Epitaxioptimeringsstudier av högkvalitativa n-typ AlInN-legeringar med olika indiumhalter odlade på två typer av substrat med metallorganisk ångfasepitaxi (MOVPE) utfördes. Effekten av tillväxttryck och V/III molförhållande på tillväxthastighet, indiumhalt och ytmorfologi hos dessa MOVPE-odlade AlInN tunna...
Metod för att modulera waferbågen av fristående GaN-substrat via induktivt kopplad plasmaetsning. Böjningskrökningen för det fristående GaN-substratet minskade signifikant nästan linjärt från 0,67 till 0,056 m−1 (dvs. böjningsradien ökade från 1,5 till 17,8 m) med ökad plasmatid (ICP) och kopplad plasmatid (ICP)
Höjdpunkter •MOCVD-tillväxt av en p-GaN/i-InGaN/n-GaN (PIN) solcell på ZnO/Sapphire-mallar. •Djupgående strukturella karakteriseringar som inte visar någon tillbakaetsning av ZnO. •Kemisk lyftning och wafer-bondning av strukturen på floatglas. •Strukturella karakteriseringar av enheten på glas. Abstrakta p-GaN/i-InGaN/n-GaN (PIN) strukturer odlades epitaxiellt på ZnO-buffrade c-safirsubstrat genom metallorganisk ångfasepitaxi med användning av...
Höjdpunkter •N-polära InAlN-tunna filmer odlades på GaN-substrat genom molekylär strålepitaxi. •Ytmorfologi övergick från kvasi-3D till stegflöde vid hög temperatur. •Indiummättnad observerades för att öka indiumflödet vid hög temperatur. •Ökat aluminiumflöde bidrog till att öka indiuminkorporeringseffektiviteten. •N-polära InAlN-filmer med 0,19 nm rms grovhet demonstrerades. Abstrakt N-polär InAlN tunn...
Egenskaper hos InGaN blå laserdioder som odlas på GaN-substrat i bulk Högtryckstillväxt från lösning är för närvarande den enda metoden som kan ge riktiga GaN-monokristaller i bulk. I den här artikeln vill vi visa att de kan bli en teknisk plattform trots sin lilla räckvidd på centimeters storlek...