ AlxInl-xAs | – | – |
| 3 | P-sidan av PN-övergången, ljusabsorbent | p+ InxGal-xAs | – | – |
| 2 | Ljusabsorbent | odopad InxGa1-xAs | – | – |
| 1 | Baksida fält | n+ AlxIn1-xAs | – | 50nm |
| 0 | Substrat | n++ InP | highest possible doping | – |
Structure 2. Monocrystalline InP/InGaAs Solar Cell Structure
| Lager nr. | Komposition | Koncentration | Tjocklek | |
| 3 | Kontaktlager | p++ InxGal-xAs | – | – |
| 2 | Window Layer | p+ AlxInl-xAs | – | 50nm |
| 1 | P-sidan av PN-övergången, ljusabsorbent | p+ InxGal-xAs | 1E18 cm-3 | – |
| 0 | Substrat | n++ InP | highest possible doping | – |
2. About Photovoltaic Solar Cell Structure Layer
A solar cell is a device that uses the photovoltaic effect to convert solar energy into direct current electrical energy through semiconductor materials (light energy is converted into electrical energy). Commercial solar cells mainly include crystalline silicon solar cells (including monocrystalline silicon and polycrystalline silicon) and semiconductor compound solar cells (mainly GaAs solar cell).
The working temperature of the high-temperature heat radiator is generally 1000°C~1500°C, so the solar cell band gap should be 0.4eV~0.7eV. Currently, more studies are carried out on thermal photovoltaic cells include Si, Ge, GaSb and InGaAs cells. Among them, InGaAs material is a typical ternary arsenide semiconductor material. Its band gap can be changed with the adjustment of its composition. The maximum adjustment can reach 1.424ev of gallium arsenide, and the minimum of indium arsenide can reach 0.356ev. Because of its wide adjustment range of the band gap, this can meet the band gap requirements required by thermal photovoltaic cells, so it is for thin film solar cell structure.
InGaAs-material använder ofta InP som substrat. Solcells- och kristallstrukturen hos InGaAs-gitter matchat med InP-substratet har ett bandgap på 0,74eV. InGaAs-materialet med ett bandgap i intervallet 0,5 eV-0,6 eV är jämförbart med InP wafer-substrat, och missanpassningen är mellan 1,0 % och 1,4 %. Stressbuffertmetoden kan effektivt minska tätheten av felpassade dislokationer i epitaxialskiktet, och samtidigt kontrollera dislokationerna i buffertskiktet för att undvika rekombinationscentra orsakade av dislokationer, öka diffusionslängden för minoritetsbärare och avsevärt öka den korta -kretsens strömtäthet.
För mer information, kontakta oss via e-post på victorchan@powerwaywafer.com och powerwaymaterial@gmail.com.